两等量同号点电荷中垂线上场强的极大点

两等量点电荷连线的中点的场强为零，中垂线上无限远处的场强也为零，中垂线上其他点的场强不为零且是连续变化的，所以，中垂线上有个场强最大值的点．     

探究几种均匀带电体的场强及最大值

利用多种方法推导了均匀带电的圆环线、圆环面和圆形面在轴线上一点的场强公式，探究了场强取最大值的条件以及场强的变化规律是否具有相似性。     

用高斯定理计算无限大平板间电场强度

高斯定理是大学物理电学部分的重要知识,运用高斯定理可以求解对称的场强。无限大带电平板的场强,无限大平板间充满均匀电荷的场强,无限大平板间充满非均匀电荷的场强这些特殊的场强均可以通过高斯定理求解。     

正多边形带电框、带电面轴线上的场强分布

场强积分是计算带电体场强分布的基本方法，通用教材上介绍了简单形状带电体（如均匀带电直线、圆环及圆面）场强的计算．但对于一般对称性的带电体情形并未提及．本文拟给出正多边形框及正多边形面轴线上的场强分布，并讨论了若干极限情形。取得了预期的结果．     

基于Truetime的GSM-R场强测试系统网络性能研究

采用交换式以太网技术设计GSM-R场强测试系统,以完成测试列车运行时速大于250公里时铁路沿线GSM-R场强分布情况,包括场强数据的采集、实时曲线显示、数据回放显示及后期分析;介绍了Truetime仿真工具箱的使用,包括Truetime内核模块、网络模块、ttSendMsg模块、ttGetMsg模块等,对GSM-R场强测试网络设计了一个模型来模拟GSM-R场强数据的传输,使用Tru-etime工具箱模拟分析了网络类型、数据传输速率、交换机缓存容量和网络丢包率对数据传输的影响,结果表明使用交换式以太网技术设计系统可以满足高速列车GSM-R场强测试的要求。     

Tesla变压器次级线圈电位分布

 为研究Tesla变压器锥形次级线圈的电位和电场分布问题,建立了非均匀参数双传输线模型,采用差分方法获得波动方程的数值解。计算结果表明：脉冲形成线充电过程中,最高场强点从次级线圈小半径端逐渐向大半径端移动;脉冲形成线快速放电后,次级线圈场强最大点位于大半径端部;脉冲形成线不能正常放电时,次级线圈最大场强点也位于大半径端部,此时场强达到最大值,约为平均场强的1.5倍。     

电荷投影法在研究无限长导体薄板电荷分布规律中的应用

利用无限长均匀带电圆柱面的电荷分布规律和无限长带电直线的场强公式,采用电荷投影法推导了有限宽无限长带电导体的面电荷分布规律.根据电势叠加原理推导了电势积分式,利用场强与电势之间的关系推导了电场强度两个分量的积分式.将公式无量纲化,通过数值积分计算了电势和场强的分量之值.通过作图,显示了有限宽无限长带电导体薄板的电势和场强,画出了二维等势线和电场线,充分显示了场强的分布规律.     

电子波经Mollenstedt双棱镜的传输

本文引入Mollenstedt双棱镜对电子波的传递函数,由Kirchhoff积分定理,推导出经双棱镜后电子波在观察平面上的场强分布。对平面波和球面波入射的情况,给出了场强分布的解析表达式,最后给出衍射场强分布的一些数值结果,讨论了场强分布与实验参量的关系。     

亥姆霍兹线圈磁场均匀范围的研究

推导了双环电流磁感应强度在直角坐标系中的解析式,将公式无量纲化,通过第一类和第二类完全椭圆积分计算场强的两个分量,从而计算合场强,画出亥姆霍兹线圈内外磁感应强度合场强曲面和三维均匀区域,发现磁场的均匀区域是"八爪"形状,并与双环电流不同距离的场强和均匀范围进行了比较.     

聚焦条件下的高斯波束矩形口径天线近场分析

 采用口径场法对聚焦条件下具有高斯波束的矩形口径天线近场进行了分析,得到了聚焦条件下的近场场强分布与近场增益解析式,并对不同的聚焦位置进行了仿真。结果表明：在近场区,聚焦位置离轴向越近,其场强越强,且增益越大,聚焦位置沿轴向时其场强与增益皆为最大;反之,聚焦位置离轴向越远,其近场场强与近场增益越小。因此,通过聚焦可以显著提高天线口径面场的近场场强与增益指标,从而提高天线系统的有效作用距离。     

无规结构全角高反一维光子晶体的场强分布

因一维光子晶体的许多应用由其场强分布特性所决定，本文研究了无规全角高反一维光子晶体场强分布的性质，结果表明在带隙内,两者的场强分布无明显差别,但在研究各种应用和器件关系最密切的带隙边缘, 周期结构的场强分布只有对称性的一种；无规结构光子晶体的谱带边缘电场分布特性则完全可按应用要求进行设计和控制，为光子晶体器件设计提供了全新的思路. 关键词： 光子晶体 无规结构 光子能隙 全角高反 场强分布     

局域椭圆偏振光束强聚焦性质的研究

数值计算了局域椭圆偏振光束强聚焦时在焦平面上的横向场强分布、纵向场强分布、横向能流以及纵向角动量分布.结果显示在焦平面上光束总的纵向角动量为零,但在不同象限光束具有不同方向的纵向角动量.当相位延迟角度在0到π之间变化时横向场强分布基本不变,但纵向场强分布有很明显的变化.液晶相位延迟器由外部电压控制,使其相位延迟角度能在0到π之间可以连续取值.因而液晶相位延迟器的外接电压可以实现对焦平面上的纵向场强以及纵向角动量的实时调控.     

利用叠加原理计算对称分布静电场场强

1 引言 工科物理中,求静电场场强通常有三种方法:场强叠加原理;高斯定理;利用场强与电势梯度关系.对电荷分布具有对称性特点的静电场,高斯定理是解决这类问题的首选.但是,其中有很多问题用叠加原理也不复杂.现举两个例子.     

加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究

 采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明：在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合。加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增幅与Mirza定性理论场强增幅的相对差别在5%以内。根据实验结果推导出了更为准确的水介质击穿场强随静压变化的关系式。对水介质加压,将压缩电极表面气泡,减少气泡数目,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力。     

叠加法求均匀带电球体电场问题

现有教材中计算均匀带电圆盘轴线电场强度公式,只得到场强大小,没有明确给出场点和圆盘的相对位置与场强方向之间的关系。若根据场强叠加的方法利用此公式计算均匀带电球体的场强分布,容易得到错误的结果。将符号函数引入均匀带电圆盘轴线上电场强度计算式,可以得到场强大小及相对于圆盘的方向,清楚而准确地给出均匀带电圆盘轴线电场强度。利用该公式再次求解均匀带电球体电场,结果与利用高斯定理得到的结果完全相符。     

两点电荷电场中场强的极值点与单调性

《物理通报》2010年第9期《两等量同号点电荷中垂线上场强的极大点》一文,通过逼近法找出了场强极大点.笔者认为虽然实践中可操作,但理论上不精确,而且不能反映场强变化的单调性.本文对几种电场的场强的极值点和单调性的判断进行了完整的数学推导,并用几何画板作图研究场强随空间位置的变化,使人们对单调性有直观感受.     

建筑物对不同体制电磁脉冲时域响应数值分析

 针对一般建筑物内空间电场强度时域变化特点,采用时域有限差分方法,数值模拟单极性高斯脉冲、双极性微分高斯脉冲以及窄带调制方波脉冲平面波在建筑物内传播、反射及透射过程;并对比分析不同脉冲参数对空间场强最大值及分布的影响。在一定脉冲宽度的微分高斯脉冲激励下,建筑物空间内最大场强变化范围值较高,为3．０~5.5 dB,其空间场强增强分布区域较大,并随脉宽增加而减小,但脉冲的最小重复频率相对要求最高。相应脉宽的高斯脉冲造成空间最大场强及分布区域范围最小,而脉冲的最小重复频率所需最低。当载频为房间谐振频率的窄带脉冲入射下,空间最大场强变化范围值相对最高,空间场强增强区域总体趋势随脉冲载频频率单调增加。     

波导中地质土层含水量的间接测量

用场强衰减法间接测定了地质土层含水量，探讨了地质土层含水量与相对场强的定标方法。     

斜置偶极子场强具体表达式的另一种求法

基于电偶极子场强的矢量表达式,应用坐标系转换关系,推导出斜置电偶极子场强在笛卡尔坐标系、球面坐标系和柱面坐标系中的具体表达式。     

非线性左右手媒质界面的Goos-Hänchen位移

 由均匀平面电磁波在左右手媒质界面满足的切向边界条件出发,推导了电磁波由线性传统媒质入射到非线性左手媒质时波的传播特性。利用时间延迟的方法,给出全反射情况下媒质界面非线性Goos-Hänchen位移表达式。分析了非线性左手媒质界面的侧向位移随入射角及入射波电场强度的变化关系,发现入射波场强对传输特性起决定作用:当入射波电场小于临界场强时,调节入射场强可以控制相应的侧向位移;当入射波电场大于临界场强时,不再满足全反射条件,部分入射波透射到非线性介质中。波导中加入非线性介质不仅可以调节侧向位移的大小,且可以实现对入射波场强的控制。