CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

接触电阻率测量方法的研究

对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述.     

非接触半绝缘SiC电阻率测试

半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视。其晶片电阻率的测试一直是一个难题。介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题。该方法利用电容充放电原理。首先对样品进行瞬时充电,再利用仪器实时检测放电过程中的总电量,从而得到其变化的弛豫曲线,之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间τ,最后利用弛豫时间τ计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率。实际测试时,先将晶片表面划分为若干等面积的小区域,再利用仪器逐个测试这些区域的电阻率,最后将所有电阻率的数据处理成一张电阻率分布图。该方法对半绝缘材料的研究工作具有积极的指导作用。     

单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。     

半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究

采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法对本实验室生长得到的2英寸(50 mm)4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试,结果发现数据的离散性大,低者低于测试系统下限105Ω.cm,高者高于其上限1012Ω.cm,甚至在同一晶片内会出现小于105Ω.cm,105~1012Ω.cm和大于1012Ω.cm的不同区域,而有的晶片则电阻率的均匀性较好。将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱(SIMS)对晶体内主要杂质V,B和N含量测试结果相结合,初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定,在深受主补偿浅施主模式下,V的浓度控制在2×1016~3×1017cm-3,N的浓度控制在1×1016cm-3左右,深受主钒充分补偿浅施主氮,制备得到的SiC单晶具有半绝缘性,且电阻率均匀性好。     

测量计算金属-半导体接触电阻率的方法

如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳.综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法.     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法

提出了一个判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的新方法－－环内圆形传输线模型外的支,样品制备简单,无需台面绝缘,测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响,由于结构的对称性,消除了侧向电流聚集效应,通过测试值的直线拟合消除了部分偶然误差,提高了精度。     

高纯半绝缘SiC电阻率影响因素

采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3。对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34″。结果表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和Al等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率。使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体。     

表面粗糙度的激光非接触检测方法

表面粗糙度的测量一直面临着提高测量精度、抗干扰能力和测量速度的挑战,针对这 一问题,本文重点介绍了几种比较完善的激光非接触测量方法的原理和优缺点,并分析了表面粗糙度测量技术的发展趋势。     

飞机表面划痕的非接触测量

介绍飞机表面划痕非接触测量的激光三角扫描法。在分析被测表面散、反射特性的基础上给出了激光三角测头正确放置方式和提出改善测量精度的测头姿态调整法和表面喷涂法。实验证明了上述方法的可行性。测量系统具有非接触测量、工作距离大、测量范围宽、精度高、结构简单、成本较低的特点。     

一种基于CCD的非接触尺寸测量系统

设计了一种基于CCD的非接触尺寸测量系统.运用亚像素边缘检测法对圆环进行边缘检测,完成对圆环的非接触尺寸测量.利用数据库实现对测量数据的存储管理及网络传输.通过实验证明:对圆环测量精度外径误差0.005 mm,内径误差0.001 mm,壁厚误差0.015 mm,整体绝对误差小于0.02 mm,相对误差小于0.07％,满足了工程高精度测量要求.本系统适合有危害性的工业现场环境,数据的存储管理功能也给实际应用带来很大便利.     

三氯氢硅本征电阻率(纯度)的测试方法

三氯氢硅(SiHCl3)作为硅外延片的关键原材料,其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种,除采用化学分析方法测试外,通常用生长不掺杂外延层(本征外延层)的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂,增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂,但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据,确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程,从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。     

微纳薄膜器件的电阻率精确测量方法

微纳级别的铝薄膜因宽度和厚度尺寸缩小其试件尺寸接近电极的最小间距、电极间的位置误差等因素的影响,导致电阻率四电极法在测量过程中产生较大的误差。通过对微纳级的导电薄膜的四电极测量法进行数学建模分析,建立了新的四电极测量法数学计算模型,提供精确的电阻率修正系数,并利用基于原子力显微镜的四电极电阻率测量技术精确测量了厚度为400 nm、宽度为30μm的铝薄膜的电阻率,且取不同的作用力重复实验。实验结果证明,基于修正后数学模型的微四电极技术对微纳级别薄膜的电阻率测量方面的准确性和稳定性。     

光学法表面形貌测量技术

随着纳米科技和信息技术的不断发展,表面形貌测量技术也在向着精度更高,速度更快,稳定性更好的方向发展。传统的接触式方法已经不能满足某些特定场合的测量需要,因此非接触光学方法的表面形貌测量技术已成为研究的热点。主要针对国内外表面形貌测量的光学法进行研究和讨论,并预测了未来发展的方向。     

基于氦氖激光折射法的矿物油温度分布非接触测试研究

在研究具有温度分布的流体流动特性过程中,如何避免测温装置对流体流动特性的干扰,是一个长期困扰流体特性研究者的课题。本文详细介绍了基于氦氖激光折射法的矿物油温度分布非接触测试基本原理,测试过程及测试结果,并对理论计算与实验测试结果进行了比对分析。研究结果表明,利用激光在具有温度分布的透明介质矿物油中的折射效应,可以有效地实现矿物油温度分布的非接触测量。     

基于测距传感器的WMPS非接触测量方法

为了解决现有的工作空间测量定位系统（WMPS）中柔性待测物表面形变及大尺寸测量空间内遮挡等问题,提出了一种基于测距传感器的非接触测量方法,并设计了基于该方法的测量靶。首先建立了该方法的测量模型,将测量靶抽象为若干个控制点和一个矢量;然后通过发射站的数学模型推导出了测量靶姿态迭代解算方法,并通过单位四元数估计法给出了该迭代算法的初值生成方法;最后采用自标定方法对测量靶进行了参量标定,并依托天津大学研制的WMPS系统进行了精度验证实验。结果表明,该测量靶的重复性测量精度为1mm,距离测量精度为2.5mm。该方法使得WMPS系统的测量范围扩大并保持了较高的空间3维坐标测量精度。