首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
用高温固相法制备了Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉。在紫外光辐照后,Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2 的4f65d-4f7的跃迁。紫外光激发停止后,Sr3SiO5∶Eu2 的余辉时间是4 h以上。余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3 离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱。产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上。由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度。Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料。  相似文献   

2.
应用燃烧法在空气中在较低的温度(600度)下成功地合成了铝酸盐荧光体BaMgAl10O17:E^2 ,RE0并研究了稀土离子对荧光体发光的影响和作用,第一次观察到荧光体的长余辉发光现象。  相似文献   

3.
SrAl2O4:Eu2+的长余辉发光特性的研究   总被引:56,自引:5,他引:56  
本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的发光衰减是由两个足够深的电子陷阱所引起.  相似文献   

4.
(Eu2+,Nd3+)∶CaAl2O4的长余辉发光及机理的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高温固相反应法制备了Eu^2 ∶CaAl2O4、(Eu^2 ,Nd^3 )∶CaAl2O4,等系列材料。测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线。分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用。并对其发光机理进行了深入地探讨。  相似文献   

5.
我们在本文中制作了五种不同SrAl2O4:Eu^2+和Dy^3+的样品。样品分别是SrAl2O4基质的α相和β相的粉末和片状样品,以及单晶样品。我们对所有样品进行了形貌的SEM研究。我们还对α相和β相粉末样品及片状样品以及α相单晶样品的荧光发射谱进行了测量。它们的荧光发射的中心波长为520nm,对应于SrAl2O4基质中的Eu^2+的4f^65d^1的^2eg激发态到4f^7的^8S7/2的跃迁发  相似文献   

6.
ZnGa2O4长余辉发光特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3+替代了部分Zn^2+后相对变形八面体中Ga^3+的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^*后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^*→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2+空位,从而多余的的Ga^3+出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。  相似文献   

7.
刘振  焦桓  杨菊香 《光谱实验室》2011,28(4):1954-1957
建立一种快速溶胶-凝胶法制备长余辉材料的方法。以柠檬酸,硝酸锶,硝酸铝及硝酸铕等为原料,实现了该法的快速制备过程。研究结果表明,通过改进可使该法制备铝酸锶长余辉材料的时间缩短至12h以内,X射线粉末衍射,扫描电镜,光谱分析等表明,使用该方法与传统溶胶-凝胶法制备的样品其性能基本一致。  相似文献   

8.
Sr3SiO5:Eu2+和Sr3SiO5:Eu2+, Dy3+荧光粉的黄色长余辉性质   总被引:3,自引:1,他引:3  
用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2 和Sr3SiO5:Eu2 , Dy3 荧光粉.在紫外光辐照后, Sr3SiO5:Eu2 和Sr3SiO5:Eu2 , Dy3 荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2 的4f65d - 4f7的跃迁.紫外光激发停止后,Sr3SiO5:Eu2 的余辉时间是4 h以上.余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3 离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱.产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上.由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度.Sr3SiO5:Eu2 和Sr3SiO5:Eu2 , Dy3 荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料.  相似文献   

9.
采用高温固相反应法制备了SrAl2O4:Eu,Dy^3+长余辉发光粉,将发光粉掺到以碱金属硼磷酸盐低熔点玻璃熔块为基质的搪瓷釉中,并通过丝网印刷技术涂搪到铝合金基板上,然后烧制成长余辉搪瓷。研究了发光粉的加入量、釉层厚度、烧成温度、烧成时间等搪瓷工艺的各个环节对搪瓷余辉性能的影响,制得性能稳定的长余辉涂层,余辉时间长达12h以上。这种发光搪瓷涂层可用于制作广告牌、交通标牌、建筑物标示牌等,在许多领域具有广阔的应用前景。  相似文献   

10.
稀土离子激活长余辉发光材料的最新研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
长余辉发光材料是一种新型储能材料。评述了基质组成和制备技术对长余辉发光材料发光特性的影响;介绍了黄绿光、蓝光和红光长余辉材料的最新研究进展和获得长余辉发光的关键因素,即结构缺陷形成的陷阱态和稀土掺杂的作用,并对长余辉发光材料今后的研究和应用做出了展望。  相似文献   

11.
ZnS:Eu2+的长余辉发光   总被引:11,自引:2,他引:9  
丁兰芳  蒋雪茵 《发光学报》1989,10(3):263-264
Eu2+的5d能级在许多晶体中都低于其4f能级的最低激发态(6P7/2),因此发光呈带状光谱,且发射波长随基质变化很大。由于5L→4f是容许跃迁,所以发光的衰减很快,通常在μs数量级,出人意料的是ZnS:Eu的发光尽管也是Eu2+的5d→4f跃迁,但衰减却极慢,达几十分钟的数量级。弛豫曲线的分析表明,这种长的弛豫是电子陷阱造成的。  相似文献   

12.
用高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3:Pr^3+玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的网络结构并研究了其发光性质。在CaO-SiO2-B2O3:Pr^3+玻璃体系中观察到了Pr^3+的发射光谱。480nm左右的发射峰对应于3P1—3H4跃迁,532nm左右的宽带发射峰对应于3P1—3H5跃迁,546nm左右的宽带发射峰对应于3P1—3H4跃迁,605nm左右的发射峰对应于3P0—3H6跃迁,663nm左右的发射峰对应于3P1—3H3跃迁。研究了掺杂Pr^3+浓度对其发光强度的影响,在该玻璃体系中观察到了浓度猝灭现象。光谱性质表明这种玻璃体系能够把太阳光中的紫外光转换成红光,从而增强红光的发射强度。我们可以利用这些玻璃的发光性质来制备农用转光玻璃。  相似文献   

13.
采用高温固相反应法制备了SrA l2O4∶Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉,将发光粉掺到以碱金属硼磷酸盐低熔点玻璃熔块为基质的搪瓷釉中,并通过丝网印刷技术涂搪到铝合金基板上,然后烧制成长余辉搪瓷。研究了发光粉的加入量、釉层厚度、烧成温度、烧成时间等搪瓷工艺的各个环节对搪瓷余辉性能的影响,制得性能稳定的长余辉涂层,余辉时间长达12 h以上。这种发光搪瓷涂层可用于制作广告牌、交通标牌、建筑物标示牌等,在许多领域具有广阔的应用前景。  相似文献   

14.
硼酸掺量对SrAl2O4长余辉发光材料的发光性能影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用燃烧法制备了Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料,研究了不同硼酸掺量对Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料发光性能的影响。为了分析B2O3在材料制备中的作用,用XRD对所合成材料进行物相分析,用荧光光谱仪记录其发射光谱,并在暗室里拍摄紫外激发下的发光照片。结果表明:硼酸掺量为0.8的样品的发光光谱,其发射峰峰值位于518 nm,是典型的Eu2 的4f5d→4f的特征发射,为一宽谱带发光光谱。硼酸掺量为2的样品的发光光谱,其在518 nm位置的峰十分弱,而在487 nm处同时出现了一个弱峰,整个谱线呈一斜坡状。随着硼酸加入量的不同,Eu2 ,Dy3 共掺杂铝酸锶的发光效果、形貌特征均不同。在某一范围内,随着硼酸添加量的增加,合成了发光主晶相,烧结温度有所降低,材料的发光性能和发光亮度均有所提高。  相似文献   

15.
A luminescence kinetic model for the green-emission long-afterglow phosphor (Sr0.5 Ca1.5)MgSi2O7:Eu^2 ,Dy^3 is proposed based on the studies of the thermoluminescence and isothermal decay curves at different temperatures.The isothermal decay curves at different temperatures meet the hyperbolic law and show to be dependent on temperature. Combined with the decay curves and the thermoluminescence curves, it can be concluded that the long afterglow of this material originates from the traps with energy distribution rather than a single level trap.Upon illumination with ultra-violet or visible light, the trap filling can proceed via excitation of 4f electrons to the 5d level of Eu^2 ions. After excitation, 5d electrons can be transferred to the trap related to Dy3 ions, and Eu^3 is left behind. Upon subsequent heating, the electron is released from this trap and recombines with Eu^3 to produce Eu^2 emission.  相似文献   

16.
采用高温固相法合成发光样品Y2O3:Eu3+0.01和Y2O3:Eu3+0.01,Dy3+0.01.X射线衍射分析(XRD)表明样品保持Y2O3晶格结构,掺入的Eu3+和Dy3+对Y2关键词: 长余辉 2O3')" href="#">Y2O3 稀土掺杂 陷阱  相似文献   

17.
铽激活碱土硼硅酸盐玻璃的长余辉发光性质   总被引:8,自引:2,他引:6  
首次报道了一种新型的长余辉发光材料,即Tb^3 激活的钡硼硅长余辉发光玻璃。经254nm的紫外灯(辐照度为4.07mW/cm^3)照射30min后,该玻璃发出明亮的绿色长余辉,其余辉在黑暗中持续8h以上仍肉眼可辨。比较样品的余辉光谱和荧光发射光谱,发现两者的峰形、峰位基本相同,说明玻璃样品的绿色余辉发射中心,来自于Tb^3 的特征发射。余辉发射的峰值波长位于543nm,对应于Tb^3 的^5D4→^7F5跃迁。我们通过吸收光谱、荧光的激发和发射光谱、余辉衰减曲线、余辉发射光谱及热释光谱等表征方法,系统地对这种玻璃材料的荧光和长余辉发光性质进行了研究,并讨论了可能的长余辉发光的机理。  相似文献   

18.
β-Zn3(PO4)2:Mn^2+,B^3+长余辉发光材料的性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高温固相法分别合成了β-Zn3(PO4)2:Mn^2+,B^3+和不同HBO3含量的β-Zn3(PO4)2:Mn^2+,B^3+红色长余辉材料。XRD结果表明,HBO3的加入对于β-Zn2(PO4)2物相的形成和结晶温度并没有显著影响。从不同样品的激发和发射光谱可以看出,HBO,的加入并没有改变其激发和发射光谱位置,而对其强度有一定影响。对于Zn2.85(P1-x/2O4)2:Mn0.15^2+,Bx^3+来说,当B3+加入量为x=0.05时发光强度最强;而对其余辉衰减光谱来说,HBO3的加入明显提高了材料的余辉性能,并且当B^3+加入量为x=0.1时余辉性能最强,这是由于B^3+的不等价取代增加了材料中的陷阱而导致的结果。  相似文献   

19.
CaTiO3:Pr3+长余辉玻璃的制备与发光性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
用二次熔融法制备了CaTiO3:Pr^3+红色长余辉玻璃。测量了样品的发射光谱,其发射光谱峰值为611.7,614.5nm,对应于Pr^3+的4f-4f(^1D2→^3H4)跃迁,与CaTiO3:Pr^3+晶态长余辉发光粉的发射光谱峰值相一致。玻璃粉与发光粉的质量配比在95:5~80:20时,都可以形成玻璃态并得到红色长余辉发光。研究了气氛和熔融温度对发光性能的影响,在空气环境下,800℃即可得到性能良好的样品。  相似文献   

20.
温度对长余辉发光玻璃发光性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
在还原气氛下, 制备了稀土Eu2O3 , Dy2O3掺杂的铝硅酸盐长余辉发光玻璃。分析了不同温度对SrAl2O4 : Eu, Dy发光玻璃的余辉发光的影响,比较了SrAl2O4 : Eu和SrAl2O4 : Eu, Dy发光玻璃的余辉发光的时间积分强度。结果表明:SrAl2O4 : Eu, Dy长余辉发光玻璃的发射光谱存在455,515 nm两个发射峰值,并且其余辉衰减正比于t-0.8。SrAl2O4 : Eu, Dy长余辉发光玻璃余辉发光时间积分强度在150 K附近开始增加,并在275 K达到最大;Dy3+离子是造成空穴陷阱的主要原因。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号