用X射线旋进照相观察Bi_（2＋x）Sr_（2－x）CuO_y晶体的调制结构

本文中我们用Ｘ射线旋进照相观察了Ｂｉ２＋ｘＳｒ２－ｘＣｕＯｙ的晶体调制结构．实验结果表明ｘ＝０．２的单晶样品具有单斜对称性，其空间群为Ｂ２／ｂ（或Ｂｂ）．随着ｘ的增加，单斜畸变减小．我们测量了调制波矢随名义组成的变化规律，讨论了调制波矢在第一布里渊区的对称性质．对调制结构提出了几种可能的有公度模型．最后讨论了调制结构对超导电性的影响．     

Bi系高温氧化物超导体CuO2面内Cu-O键伸缩振动的分析

测试了一系列Ｂｉ系高温氧化物超导体的红外吸收谱，分析了Ｂｉ系超导样品ＣｕＯ２面内Ｃｕ－Ｏ键的伸缩振动与样品超电性的联系。结果表明，ＣｕＯ２面内Ｃｕ－Ｏ伸缩振动吸收峰强度的变化与样品零电阻的变化一致，其原因与微观结构内部声子与载流子的相互作用密切相关。其次，根据分子振动理论，采用简化模型计算了Ｂｉ系超导体ＣｕＯ２面内Ｃｕ－Ｏ振支频率     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

不同退火条件对(Hg,Tl)-1223热电势率的影响

我们测量了Ｈｇ０９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热电势率与温度的关系，并着重研究了不同退火条件对其超导电性及热电势率的影响．结果表明：室温热电势率Ｓ（２９０Ｋ）与ＣｕＯ２平面的空穴浓度ｐ及超导转变温度Ｔｃ的关系，与Ｊ．Ｌ．Ｔａｌｏｎ等人对Ｙ系、Ｂｉ系及Ｔｌ系高温超导材料给出的结果一致．因此热电势率可提供高温超导材料内空穴浓度ｐ的信息．     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．     

Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2—x（Nd0.75Ce0.25）xCu3Oy体系的相结构及超导电性

本通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究。该体系中，在８１０－８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｃ随着ｘ增加而降低。研究了在７５０－８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９－２１Ｋ。这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致。     

Bi2201体系中Raman散射、微结构和输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电子衍射,Ｒａｍａｎ散射和电阻率等手段对多晶样品Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯｙ,Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ１．６＋ｘＬａ０．４－ｘＣｕ１－ｘＦｅｘＯｙ的结构和性能进行了研究。结果表明：Ｂｉ２２０１体系的调制特征与客外氧的多少无关,６２５ｃｍ＾－１附近的Ｒａｍａｎ峰受‘电荷转移’效应和调制结构变化的显著影响,晶体的微结构变化强烈影响体系的超电性和输运性质。     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应

用Ｘ－射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的氟掺杂效应。在Ｂｉ２２２３样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂，样品的超导转变温度升高而晶格参量ｃ减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小，说明氟没有占据Ｃｕ－Ｏ２面中氧的位置。它们可能占据Ｃｕ－Ｏ２面之间的其它原子层的位置，这样，会改善Ｃｕ－Ｏ２面间的藕合进而提高Ｔｃ和保持比热反常幅度。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶Bi－O面的低温STM研究

本文描述了我们新研制的低温扫描隧道显微镜（ＬＴ－ＳＴＭ）的结构和性能，以及利用此ＬＴ－ＳＴＭ在７７Ｋ下对处于超导态的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏ８单晶Ｂｉ－Ｏ面所作的原子分辨的观察的结果．这些新结果表明Ｂｉ原子在ａｈ面上的投影形成四方格子，只有很小的水平面内的位置调制．本工作的一个最有趣之点是，与文献报道的一维无公度调制结构不同，我们观察到一种完全来源于Ｂｉ原子位置在ｃ方向上的起伏而形成的表面的二维调制结构．     

掺Ba的2201相的结构与性能的关系

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的T_c，但当ｘ≥０．３时，其T_c迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ^２＋对Ｓｒ^２＋的同价元素的替代加剧了 关键词：     

Bi_（1．6）Pb_（0．4）Sr_2Ca_（2－x）（Nd_（0．75）Ce

本文通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究．该体系中，在８１０—８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｅ随着ｘ增加而降低．研究了在７５０－８２０℃烧结样品的超导电性与组成的关系．ｘ＝１．６—２．０，在７５０—８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９—２１Ｋ．这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致．     

Al局域替代La1.85Sr0.15CuO4中的Cu引起的电子结构变化

本用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究Ａｌ局域替代Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４中的Ｃｕ引起的电子结构变化。认为Ａｌ替代后使得ＣｕＯ２面空穴载流子浓度减少，这对超导电性有相当破坏作用；此外，因掺杂而诱导出的有效磁矩也对超导电性起部分破坏作用。     

Bi系高温超导体CuO2面外Cu-O键伸缩振动的理论分析

根据分子振动理论,采用简化模型分析了Ｂｉ系高温超导体ＣｕＯ２面外Ｃｕ－Ｏ键伸缩振动的振动模式,计算了振动频率,并将结果与实验分析结果进行了比较。     

掺Ba的Bi—sr—Cu—O的单晶Raman散射研究

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ体的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ＾－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ＾－１的特征峰的强度随着Ｂａ掺杂量的增加而增加。在早期的工作中，我们曾经研究过Ｂａ的掺杂对Ｂｉ２２０１相     

X射线衍射研究Bi_2Sr_（2－y）M_yCuO_（6＋δ）（M＝La，Pr）

作者报道了用Ｘ射线衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝Ｌａ，Ｐｒ，０．０≤ｙ≤１．０）系列单晶样品进行结构研究的结果．根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域．第一个区域的掺闭量在０．０≤ｙ≤０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋γ１ｃ．第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ≤０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋ｃ．第三掺杂区的掺镧量在０．６０＜ｙ≤１．０之间，晶体的平均结构转变为另一单斜结构，在这一区域有两类调制结构共存．第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似；第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化，调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一．对于Ｂｉ２（Ｓｒ１．２Ｌａ０．８）ＣｕＯ６＋δ单晶，其第二类调制波矢为ｑ２＝０．１２２ｂ＋０．４３ｃ．     

R＿（1－x）Pr＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）超导T＿c平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ＿（１－ｘ）Ｐｒ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导Ｔ＿ｃ与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ＿ｉ≤ｒ＿ｉ（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ＿ｃ平台，并且平台宽度表明一个Ｒ￣（３＋）离子尺寸效应。我们认为，Ｔ＿ｃ平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ￣（３＋）离子半径ｒ＿（ｉｃ），ｒ＿ｉ＞ｒ＿（ｉｃ）时ＲＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导电性消失     

高T_c氧化物体系的相关系和晶体结构

本文综述了Ｒ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｔ１－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ ＃系，Ｔ１－Ｓｒ－Ｃａ－Ｒ－Ｃｕ－Ｏ体系以及Ｐｂ－Ｓｒ－Ｒ（Ｃａ）Ｃｕ－Ｏ体系超导相的相关系和晶体结构，并讨论了超导相的结构特点和它们之间的相互关系．     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

（Bi,Pb）2Sr2（R,Ce）2Cu2O10＋δ超导体碘嵌入后结构和Tc变化研究

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个ｃ轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降。与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶合对超导性产生并不重要。