掺Sb对PbWO_4晶体发光性能的改善

首次报道了ＰｂＷＯ４：Ｓｂ的光谱特性,包括透射谱和Ｘｅ灯光源激发的发射谱与激发谱．掺Ｓｂ具有增强绿光带、抑制红光带并大幅度提高光产额的效果．通过与空气退火ＰＷＯ发光的比较,对绿光带的起因、Ｓｂ掺杂的作用也进行了简要的讨论．     

Sb2O3掺杂对提高PbWO4晶体光学及闪烁性能的作用

采用改进的布里奇曼（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法生长了掺杂Ｓｂ２Ｏ３的ＰｂＷＯ４晶体。基于透射光谱、紫外激发及其发射谱、Ｘ射线激发的发射谱、光输出和辐照损伤待方面的测试,讨论了Ｓｂ２Ｏ３掺杂对提高ＰｂＷＯ４晶体光学及闪烁性能的作用。     

气相吡啶分子S1态的(2+3)偏振共振多光子电离谱研究

利用气相吡啶分子分别在圆偏振光激发和线偏振光激发下的（２＋３）偏振共振多光子电离（ＰＲＭＰＩ）谱,对其第一激发态（Ｓ１）上的振转结构进行了研究。在谱中观察到了呈双峰结构的电子振转跃迁谱带。分析表明,所有振动谱带均为Ｓ１态上Ｖ６ａ、Ｖ１０ａ、Ｖ１２、Ｖ１６ｂ和Ｖ１７ａ以及基态上Ｖ９ａ的混合频率谱带。旨认吡啶Ｖ１７ａ的Ｓ１态频率为６７０ｃｍ＾－１,并认为在Ｓ１态上Ｖ７ａ频率降低的原因与Ｖ１０ａ类似。     

Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了 Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相,空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ３＋含量的增加,在１９２ｕｍ附近,出现了Ｇｄ＋的激发峰,且此峰的强度随着Ｇｄ３＋含量的增加而增大;同时位于１５０～１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大;而位于２００～３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电行迁移带的强度却随着Ｇｄ３＋含量的增加而降低。     

Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相,空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ＾３＋含的增加,在１９２ｎｍ附近,出现了Ｇｄ＾３＋的激发峰,且此峰的强度随着Ｇｄ＾３＋含量的增加而增在;同时位于１５０￣１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大;而位于２００￣３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电荷迁移     

光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

阴极射线激发下ZnO薄膜室温紫外发光的超线性增长规律

研究了直接溅射ＺｎＯ薄膜在阴极射线激发下紫外光（约３９０ｎｍ）和绿光（约５２０ｎｍ）的发光与激发电子束电流密度的关系。随激发电流密度增加绿光相对下降，紫外光相对增强，使得ＺｎＯ薄膜的发光颜色从绿变蓝紫，ＺｎＯ薄膜绿光随电子束流密度的增长呈亚线性增长，并在不高的束流密度下达到饱和，而紫外发光随电子束流密度呈超线性增长，这是ＺｎＯ薄膜在室温阴极射线激发下紫外受激发光的迹象，是高密度激发下的一种超辐射受     

氢吸附对掺杂SnO2薄膜电子结构的影响

应用ＸＰＳ技术研究了掺杂ＳｎＯ２薄膜吸附Ｈ２前后电子结构的变化，观测到掺杂到Ｓｂ和Ｐｄ化学状态明显改变，发现掺杂剂Ｓｂ对ＳｎＯ２薄膜Ｆｅｍｉ能级的影响；同时，分析了掺杂Ｓｂ和Ｐｄ对ＳｎＯ２薄膜气敏特性的影响机制。     

SHOCK COMPRESSION BEHAVIOR OF BROMOFORM

ＳＨＯＣＫＣＯＭＰＲＥＳＳＩＯＮＢＥＨＡＶＩＯＲＯＦＢＲＯＭＯＦＯＲＭＰｅｎｇＳｈａｎｇｑｉａｎｇａ，ｂ，ｃＪｉｎｇＦｕｑｉａｎａ，ｂＨｕＪｉｎｂｉａｏａ，ｂＧｏｕＱｉｎｇｑｕａｎｂａ．ＬａｂｆｏｒＳｈｏｃｋＷａｖｅａｎｄＤｅｔｏｎａｔｉｏｎＰｈｙ...     

激波管中H_2─O_2爆轰产物辐射光谱的实验研究

本文采用Ｐｌａｒｏｉｄ６６７高速感光底片和大型石英棱镜摄谱仪，首次成功地拍摄到３０００～６４５０范围内激波管中Ｈ２─Ｏ２爆轰及杂质光谱。经识别确认出以下谱线和谱带：ＯＨ（０，０）、ＯＨ（０，１）和Ｏ１Ｓｃｈｕｍａｎｎ—Ｒｕｎｇｅ分子谱带，管壁物质及管内附积物Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎａ的原子谱线以及管壁物质和管内附积物参与化学反应的中间产物的分子谱带系ＦｅＯ（黄带系）、ＣｒＯ（红黄带系）、ＣａＯＨ和Ｎａ２的无带头结构及ＡｌＯ（绿带系）。并对上述谱线和谱带的产生机理进行了分析和讨论。实验表明：在Ｈ２—Ｏ２爆轰中，Ｈ２对金属氧化物有较强的还原性。光谱分析还发现：Ｈ２—Ｏ２爆轰产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度与Ｈ２—Ｏ２火焰中产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度比较发生了反转。     

马尾松毛虫核型多角体病毒粒子的SERS谱研究

获得并研究了马尾松毛虫核型多角体病毒粒子在银胶中的表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ）谱。ＳＥＲＳ谱的增强特性与ｐＨ值有关，其ＳＥＲＳ谱在ｐＨ＝８时获得了最好的增强，该粒子是通过其衣壳蛋白的ＣＯＯ和ＮＨ２基因吸附的银表面上，色氨酸（Ｔｒｐ）和酪氨酸（Ｔｙｒ）残基侧链远离银表面，酰胺Ｉ和酰胺Ⅲ的光谱带在ＳＥＲＳ谱中未出现，增强机制以化学增强为主。     

低温下ZnSe－ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱．用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别．     

超声射流冷却SO2^—A2—^1A1激光诱导荧光激发谱

测得了３１５￣３３０ｎｍ超声射流冷却下ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱，获得了７个有明显Ｋ结构的Ｃ型跃迁的转动子带分辨谱，并将７０个转动子带归属为（１，ｍ，１）－（０，０，０）和（０，ｎ，１）－（０，０，０）（４≤ｍ≤７，８≤ｎ≤１０）的跃迁带系。光谱分析得到ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１跃迁的带源ｖ００、＾１Ａ２态弯曲振动频率ｖ′２，非谐性常数Ｘ２２′分别为（２７９５０±５）、（２     

低温基体隔离SO2a^～3B1态的时间分辨磷光光谱研究

采用脉冲紫外激光作激发光源，用时间分辨技术测定了ＳＯ２分子在低温Ａｒ，Ｎ２，ＣＯ基体离条件下的激光诱导发光光谱。研究结果表明，在低温基体隔离条件下，ＳＯ２激发至单重态后主要通过系间交叉跃迁ㄎ成ａ＾～３Ｂ１态，ａ＾～３Ｂ１态的生长时间约为２－３μｓ。从三态磷光光谱的谱带加宽和红称可以看出ＳＯ２和三种基体之间的相互作用大小为：ＣＯ基体＞Ｎ２基体＞Ａｒ基体；另外，从ＳＯ２系间交叉跃迁效率可以看出，在３５     

超声冷却SO_2(A~1A_2-X~1A_1)激光诱导荧光激发谱的转动分析

通过改变ＳＯ２／Ａｒ配比，研究了超声膨胀冷却ＳＯ２（Ａ１Ａ２—Ｘ１Ａ１）系统３１５—３３０ｎｍ波段振动分辨的激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱．获得了属于两个完整带系（１，ｍ，１），（０，ｎ，１）—（０，０，０）的高分辨转动结构谱．其中（ν′１，ν′２，ν′３）＝（０，９，１），（０，１０，１），（１，７，１），（１，５，１）带的转动结构，据我们所知是新观测到的．基于非对称陀螺模拟，对８４７条转动谱线进行了归属，得到Ａ态各振动能级的分子常量和离心畸变常量．获得Ａ１Ａ２态近似分子构型参数：ｒ（Ｓ—Ｏ）＝０１６０ｎｍ，∠ＯＳＯ＝１０１６４°．并对各振动态的惯量亏损进行了讨论．     

激波管中H2—O2爆轰产物辐射光谱的实验研究

本文采用Ｐｏｌａｒｏｉｄ６６７高速感光底片和大型石英棱镜摄谱仪，首次成功地拍摄到３０００Ａ～６４５０Ａ范围内激波管中Ｈ２－Ｏ２爆轰及杂质光谱。经识别确认出以下谱线和谱带：ＯＨ（０，０）、ＯＨ（０，１）和Ｏ２Ｓｃｈｕｍａｎｎ－Ｒｕｎｇｅ分子谱带，管壁物质及管内附积物Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎａ的原子谱线以及管壁物质和管内附积物参与化学反应的中间产物的分子谱带系ＦｅＯ（黄带系）、ＣｒＯ（红黄带系     

金胶体系光吸收谱的研究

金胶体系光吸收谱的研究方炎，王玉贤，陈金昌（首都师范大学实验中心，化学系，物理系北京１０００３７）ＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｔｕｄｙｏｆＡｕｓｏｌａｎｄＡｄｓｏｒｂａｔｅ－ＡｕＳｏｌ￥ＦａｎｇＹａｎ；ＷａｎｇＹｕｘｉａｎａｎｄＣｈｅｎ...     

掺杂SnO2气敏特性的量子化学研究

本文用ＣＮＤＯ／２方法讨论了经Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ掺杂杂后的ＳｎＯ２对ＣＯ，Ｈ２，ＣＨ４的可能吸附方式，并讨论了ＳｎＯ２的表面吸附以及掺杂剂对气敏电子输运过程的作用，表明Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ的作用在于提供或接收载流子，并以５Ｓ，５ｐ轨道为主要的输运通道。     

SERS活性体系中光吸收带电磁和化学增强机制归属的认证研究

ＳＥＲＳ活性体系中光吸收带电磁和化学增强机制归属的认证研究方炎王四海（首都师范大学综合技术研究所，北京１０００３７）ＡｓｓｉｇｎｍｅｎｔｏｆＥＭａｎｄＣＴＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｓｏｎＯｐｔｉｃａｌＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＣｏｌｏｉｄａｌ...     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。