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随着特征尺寸的不断减小,MOS器件已经能够在900MHz-2.5GHz这个频段工作。本文介绍了一个采用0.5μm CMOS工艺实现的用于GPS接收机的单片低噪声放大器,在信号频率为1.575GHz时,信号放大增益为19dB,噪声系数(NF)为6dB,功耗为12mW。 相似文献
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采用0.18μmCMOS工艺设计并制造了一款新型的应用于无线局域网的双频段低噪声放大器。设计中,通过切换输入电感和负载电感,来使电路分别工作在2.4GHz和5.2GHz频段。在1.8V的电源电压下,在2.4GHz和5.2GHz两个频段上,其增益分别达到了11.5dB和10.2dB,噪声系数分别是3dB和5.1dB。芯片总面积是0.9mm×0.65mm。 相似文献
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设计了一种应用于宽带(0.8~3.0GHz)接收机的低电压低功耗低噪声放大器。该放大器以折叠的共源共栅结构为基础,采用噪声抵消结构,通过两条并联的等增益支路来抵消匹配器件在输出端所产生的噪声,实现输入阻抗匹配和噪声优化。电路采用0.18μm CMOS工艺,利用Cadence软件进行设计和仿真。结果表明,该低噪声放大器在0.8~3.0GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于3.2dB,电压增益(S21)在17.6~18.5dB之间,S11小于-12dB,S22小于-20dB,在0.8V电源电压下,功耗为9.7mW,版图面积为0.18mm2。 相似文献
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本文给出一种应用于无线传感器网络射频前端低噪声放大器的设计,采用SMIC0.18μmCMOS工艺模型。在CadenceSpectre仿真环境下的仿真结果表明:该低噪声放大器满足射频前端的系统要求,在2.45GHz的中心频率下增益可调,高增益时,噪声系数为2.9dB,输入P1dB压缩点为-19.8dBm,增益为20.5dB;中增益时,噪声系数为3.6dB,输入P1dB压缩点为-15.8dBm,增益为12.5dB;低增益时,噪声系数为6.0dB,输入P1dB压缩点为-16.4dB,增益为2.2dB。电路的输入输出匹配良好,在电源电压1.8V条件下,工作电流约为6mA。 相似文献
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几种低噪声前置放大电路及应用 总被引:1,自引:1,他引:0
在音频放音系统中,音频前置放大器是必不可少的重要设备之一。由于磁头、传声器等输出的信号是很微弱的,用此信号直接推动功率放大器是不可能的。因此,需要有一个放大器放大来自磁头、传声器等的微弱信号,即需要一个音频前置放大器。在设计音频前置放大器时,考虑到这部分电路是增益很高的小信号放大电路,在放大信 相似文献
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基于射频CMOS集成电路技术, 设计出用于无线通信系统的CMOS低噪声放大器.对影响其增益、噪声系数的阻抗匹配进行了分析.采用TSMC的0.35 μm射频工艺库,在ADS仿真平台上对低噪声放大器电路进行了仿真.其中,低噪声放大器设计成差分结构,提供了13 dB增益、-10 dBm IIP3、-13 dBm P1dB、1.9 dB的噪声系数和55 mW的功耗. 相似文献
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适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器.放大器使用噪声性能优良的SiGeHBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹配的耦合,输入匹配电路采用单通道串并联LC电路,计算串并联电感和电容值,可以在两个工作频点发生谐振.输出端通过调整负载阻抗到50Ω,采用简单的电路实现功率输出.ADS的仿真结果表明,本文设计的低噪声放大器在800MHz和1.8 GHz两个工作频段的S21分别达到了24.3 dB和21.3 dB,S11均达到了-13 dB,S22均在-27dB以下,两个频段的噪声系数分别为3.3 dB和2.0 dB. 相似文献
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本文给出一种基于TSMC 0. 18μm RF CMOS工艺、应用于无线传感器网络2.4GHz的低功耗低噪声放大器设计。本设计采用两级级联的交叉耦合共栅结构,第一级共栅级采用电容交叉耦合技术以降低电路功耗的同时提高电路增益、降低电路噪声。第二级共栅级采用正反馈交叉耦合技术以提供一个负阻抵消负载电感的寄生电阻,提高电感等效Q值,进一步提高增益。为了达到足够的增益,作者设计了一款片上差分电感作为负载,对其进行了电磁场仿真,建立了双π模型并进行了流片验证。该低噪声放大器经过流片,测试结果显示:高增益工作情况下,其增益S21为16.8dB,低增益工作情况下为1dB。高增益工作情况下,其噪声系数为3.6dB;低增益工作情况下,电路的输入1dB压缩点为-8dBm,IIP3为2dBm。该低噪声放大器在1.8V电源电压下,工作电流约为1.2mA。 相似文献
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介绍了 0 .5~ 1 .0 GHz微波微封装低噪声场效应管放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 Serenade软件进行了 CAD设计。主要指标为 :工作频率 0 .5~ 1 .0 GHz,增益≥ 2 5 d B,增益平坦度≤± 0 .5 d B,驻波比≤ 2 .0∶ 1 ,噪声系数≤ 1 .0 d B,封装形式 TO- 8F。 相似文献
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文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm×13 mm,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信,电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试,该产品性价比高,完全达到了设计要求。 相似文献
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介绍了一种基于0.18-um CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3.1~10.6GHz的频带范围内对它仿真获得如下结果:最高增益12dB;增益波动小于2dB;输入端口反射系数S11小于-10dB;输出端口反射系数S22小于-15dB;噪声系数NF小于4.6dB。采用1.5V电源供电,功耗为10.5mW。与近期公开发表的超宽带低噪声放大器仿真结果相比较,本电路结构具有工作带宽大、功耗低、输入匹配电路简单的优点。 相似文献
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与单端结构相比平衡式放大器具有更好的输入、输出回波损耗,更低的噪声系数,同时1dB压缩点提高3dB,IM3提高6dB,动态范围增加一倍。本文中,每一个单端放大器采用四级级联的方式以在宽频带范围内获得高增益。在59~64GHz范围内,平衡式放大器的小信号增益>20dB;输入、输出回波损耗均<-12dB;60GHz处,输出1dB压缩点达到10.5dBm;噪声系数的仿真结果<3.9dB。芯片采用0.15μm GaAs pHEMT实现,面积为2.25mm×1.7mm。 相似文献