非晶硅太阳能电池

自从人类发明机器以来,人们就一直在寻找能够“既要马儿跑,又不要马吃草”的机器。为实现“永动机”美梦,不知耗费了多少“发明家”的心血。终因违背客观规律而不能实现。经过许多的教训,人们慢慢清醒了,与其去寻找不可能实现的“永动机”,不如去     

非晶硅太阳能电池

<正> 太阳能电池是将太阳能直接变成电能的光电器件,是一种无污染的绿色电源。它除了在牧区、林区、油田、地质勘探中用作电站外,也应用于在航天、汽车及交通管理(如高速公路标志、航标灯等)等领域,并且已进入家庭(如太阳能收音机、太阳能计算器、太阳能风帽等),使生活更舒适、方便。本文介绍非晶硅太阳能电池的基本结构、性能及选购常识。     

非晶硅太阳能电池的应用

<正> 太阳能是最洁净的能源,它无任何污染和公害,并且取之不尽,用之不竭,有着十分广阔的应用领域。它的开发和应用为人们的生活带来了很大方便。 工作原理 非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池。它是可把光能直接转换成电能的半导体器件,具有以下特点:(1)     

非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述，其中介绍了一种新型的刻划成图工艺，即等离子CVM，简单回顾了非晶硅太阳池的历史发展，分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题，提出了其发展的方向，其中，主要论述了叠层非晶硅太阳电池，并介绍了几种新型的非晶硅电池，最后，概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

小面积高效率非晶硅单结太阳能电池

本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm~2面积上达到11.19％(AM1.5,100mW/cm~1).     

非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述,其中介绍了一种新型的刻划成图工艺,即等离子CVM,简单回顾了非晶硅太阳电池的历史发展,分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题,提出了其发展的方向,其中,主要论述了叠层非晶硅太阳电池,并介绍了几种新型的非晶硅电池.最后,概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

激光专用机在非晶硅太阳能电池制备中的应用

本文详细讨论了大面积实用型非晶硅太阳能电池制备中激光刻蚀专用机的作用及对该机的技术要求.研究结果表明,采用10瓦YAG激光器并配以微机控制的x-y大型载物台,可用于20cm×20cm非晶硅太阳能电池的研究,已制出10cm×10cm转换效率可达8.55%的电池.     

能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池

本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面的研究结果。电池采用的结构为Glass/SnO_2/Pin/Ag,其能量转换效率在1cm~2面积上达到10.2％(AM1.5,100mW/cm~2),在0.126cm~2面积上达到11.1％。     

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应：PIN型非晶硅太阳能电池稳…

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，载流子俘获效应所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区的出现，使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。     

NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能.     

非晶硅太阳电池及其在通信中的应用

介绍了非晶硅太阳电池的发电原理、概况及生产工艺流程;论述了非晶硅太阳电池在现代通信工程设计中的配套应用问题及经济分析,并举例说明。     

效率为8.55%的100cm~2单结集成型非晶硅太阳电池的研究

本文报道了一种以分室连续沉积技术,在具有实用价值尺寸上制作的单结集成型非晶硅太阳电池。并扼要地介绍了研究中的几个关键问题,最后给出一些电池的典型参数和输出特性曲线。     

太阳能电池的种类

介绍了太阳能电池的种类,并重点对单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜太阳能电池的制备和结构特点进行了介绍。     

光陷阱在晶硅太阳电池中的应用

为了提高太阳能电池的转换效率和降低成本，采用光陷阱是一种很有效的方法，如多孔硅可使入射光的反射率减小到5％左右。对实验室和国外几种实用性很强的光陷阱结构，如金字塔绒面、多孔硅、压花法、溶胶-凝胶等及其制作方法进行了综述。     

弱光非晶硅太阳电池的研制

讨论了弱光下影响非晶硅太阳电池性能的主要因素,指出要提高弱光下太阳电池开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻.用辉光放电法顺序沉积p, i, n三层非晶硅,制作出了弱光非晶硅太阳电池,在200lx白荧光灯照射下,其单位面积最大输出功率达7.76μW/cm2.     

硅光电池的激光损伤机制

研究了激光对硅光电池的损伤，实验表明，损伤前后的饱和开路电压相等，损伤程度取决于损伤面积，损伤后伏安曲线变得平直，说明文献［１］提出的锑化钢光伏型探测器激光损伤的并联电阻模型有普遍意义。实验还发现激光损伤将导致反向击穿电压降低。     

The Characteristics of a Hydrogenated Amorphous Silicon Semitransparent Solar Cell When Applying n/i Buffer Layers

In this work, buffer layers with various conditions are inserted at an n/i interface in hydrogenated amorphous silicon semitransparent solar cells. It is observed that the performance of a solar cell strongly depends on the arrangement and thickness of the buffer layer. When arranging buffer layers with various bandgaps in ascending order from the intrinsic layer to the n layer, a relatively high open circuit voltage and short circuit current are observed. In addition, the fill factors are improved, owing to an enhanced shunt resistance under every instance of the introduced n/i buffer layers. Among the various conditions during the arrangement of the buffer layers, a reverse V shape of the energy bandgap is found to be the most effective for high efficiency, which also exhibits intermediate transmittance among all samples. This is an inspiring result, enabling an independent control of the conversion efficiency and transmittance.     

Stability of an Amorphous Silicon Oscillator

An RC oscillator using amorphous silicon thin film transistors was developed. The oscillation frequency and its dependence on resistance and bias voltage were studied. The frequency was controlled by adjusting the feedback resistance of the oscillator. The highest measured frequency of the oscillator was around 140 kHz, which is acceptable for low‐end radio frequency identification (RFID). Since a low‐end RFID circuit needs low cost and a simple process, an amorphous silicon oscillator is suitable.     

Optical Absorption Enhancement Effects of Silver Nanodisk Arrays in the Application of Silicon Solar Cell

Surface plasmon resonance of noble metal nanoparticles leads to the optical absorption enhancement effects,which have great potential applications in solar cell.By using the general numerical method of discrete dipole approximation(DDA),we study the absorption and scattering properties of two-dimensional square silver nanodisks(2D SSN)arrays on the single crystal silicon solar ceil.Based on the effective reflective index model of the single crystal silicon solar ceil,we investigate the optical enhancement absorption of light energy by varying the light incident direction,particle size,aspect ratio,and interparticle spacing of the silver nanodisks.The peak values and position of the optical extinction spectra of the 2D square arrays of noble metal nanodisks are obtained with the different array structures.