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为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则。模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESDW/L设计为38.9/7.4μm,在分辨率为H1200时ESDW/L设计为35.0/7.4μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESDW/L设计为14.7/7.4μm,在分辨率为V1920时ESDW/L设计为12.2/7.4μm,满足模拟条件。同时,按照此结果,可以得出ESDTFT器件在信号电压±25V变动时,电流值大于±9.5μA;而TFTLCD实际工作电压(<±10V)远小于模拟工作电压(<±25V),实际工作电流值为3~5μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行。 相似文献
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中国TFT-LCD产业发展之路 总被引:4,自引:0,他引:4
纵观世界TFT-LCD产业发展的历程,探讨中国TFT-LCD产业发展的道路.建议尽快建成以TFT液晶显示屏为中心的上、下游产业链,增强零部件的自我配套能力,以促进我国显示产业长足地稳定发展。 相似文献
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TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向. 相似文献
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文章以扫描电镜(SEM)在TFT-LCD中的应用为题,介绍了扫描电镜的原理、构造,并通过实验数据分析对TFT-LCD生产中相关缺陷的产生原因进行调查。 相似文献
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平板显示器正逐步取代阴极射线管CRT成为显示器产业的主流,尤以液晶显示器所占比重最大,其中薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD占绝对优势,生产技术进入第八代世代线的8G。另一方面,TFT制备工艺也在不断改进之中,在非晶硅a-Si TFT基础上,研发低温多晶硅LTPS(Low Tem-perature Poly Silicon)、高温多晶硅HTPS、连续晶界硅CGS技术, 相似文献
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第五代TFT-LCD的制屏工艺 总被引:4,自引:4,他引:0
第五代TFT生产线的全称为第五代a-si TFT-LCD(非晶硅薄膜晶体管液晶显示器)生产线。玻璃基板尺寸有1100х1250(m m)或1100х1300(m m)等几种。可切割出12张17英寸的显示屏。与第四代生产线相比,在基本相同的工艺流程下,工效提高了一倍,已进入了稳定量产的阶段,工艺技术已经成熟。液晶制屏工艺包括从玻璃基板到显示器件的整个制作过程,分二个阶段运作。第一阶段,首先将CF基板和TFT基板在进入制屏阶段后分成两条线同时运行,第二阶段,在对位压合工序中将两条线合成一条生产线。具体工艺如下:(1)CF基板→清洗和干燥→PI涂膜与固化→定向… 相似文献
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关于TFT-LCD工艺过程中ESD改善的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在显示器件薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostaticdischarge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件。本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focusionbond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益。 相似文献
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本文介绍了一种TFT-LCD行业真空对盒工序用搬运机器人,机器人有上下手臂,其中下手臂上设置有位于两侧的侧臂和2个位于中侧的中臂,中臂上设有3个通过喷出气流将玻璃托起的喷气口,喷气口通过导气管与外设气泵连接;侧臂或中臂上还设有一检测装置;外设气泵、检测装置与控制装置连接;侧臂上设置有5个真空垫片。真空对盒工序用搬运机器人下手臂上的喷气口设于玻璃基板像素区,且与所搬运玻璃基板没有接触,避免了面板像素区出现亮点和封框胶断胶;当搬运的面板尺寸发生变化时,无需移动喷气口,减少了设备的空闲时间,提高了设备的使用效率。 相似文献
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一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善 总被引:1,自引:4,他引:1
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。 相似文献
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摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%,大大提高了产品品质,降低了生产成本。 相似文献
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铟锡氧化物(indiumtinoxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si:HTFT-LCD)最常用的透明导电材料,其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能。本文主要阐述了TFT-LCD生产中由于ITO多晶化所造成的残留问题,并根据产线的情况对这些影响进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。 相似文献
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针对小尺寸TFT-LCD驱动控制芯片的结构特点,提出了一种适用于小尺寸TFT-LCD的新型图像锐化算法.在传统的反锐化掩膜算法中考虑了人眼的视觉系统特性,加入了能量色散滤波器,进而提高了图像锐化效果,降低了锐化噪声,减小了灰度溢出,同时也避免了色彩失真现象.所提出的算法简单且易于硬件实现,硬件开销小,还可以通过寄存器配置锐化强度等参数,以实现显示画质的优化和微调,尤其适应于手机等小尺寸TFT-LCD显示终端应用. 相似文献