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利用X射线形貌术方法研究了含氢硅单晶中氢致缺陷的分布。将原生晶棒从内部切开,观察到在切口暴露表面附近,热处理后产生的氢致缺陷的密度与尺寸与内部未暴露部分相同,而不同于薄片退火的情况,对此结果作了简要的讨论。
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钒合金作为聚变堆候选材料, 其辐照损伤行为一直是关注的重点. 研究辐照时形成的位错环的性质, 其意义在于揭示纯钒中辐照空洞的长大机理. 这种机理表现为不同类型位错环对点缺陷吸收的偏压不同, 从而影响金属的辐照肿胀. 本文利用加速器对纯钒薄膜样品进行氢离子辐照, 然后, 利用透射电镜的inside-outside方法分析氢离子辐照所形成的位错环的类型. 结果表明, 在氢离子辐照纯钒中没有发现柏氏矢量b=<110>的位错环, 只有柏氏矢量b=1/2<111>和b=<110>的位错环, 这两种位错环的惯性面处于{110}-{112}之间. 能确定性质的位错环全部为间隙型位错环, 未发现空位型位错环. 相似文献
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本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究和分析。首先,根据空位的引入和迁移模型,从理论上计算出In和P单空位的引入率和消失温度,经与实验结果比较,鉴别出室温电子辐照后InP中主要的缺陷是以络合结构的形式存在的。文中还推导了连续界面态与DLTS信号的关系式。很据这一关系式,经计算机运算,证实辐照前InPDLTS谱中的某一个宽峰是由界面电子的发射和俘获所引起。从实验还发现,经电子辐照后该峰明显变小,反映了界面态密度的降低,结
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本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分
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用正电子湮没寿命测量研究了在3.2×1017cm-2和3.6×1016cm-2质子辐照硅单晶中的正电子捕获,观测到辐照诱导的捕获正电子的缺陷主要是双空位,辐照过程中高剂量样品的双空位基本上都捕获了氢,低剂量样品还有一小部分未捕获氢,在高剂量样品的两轮和低剂量样品的第一轮升温测量中都观测到双空位进一步捕获氢,含氢双空位的荷电态随温度升高在145K附近发生由负荷电向中性转变,它的负荷电态正电子寿命比中性态正电子寿命长,无论
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采用磁控溅射法制备了Zr-Mo膜,随后在低能静电加速器上分别采用剂量为2.80×1017~1.12×1018ions·cm-2的He+、H+离子辐照Zr-Mo膜,利用光学透镜、扫描电镜、原子力显微镜和X射线衍射研究He+、H+离子协同注入效应对Zr-Mo膜微观结构的影响。实验结果表明:原始Zr-Mo膜表层晶粒清晰可见,尺寸约为200nm;辐照效应可导致Zr-Mo膜表层产生微观损伤区域,在注He+基础上注H+导致Zr-Mo膜出现更为严重的损伤现象;离子注入的表面溅射效应可使膜面晶粒边界逐渐刻蚀退让,导致膜面更加光滑、细致;He+、H+离子协同注入可使Zr-Mo膜晶格发生畸变,注入期间未使Zr-Mo膜发生吸H相变生成氢化物。 相似文献
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本文先后用光致发光、核磁共振和电子自旋共振研究了单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的性质。光致发光谱表明硅氢键引起了大量非辐射中心。观测和探讨了电子自旋共振测量与样品平均厚度的关系。本文克服了真空热处理中氢从表面扩散的困难,并避免了样品平均厚度大于1.00mm和小于0.85mm给电子自旋共振带来的困难,测得分别在纯氢气氛和氩气氛生长的单晶硅每立方厘米电子自旋数。对比二者,我们估算出氢的数量为4×1016/cm3,而硅氢键分离激活能约为0.1eV。前者与文献[6]和[10]符合得很好,后者比文献[11]测定的沉淀激活能低一个数量级。
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利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为Ec=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。
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利用有限元法对勾形磁场环境下硅单晶Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,磁场强度范围为(0~2.0)T.结果表明:勾形磁场可有效抑制熔体内的流动;随着磁场强度增加,熔体内对流逐渐减弱,加热器功率增大,结晶界面温度梯度在磁场强度为0.05T时略有降低,之后增加;结晶界面形状在磁场强度为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦;同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主;结晶界面平均氧浓度随磁场强度的增加而逐渐降低,当磁场强度高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升. 相似文献