氖光电流效应中的反常信号与尾部小峰

本文采用无极射频光电流实验对目前在空阴极中所存在的一些有争议的同题进行讨论.发现在同样气压下射频光电流信号中不存在1S_2-2P_k的反常信号;尾部小峰在射频光电流信号中仍存在,证明与阴极无关.本文用双极扩散效应讨论了尾部小峰的出现规律.     

光电流效应

一、引言当气体放电管受到光的辐照时,若光的频率与放电的粒子(原子、分子或离子)的某两个能级之间的跃迁频率相等,则放电管的宏观电参量(电压、电阻或电流)就会发生变化。这就是“光电流效应”。光电流效应的研究是由Penning于1928年开始的。他用一支氖放电管去照射另一支氖放电管,观察到放电管两端电压的变化。但是由于那时缺少高强度光源和微弱信号检测仪器,光电流效应又比较微弱,没有受到足够的重视。直到六十年代,由于强度高、单色性好的激光器的出现,尤其是可调谐染     

激光光电流效应

当气体放电管受到光的辐照时,如果光的频率和参与放电的粒子（原子、分子或离子）的某两个能级之间的跃迁频率一致,则放电管的宏观电参数（电压、阻抗或电流）就会发生变化,这一效应称为“光电流效应”（即缩写为ＯＧＥ）．当激光器作为光源使用时,这一效应就称为“激光感生的光电流效应”,简称“激光光电流效应”．光电流效应早在五十多年以前就已经被Ｐｅｎｎｉｎｇ发现了,他当时用一支氖放电管去照射另一支氖?...     

空间分辨的光电流效应

本文给出了CO放电正柱区空间分辨的光电流效应理论。由此给出了利用光电流效应测量放电正柱区电子密度(或增益)空间分布的新方法。     

氖原子若干谱线光电流信号正负特性的研究

认为在光电流信号中存在彼此竞争的正负两种效应。亚稳态在其中起着重要作用。从实验上和理论上对氖的某些谱线的光电流信号特性作了具体分析。     

脉冲光电流效应的机理研究

本文介绍一种用于脉冲激光激励空心阴极放电光电流效应的改进的表象理论,它以原子的能级集居数及电子密度变化的速率方程为基础,考虑到放电管内电子运动及电流回路方程获得了一组方程。该方程组很好地解决了脉冲光电流信号随电流、电压及激光光强的变化关系及时间特性(这一理沦提出了利用脉冲光电流效应测量某些低压气体等离子体参数的可能性)。     

HCD中氩离子的光电流效应

本文报道了利用Ar~+激光器和HCD灯进行的ArⅡ光电流效应的实验研究。给出了496.5nm,476.5nm,514.5nm光电流效应的实验数据。考虑到离子的电离和复合等过程的竞争效应,提出了一个简化的模型,很好地解释了实验结果。提出了利用离子光电流效应研究某些气体放电等离子体参数的可能性。     

射频离子阱中氖离子的电荷转移

本文报导的是存在射频离子阱中的氖离子与氖气的电荷转换率的测量，其结果好于Ｐｅｎｎｉｎｇ阱。     

用脉冲光电流效应探测多光子过程

本文报导用脉冲光电流效应观察发生在直流放电的商品Na/Ne和Nd/Ne空心阴极放申灯中的Ne和Na的一些双光子过程,指出不少多光子过程都可以用这种方法来探测。     

瞬态光电流对有机薄膜光伏器件中肖特基接触的研究

制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流--电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向很难判定.为了研究有机半导体和电极的肖特基接触特性,分别制备了结构为ITO/有机绝缘层/有机半导体/金属和ITO/有机半导体/有机绝缘层/金属的器件,通过调制激光照射下器件的瞬态光电流方向可容易判断有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向,外加偏压下瞬态光电流的强度变化进一步证实了判断的正确性.     

多原子分子的激光光电流效应和光谱

本文报导用CO_2选频激光器对CH_3Cl、CH_3OH、C_2H_5OH、C_2H_3Cl、C_2H_4、NH_3六种分子的光电流效应和光谱所做的研究.发现它们有很强的光电流效应.研究了放电管的V-I特性曲线和放电弛豫在光电流效应中的作用:初步讨论了这种效应的机构.实验结果还表明,红外区的激光光电流光谱术可以作为一种高分辨率光谱分析手段.     

瞬态多普勒效应的观测

关于多普勒效应的实验研究已有不少文章发表,但其内容多限于声源与接收器间处于稳定的相对运动状态,即匀速运动。这时多普勒效应产生的频移或多普勒信号频率也是稳定的,观察和测量都比较易于实现。但     

利用脉冲光电流效应测量相对gf数的研究

本文通过理论分析给出了脉冲光电流信号峰值与激励激光光强之间的定量关系.利用这一定量关系可以在放电管内能级集居数偏离Boltzmann分布及能级具有异常电离率的情况下利用光电流效应测定原子跃迁的相对gf数.用Nθ空阴极放电灯进行的判断实验测量的结果证实了这一方法的可行性.     

射频感应耦合低压等离子体特性分析

采用光谱诊断法和Langmuir单探针法对射频感应耦合Ar气等离子体特性进行分析。通过光栅光谱仪研究了低气压下Ar气等离子体的光谱强度的变化特性,采用Langmuir单探针法测量不同条件下电子密度和电子温度。等离子体发射光谱的光谱强度随着气压和功率的增加而增强,射频功率对光谱强度的影响较明显。当功率从120W增加到180W时,光谱强度将会迅速增加,等离子体发生E模向H模的模式转换。Langmuir单探针法测量的电子密度和电子温度在的变化规律符合E模向H模转换的变化规律。     

光电流光谱学理论

本文用四能级原子模型,以速率方程的方法,求出了光电流光谱的函数关系,它可用来计算光电流随激光的频率和强度以及放电管电流等物理量的变化。从理论关系上指出,如何运用光电流光谱,测量原子的能级、寿命以及振子强度等参量。     

热晕瞬态效应的数值模拟

根据瞬态四维（４Ｄ）热晕程序，研究了激光大气传输中热晕瞬变效应及如何过渡到等压近似下的热晕状态，并与等压近似下４Ｄ热晕程序计算结果作了对比，在大约四倍流体力学时间，瞬态４Ｄ热晕程序计算结果逼近等压近似下的结果；另外，还作了相位补偿计算，对光强每平方厘米几千瓦的情况，在理想的自适应光学系统动力学条件下，瞬变阶段的热畸变能相当有效地实时补偿。     

瞬态类氖铁x射线激光抽运脉冲结构的优化计算

利用一维拉格朗日流体动力学模拟程序对由纳秒预脉冲和皮秒主脉冲相结合而成的抽运脉冲组合,产生瞬态类氖铁x射线激光(255nm,3p→3s,J=0→1)的过程进行了优化计算.通过对抽运脉冲组合的强度、宽度、脉冲间隔等参数的优化计算,得到了在预脉冲将靶物质充分电离到类氖离化态的前提下(类氖离子丰度>80%),在主预脉冲峰值之间的脉冲间隔为零时,产生有效增益的条件是最好的.这一结论与实验结果相符 关键词： x射线激光 瞬态增益 离子丰度     

双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应

利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明:随着脉冲X射线脉宽增加,双极晶体管烧毁能量变化较小,烧毁时间逐渐增加;随着注量增加,烧毁时间逐渐降低,在5.86J/cm2以下时,烧毁所需能量基本相同,之后呈指数逐渐增加,并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。     

双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应

利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明：随着脉冲X射线脉宽增加,双极晶体管烧毁能量变化较小,烧毁时间逐渐增加;随着注量增加,烧毁时间逐渐降低,在5.86 J/cm2以下时,烧毁所需能量基本相同,之后呈指数逐渐增加,并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。