集成电路器件微波损伤效应实验研究

主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明：集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域（约100ns）,在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。     

集成电路器件微波损伤效应实验研究

 主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明：集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大，随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂，总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低，但存在一拐点区域（约100ns），在此区域后，脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布，且方差较小，因此，器件的损伤概率近似于0~1分布。     

直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究

通过对直接键合InP-GaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现，样品制备过程中不均匀的外加压强导致InP-GaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层，实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层，利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征 这种局部的键合不连续区域，二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强 度等值线图，从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性， 得到了连续过渡界面且均匀键合的InP-GaAs结构，利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器 件例如光学微腔等. 关键词： 晶片直接键合 界面 红外吸收光谱     

激光触发真空沿面闪络开关的初步实验研究

介绍了沿面闪络开关的发展状况和基本原理,实验研究了真空条件下激光触发介质沿面闪络特性。实验采用固体Nd:YAG纳秒激光器作为触发源,对试样施加正直流高压,电压范围1～6 kV,试样绝缘子为直径50 mm的尼龙6。通过研究不同激光能量、波长和聚焦形状对介质闪络的影响,总结出适用于沿面闪络开关的激光触发形式。实验表明：在一定电场和真空度下闪络的时延和抖动将随着输入激光能量的提高而减小,而激光可触发的电压范围将提高;激光波长减小有助于提高触发的稳定性;激光焦斑的形状是沿面闪络触发的最大影响因素,采用具有一定能量密度、焦斑横跨两电极的带状激光来触发闪络是闪络开关的理想选择。     

激光触发真空沿面闪络开关的初步实验研究

 介绍了沿面闪络开关的发展状况和基本原理，实验研究了真空条件下激光触发介质沿面闪络特性。实验采用固体Nd:YAG纳秒激光器作为触发源，对试样施加正直流高压，电压范围1～6 kV，试样绝缘子为直径50 mm的尼龙6。通过研究不同激光能量、波长和聚焦形状对介质闪络的影响，总结出适用于沿面闪络开关的激光触发形式。实验表明：在一定电场和真空度下闪络的时延和抖动将随着输入激光能量的提高而减小，而激光可触发的电压范围将提高；激光波长减小有助于提高触发的稳定性；激光焦斑的形状是沿面闪络触发的最大影响因素，采用具有一定能量密度、焦斑横跨两电极的带状激光来触发闪络是闪络开关的理想选择。     

Theoretical analysis and experimental application of CDS CMOS integrated circuit for uncooled infrared focal plane arrays

In this paper, a typical correlated double sampling (CDS) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit for uncooled infrared focal plane array (IRFPA) is theoretically analyzed, the key factor of CDS CMOS integrated circuit is pointed out, and a new CDS integrated circuit which is high correlative for low-frequency noise is applied in an experimental readout chip for uncooled IRFPA. Theoretical analysis indicates that the sample transfer function of a noise source acted on by CDS processing is related to noise frequency and sampling time interval and the key factor of CDS circuit for reducing or eliminating noise in readout integrated circuit is the sampling time interval. The experimental readout chip with high noise-correlative CDS integrated circuit is fabricated to verify the theoretical analysis, which can be applied to uncooled IRFPAs.     

辐射背景对岩石受力热红外光谱变化影响的实验研究

研究表明,岩石在加载过程中表面的红外辐射随应力发展而变化,而辐射信息的有效提取与辐射背景存在密切关系。通过理论分析不同实验环境对岩石受力热红外光谱变化影响,开展了花岗岩在室内外环境下的受力热红外光谱观测实验,分析了不同辐射背景下岩石红外辐射与应力的相关性以及由应力引发的辐射变化信息的强弱差异,并对两种环境下岩石应力热红外探测的优势波段进行了对比分析。结果表明,辐射背景对岩石受力热红外光谱探测结果有重要影响,室外环境因背景辐射较弱,相同应力作用下的红外辐射变化更加显著,与应力之间的相关程度更高,优势波段区间更宽,更加有利于岩石应力的热红外探测。8.0~11.8 μm波段是利用热红外遥感监测地表花岗岩应力变化的优势波段。     

团簇红外吸收谱的理论研究

根据时间关联函数理论，可以结合分子动力学模拟而计算团簇的红外吸收谱. 应用正交紧束缚分子动力学模拟，计算了C₆₀的红外吸收谱. 结果与实验相符，足以识别团簇 体系的红外吸收谱. 这将是研究纳米团簇体系的有力理论分析工具. 关键词： 红外吸收谱 团簇 时间关联函数     

飞秒激光作用下金掺杂硅酸盐玻璃的光致晶化研究

研究了金掺杂硅酸盐玻璃在飞秒激光辐照和热处理作用下的光致晶化行为，分析探讨了其机理和激光辐照条件的影响.吸收光谱测试表明玻璃内部析出金纳米颗粒. 金纳米颗粒掺杂玻璃在近共振纳秒脉冲作用下显示了强的光限幅效应, 且改变飞秒激光诱导参数可改变该复合玻璃的光学非线性. 关键词： 光致晶化 飞秒激光 金纳米颗粒 硅酸盐玻璃 光限幅     

Spectral analysis on the surface molecular structure of modified polyvinylidene fluoride membrane

Taking advantage of Fourier transform infrared spectrum and X-ray photoelectron spectroscopy, the researcher has conducted a contrastive research on the surface molecular structure of porous PVDF membrane before and after modification. Research results indicate that, though the C-F characteristic peak of the PVDF membrane still exists after modification, the peak is obviously flat, which indicates that the content of F atom decreases evidently; the results also indicate that hydroxyl characteristic peak is sharper, which indicates the content of O atom increases evidently. This proves that chemical binding force has been produced by chemical reactions on the surface of PVDF membrane during the modification. The coexistence of C-F functional group with C-OH one on the surface of PVDF membrane after modification proves that the surface features of the PVDF membrane have been successfully altered. Combination of Fourier transform infrared spectrum with X-ray photoelectron spectroscopy is proved an effective approach for analyzing the surface structure of the membrane.     

光学元件中高频PSD2误差的实验研究

光学元件的中高频误差一般采用功率谱密度（PSD）表示,其划分为PSD1和PSD2两个频段。针对目前国内外研究较少的PSD2频段误差,分析和实验研究了其潜在的影响因素。采用沥青和聚氨酯盘抛光熔石英元件的实验结果显示：小工具数控相比传统全口径抛光并未增大PSD2误差,而抛光盘材质对PSD2误差具有决定性的影响。沥青盘在抑制PSD2误差方向具有较好的优越性,工件表面的PSD2指标能够满足要求,而聚氨酯抛光元件表面的PSD2误差则较高。针对这一问题,提出采用固结金刚石丸片修整聚氨酯垫,通过细化金刚石颗粒获得了合格的PSD2指标。     

光谱相减方法用于无创生化检测中背景扣除实验研究

在近红外光谱无创生化检测中,血流容积光谱相减方法在理论上可以消除组织背景等干扰因素,提取出血液的有效光谱信息。为论证血流容积光谱相减方法有效性,设计了相应的模拟实验。采用生物分子水溶液模拟血清样品,不同吸收特性的滤光片模拟组织背景干扰,可变厚度样品池模拟血流容积变化。比较了光谱相减方法处理前后的模型精度,处理前模型定标相关系数(R_c)为0.476,交叉检验标准差(RMSECV)为437 mg·dL-1;处理后R_c达到0.977,RMSECV降至301 mg·dL-1。实验结果表明血流容积光谱相减方法能够较好抑制或扣除组织背景干扰,大幅度提高模型预测精度。     

冷却速率对温敏聚N-异丙基丙烯酰胺胶体结晶过程的影响

冷却速率对结晶过程具有重要的影响. 本文采用温敏poly-N-isopropylacrylamide (PNIPAM) 胶体晶体体系实时观察了冷却速率对结晶晶粒尺寸的影响. 通过高倍透射明场观察和Bragg衍射观察研究连续冷却下的晶粒形核和生长实时演化过程, 发现随着冷却速率的增加, PNIPAM胶体晶体晶粒尺寸不断减少. 晶粒尺寸与冷却速率符合幂指数关系, 与金属体系具有相似的演化规律.     

Mössbauer study of the crystallization products of a Fe75Zr25 amorphous alloy

The crystallization of the Fe₇₅Zr₂₅ as-milled amorphous alloy has been studied by Mössbauer spectroscopy. The process begins at around 880 K with the complete and fast crystallization of the amorphous phase into the crystalline α-Fe and Fe₂Zr ones but, from around 915 K, there is a sudden phase transformation into the Fe₂₃Zr₆ phase, which remains stable after cooling. A fitting for the Mössbauer contribution of the Fe₂₃Zr₆ phase, consistent with its crystalline structural features, has been obtained.     

汞光谱色散曲线实验研究

在现有理论基础上,利用汞光谱色散实验测出汞光谱8条谱线对棱镜的折射率后,通过多项式拟合得到了波长和折射率的经验关系,即色散特性函数,并由此得到了汞光谱的角色散率.本文有助于人们更深入认识色散现象.     

3,4,5-THBA无水及水合晶型的光谱实验及理论研究

本文利用傅里叶变换红外(FT-IR)、拉曼(Raman)和太赫兹(THz)光谱技术在室温下对3,4,5-三羟基苯甲酸(3,4,5-THBA)的无水和水合晶型进行了表征。运用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法分别对两种晶型进行了分子结构优化和频率模拟计算,并根据实验数据对其分子振动模式进行归属,发现3,4,5-THBA两晶型的分子振动模式有着显著不同。研究结果表明,结晶水分子与3,4,5-THBA分子之间的相互作用使得水合与无水晶型的空间构型不同。这一研究结果为利用光谱技术辨别药物晶型和进一步分析研究分子内和分子间相互作用提供了实验及理论依据。     

退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响

本文采用磁控溅射法, 衬底温度500 ℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge 薄膜和a-Si薄膜, 并进行后续退火, 采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征. 结果表明, Ge有诱导非晶硅晶化的作用, 并得出以下重要结论: 衬底温度为500 ℃时生长的a-Si/Ge薄膜, 经600 ℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%, 在相同的退火时间下退火温度提高到700 ℃, 晶化率达54%. 相同条件下, 无Ge填埋层的a-Si薄膜经800 ℃退火5 h薄膜实现晶化, 晶化率为46%. 通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200 ℃. Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向, 且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm. 通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.     

观测角度对岩石热红外光谱解混影响的实验研究

岩石定量遥感是矿产资源探测与地质环境监测的主要手段,光谱解混是岩矿定量遥感的重要方法.在实际应用中,由于卫星对地观测受地形起伏的影响,观测具有一定的角度,导致所测发射率光谱产生变异.但在目前的研究中,解混所采用的矿物端元光谱,是在实验室垂直试样表面观测得到的,忽略了观测角度对发射率光谱的影响,降低了光谱解混精度.因此,...     

电容器薄膜等离子体表面改性实验研究

 建立了一套辉光放电等离子体对电容器薄膜进行表面处理的装置。采用N₂，O₂及Ar三种气体对聚丙烯、聚酯和聚苯硫醚膜进行了表面处理。红外光谱分析表明:薄膜表面的生成物与薄膜种类、气体种类和处理强度密切相关。场扫描电镜显示了薄膜表面的刻蚀现象明显。处理过的薄膜，非晶相被去除，球晶暴露。能谱分析说明了薄膜中C元素下降，N，O元素增加，但总体改变量很小。处理前后薄膜的直流击穿电压没有明显改变，但刻蚀过程造成的薄膜表面粗化可帮助电容器的浸渍过程更充分，从而可提高电容器的使用场强与储能密度。     

电容器薄膜等离子体表面改性实验研究

建立了一套辉光放电等离子体对电容器薄膜进行表面处理的装置。采用N2,O2及Ar三种气体对聚丙烯、聚酯和聚苯硫醚膜进行了表面处理。红外光谱分析表明:薄膜表面的生成物与薄膜种类、气体种类和处理强度密切相关。场扫描电镜显示了薄膜表面的刻蚀现象明显。处理过的薄膜,非晶相被去除,球晶暴露。能谱分析说明了薄膜中C元素下降,N,O元素增加,但总体改变量很小。处理前后薄膜的直流击穿电压没有明显改变,但刻蚀过程造成的薄膜表面粗化可帮助电容器的浸渍过程更充分,从而可提高电容器的使用场强与储能密度。