超导体YB6和LaB6的电子结构研究

本文使用准确的第一原理方法,对超导体YB6和LaB6进行了电子结构比较研究,为进一步的实验研究提供理论参考.     

超导体YB6和LaB6的电子结构研究

本文使用准确的第一原理方法,对超导体YB6和LaB6进行了电子结构比较研究,为进一步的实验研究提供理论参考.     

高压下聚酰胺-6结晶行为的研究

 用自制高压装置，对聚酰胺-6（PA6）在常压至1.2 GPa压力下熔体的结晶行为进行了研究。通过差示扫描量热（DSC）、宽角x射线衍射（WAXD）以及扫描电子显微镜（SEM）分析发现，在特定高压条件下，生成了含伸直链晶体、结构规整的PA6材料。     

C1与C3D6H2和C3H6D2反应的立体动力学对比研究

在扩展的London-Eyring-Polanyi-Sato（LEPS）势能面上，利用准经典轨线法研究了碰撞能为Ecol=6．0kcal／mol时C1与C3D6H2和C3H6D2反应．在质心系中计算了极化微分反应截（2π／σ）（dσ00／dωt）、两矢量相关的P（θr）分布、三矢量相关的极角分布P（Ф）以及用θr和Фr表示的产物转动角动量的空间分布，计算结果与有关实验及理论结果符合得很好．通过对比研究C1与C3D6H2、C3H6功和C3H8在不同碳位上的反应，发现质量因子在此类反应中起着重要的作用．     

化合物HoMn6Sn6的磁晶各向异性及自旋重取向相变研究

采用交换相互作用的分子场理论模型对金属间化合物HoMn₆Sn₆的自旋重取向相变进行了研究. 从理论上计算了HoMn₆Sn₆的易磁化方向以及Ho和Mn离子磁矩与c轴夹角随温度的变化. 基于单离子模型计算了Ho离子的一阶和二阶磁晶各向异性常数K_1R和K_2R随温度的变化. 研究表明，为了很好描述该化合物的自旋重取向相变，必须考虑Ho离子的四阶晶场项及相应的二阶磁晶各向异性常数K_2R，K_2R与K_1R和Mn离子磁晶各向异性常数K_1t之间的相互竞争是导致HoMn₆Sn₆自旋重取向相变的重要因素. 关键词： 稀土-过渡族金属间化合物 自旋重取向 磁晶各向异性     

Hg原子6^3P1→6^1So态的系际交叉跃迁及其6^1P1态与6^3P1态的组态混合

Hg原子6^3P1→6^1So态253.652nm紫外辐射是系际交叉路迁最著名的一例，可归因于其单重态6^1P1与三重态6^3P1的组合混合。计算结果表明，对于Hg原子6s6p组态，LS耦合方式仍是其较好描述。     

C6H6分子振动能谱的涨落统计特征

分析了C6 H6 分子振动能谱的涨落统计特征 .研究结果显示 ,C6 H6 分子振动能谱的涨落统计特征属于低Poisson型 ,即谱刚度值大于Poisson型与Wigner型 ,而能谱分维函数值则小于Poisson型与Wigner型 ,这是一种与通常的Poisson型、Wigner型完全不同的类型 ,该特性在一定程度上反映了C6 H6 分子结构的特殊性 .     

C102：RH6G多孔铝镶嵌膜的发光研究

将香豆素102(C102)和若丹明6G(RH6G)按一定的比例混合在乙醇溶液中，结果发现其荧光光谱出现了双峰结构，并研究了浓度对荧光光谱的影响。再将C102和RH6G镶嵌在一定条件下制备的多孔铝中，研究了不同浓度对多孔铝发光光谱的影响。实验表明C102：RH6G多孔铝复合体系有可能是展宽固体可调谐激光器调谐范围的一种新途径。     

IBFM模型U(6/4)超对称SO(6)极限的能谱统计

用相互作用玻色子费米子模型(IBFM)计算了奇A核U(6/4)超对称SO(6)极限的理论能谱，对不确定核的最近邻能级间距分布和能谱刚性度进行了研究，并对影响能谱统计特征的因素进行了讨论. 结果表明，有限的玻色子数N的大小显著地影响能谱统计. 当N接近于真实核的玻色子数时，子群SOBF(5)的作用强度和自旋对能谱统计起重要作用. 然而，当N趋于无穷大时，能谱统计总是趋于Poisson分布.     

Ba_2CaWO_6-Sr_2CaWO_6赝二元系的研究

用差热分析、X射线物相分析和点阵常数的精确测定,研究了Ba_2CaWO_6-Sr_2CaWO_6赝二元系的相平衡和相变。发现在高温(860℃以上)时,形成连续固溶体。在室温时,在富Ba_2CaWO_6一侧,形成以Ba_2CaWO_6为基的固溶体;在富Sr_2CaWO_6一侧,形成以Sr_2CaWO_6为基的固溶体,相变点在成分为Ba_2CaWO:Sr_2CaWO_6=25:75(克分子比)处。 同时研究了作为高压钠灯灯丝涂层材料的Ba_xSr_(2-x)CaWO_6的几个重要性质:电子发射和多次启动时的灯压升高等。发现成分为BaSrCaWO_6时,性质最好。     

CuSi6团簇几何结构和性质的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,采用全电子基组6-311+G(d)研究了CuSi6团簇的几何构型和电子结构性质,计算表明CuSi6团簇存在多个能量相近的稳定异构体,且结构中存在多个Cu-Si键,多个低能异构体共存解释了实验中观察到的CuSi6团簇较强的现象。对于CuSi6团簇,计算得到的三个最稳定异构体的垂直电离能,电子亲和能和HOMO-LUMO能隙均相对较大,也表明这三个异构体较为稳定。     

用分子轨道法研究三乙基铝的结构与性质

采用从头算ＨＯＮＤＯ８．１程序分别选用ＳＴＯ－３Ｇ、６－３１Ｇ、６－２１Ｇ在ＨＦ水平上计算了三乙基铝的电子结构，用半经验分子轨道法ＭＯＰＡＣ６计算了三乙基铝的生成热等热力学性质     

Positron annihilation study of the electronic structure of CeCu6 and LaCu6

Summary The results of a prelimianry study of the electronic structure of the heavy-fermion system CeCu₆ via the two-dimensional angular correlation of electron-positron annihilation radiation (2D ACAR) technique were compared with those obtained for the isostructural reference non-f-electron material LaCu₆. The spectra relating to the 2 compounds displayed extremely similar anisotropic structures, with features related to the symmetry of the Brillouin zone. At present, these structures cannot however be attributed to Fermi-surface or positron wave function effects or to anisotropies of some full valence band. In the case of LaCu₆, data processing prior to the LCW procedure via new filtering techniques revealed a reasonably good agreement between the LCW data and LAPW Fermi-surface calculations while in the case of CeCu₆ it appeared difficult to relate the results, still of controversial interpretation, to any theoretical model.     

Structure and bonding of the (C6H6)+ 2 radical

To elucidate the relative stability of various structures of the benzene dimer cation radical, (C₆H₆)⁺ ₂ in its ground and low-lying excited states, ab initio complete active space self-consistent field (CASSCF), multi-reference singly and doubly excited configuration interaction (MRSDCI), and multi-reference coupled pair approximation (MRCPA) calculations were performed. Full optimization was performed at the CASSCF level for various structures of the dimer cation, followed by MRSDCI and MRCPA calculations. It was found that the global minimum of the cation is at a slipped C_2h sandwich structure but there are some other sandwich structures with almost the same stability, being within about kcal mol^?1. T-shape structures are less stable than the sandwich structures, by more than 5 kcal mol^?1 by MRCPA calculations. Low lying electronic excited states in various structures are also discussed.     

Pressure induced magnetic and semiconductor–metal phase transitions in Cr_2MoO_6

We investigate magnetic ordering and electronic structures of Cr_2MoO_6under hydrostatic pressure. To overcome the band gap problem, the modified Becke and Johnson exchange potential is used to investigate the electronic structures of Cr_2MoO_6. The insulating nature at the experimental crystal structure is produced, with a band gap of 1.04 eV, and the magnetic moment of the Cr atom is 2.50 μB, compared to an experimental value of about 2.47 μB. The calculated results show that an antiferromagnetic inter-bilayer coupling–ferromagnetic intra-bilayer coupling to a ferromagnetic inter-bilayer coupling–antiferromagnetic intra-bilayer coupling phase transition is produced with the pressure increasing. The magnetic phase transition is simultaneously accompanied by a semiconductor–metal phase transition. The magnetic phase transition can be explained by the Mo–O hybridization strength, and ferromagnetic coupling between two Cr atoms can be understood by empty Mo-d bands perturbing the nearest O-p orbital.     

在丙酮溶液中18-冠-6与CoCl2配位化合物的NMR研究

本文研究了丙酮溶液中配合物的平衡和结构。建立了一套计算机程序。通过化学位移数值的分析说明在溶液中主要存在两种平衡,并确定了平衡常数k₁₁=2.95×10²l/mol,k₁6.1l/mol以及冠醚络合物的极限化学位移D₁₁^(H)=350Hz,D₁₁^(C)=-290Hz,D₂^(H)=1300Hz,D^(C)=-1600Hz。确认位移机制是电子磁矩和共振核的核磁矩通过空间直接偶极-偶极相互作用。     

UF_6分子价轨道相对论效应的理论电子动量谱学研究

用非相对论、标量相对论和二分量相对论三种不同的密度泛函方法对UF_6分子的电子结构进行了量子化学计算,并利用编写的程序计算出了三种方法下各个价轨道的电子动量谱,比较了三种方法计算的价轨道能级及动量分布的差异.结果表明,相对论效应不仅使UF_6的能级劈裂和移动,而且对部分价轨道电子动量分布有显著的影响.     

Ca3Co2O6及其掺镍体系的电子结构计算

用离散变分密度泛函方法(DFT-DVM)计算了钴酸盐Ca3Co2O6及其掺镍体系，讨论了电子结构，化学键等与热电性能之间的关系．结果表明，价带和导带主要由Co3d，Ni3d和O2p原子轨道贡献．价带和导带之间的能隙宽度表现出了半导体电子结构特征，且掺镍体系的能隙比不掺镍体系窄．掺镍体系的共价键和离子键都比不掺镍体系弱．由此得到，掺镍后体系的热电性能将有所改善．     

Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究

在密度泛函理论的基础上，对Ga₆N₆团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算，得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV，因此是可能存在的.但与他人计算的Ga₃N₃和Ga₅N₅相比，Ga₆N₆团簇可能不属于“幻数”团簇.最稳定结构的Ga₆N_{6 关键词： GaN 团簇 电子结构}     

LiB6Si: An indirect band gap semiconductor

Using first-principle calculations, mechanical properties, electronic structure, and Raman spectra of LiB₆Si structure were investigated. The band structures calculated by GGA-PBE and HSE06 methods reveal that LiB₆Si is an indirect band gap semiconductor. The band gap estimated by HSE06 method is about 2.24 eV, which is in good agreement with that of experimental value 2.27 eV. The calculated tensile stress-strain curves of LiB₆Si reveal that [010] direction is the cleavage direction under tensile strains. The calculated Raman spectra of LiB₆Si are also in good agreement with that of measured. The position of the band gap may provide a basis for further photocatalysis research on LiB₆Si.