有光反馈的半导体激光器大信号SPICE电路模型

为了使半导体激光器的电路级模拟更容易，本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SPICE模型，并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究．     

半导体激光器等效电路模型及其参数提取

从半导体激光器的速率方程出发,讨论了DFB半导体激光器的等效模型以及模型中各个参数的提取方法.分析表明该等效电路模型可以与后端封装设计级联,从而得到端到端的仿真结果,有助于提升工程上光电模块的设计效率.     

有光反馈的半导体激光器大信号SPICE电路模型

为了使半导体激光器的电路级模拟更容易,本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SP CE模型,并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究.     

GaAsFET大信号等效电路参数提取

将新型算法—退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展了遗传算法的应用。     

高速半导体激光器等效参数的提取

本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响，制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件，测试了组件的频响特性，由此提取了器件的等效参数，讨论了改善国产器件性能的技术途径。     

SiGe HBT小信号等效电路的参数直接提取

提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效电路模型的参数直接提取方法.整个提取过程使用由小信号等效电路推导出的一系列解析表达式,不使用任何数值优化方法.参数提取结果使用ADS软件仿真验证.结果表明,该方法简单易行,较为精确.     

GaAsFET大信号模型与参数提取

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。     

HBT小信号等效电路参数解析提取

提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确提取到了具有物理意义的唯一的外部串联电阻值,并在精确提取非本征参数的基础上,直接提取本征参数。较大频率范围S参数的计算值与测量值有很好的吻合。     

用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题 .利用测量得到的栅电阻 ,计算结果的精度可以进一步提高 .这个算法同样也适用于 HBT、电容和电感等器件模型参数的提取     

用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数.采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数,得到了高质量的解.计算结果是全局最优解,摆脱了初始值的影响,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题.利用测量得到的栅电阻,计算结果的精度可以进一步提高.这个算法同样也适用于HBT、电容和电感等器件模型参数的提取.     

单模半导体激光器等效电路模型

介绍了单模半导体激光器的大信号、小信号及噪声等效电路模型，给出了确定模型参数的一般方法，并在ＰＳＰＩＣＥ中以电路宏模型的方式实现了激光器的大信号模型，对激光器小信号调频响应和大信号非线性失真特性进行了计算机时域模拟。     

外部光注入半导体激光器的大信号宏模型

本文给出了外部光注和半导体激光器（ＬＤ）的大信号非线性宏模型，使得对外部光注入ＬＤ的特性可以用通用电路分析软件进行分析，运用此模型对外部光注入ＬＤ的双稳和动态调制特性进行了分析，模型的分析结果与已报导的理论和实验基本一致。     

单模半导体激光器的非线性失真特性的电路模拟

本文提出了一种基于小信号等效电路的半导体激光器非线性电路模型，该模型使激光顺的调制响应和非线性特性以及其它相关电子电路的非线性特性可统一地通过通用电路分析软件来分析和计算。运用此模型对一单模激光器的二阶谐波与三阶交调失真特性进行了分析，结果与已报道的理论和实验结果一致。     

半导体激光器的SPICE模型

本文利用通用电路分析软件SPICE中的受控元件和器件模型建立了一个新的半导体激光器电路模型。这个模型,可以用来模拟激光器的非线性、瞬态响应、小信号频率响应、阻抗特性以及发射光功率与注入电流的关系等,它使得激光器和它的相关电子电路能够统一地用SPICE分析。计算机的模拟结果与已报道的理论和实验值相一致。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。     

半导体大光腔激光器列阵

本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵,介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想,制作工艺等.该器件阈值电流为2-4A,峰值功率为75-100瓦,是目前国内列阵器件的最高水平.     

基于等效电路模型的半导体激光器直流偏置分析

从传统的激光器速率方程出发,同时考虑芯片封装寄生参量和本征区接触参量的影响,得出一种双异质结半导体激光器的新型等效电路模型,在此模型基础上用电路仿真软件PSpice分析了直流偏置对激光器弛豫振荡、小信号频率响应、大信号脉冲响应的影响。