400×640象素液晶显示的研制

精工电子工业试制成功用单纯矩阵法显示400×640象素的液晶显示装置。该装置用在-5—+62℃温度范围内为SmC~*相的液晶。而且,驱动占空比为1/400,使用驱动电压为20V的交流脉冲。其响应速度为250μs(温度为25℃时)。图象显示在原则上不存在视角影响。     

a-Si薄膜晶体管寻址的7.23英寸彩色液晶显示

引言液晶显示(LCD)的最终目标是实现信息容量与彩色CRT一样的大面积显示。近年来,发表了许多有关主动矩阵彩色LCD的研究报告。这种LCD采用了具有微彩色层的a-Si或p-Si薄膜晶体管(TFT)。与MOS FET寻址的LCD相比,TFT寻址矩阵LCD的优点是其尺寸不受限制。但是,迄今为止,已报导的TFT寻址LGD最大的只有4英寸(对角线)。为了与彩色CRT竞争,必须发展大尺寸     

薄膜晶体管及其在有源矩阵液晶显示中的应用

薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种。PC机及监视器等高清晰度液晶显示(LCD)中的TFT以有源矩阵的形式应用在点阵驱动的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中。作为开关器件，AMLCD中的TFT工作在饱和模式，其源极总是连接数据总线(视频)，漏极接像素电极。其结构为交错／反交错和共面／反共面两种基本类型。TFT的主要工艺与IC技术兼容，半导体层所用的材料主要是a—Si。     

薄膜晶体管矩阵寻址型彩色液晶显示器件

本文介绍日本Cannon研究中心研制出的非晶硅膜晶体管(a-SiTFT)彩色液晶显示器。该显示器件中采用了一块金属蔽光层,这就可能采用强背向照明光源。器件中还有一块彩色滤色膜,以增加显示器的寿命。已研制出具有50×175个象素的液晶屏,它可由红、绿、蓝三基色按一定的比例组合而显示彩色。这种液晶显示器的设计是以模拟技术为基础。通常每一显示象素上的三基色滤色膜,使用的都是有机染料,本文介绍的显示器中的彩色滤色膜,是用有机颜料进行真空蒸发工艺配制的。     

液晶显示用 a-Si TFT 有源矩阵制作技术

本文通过对液晶显示用α-Si TFT 的工作原理、工作特性分析,讨论了α-Si TFT 有源矩阵结构设计和汇线电阻、电容对α-Si TFT-LCD 的影响。介绍了α-Si TFT 有源矩阵的制作工艺。     

640×400绿色发光TFEL显示器

目前,平板技术在取代阴极射线管用作计算机的显示器方面取得了明显的进展。目前在市场上已可获得能够显示整页尺寸信息的,具有640×400个点的薄膜EL器件。但是,发光的颜色只局限于黄橙色,只有在这种颜色下ZnS:Nn才能有高亮度的发光,对彩色EL磷光体材料研究工作使得亮度水平有了稳定的改善。但目前还没有非黄橙色发光的高信息容量显示器的报导。本文报导了新型640×400个点的绿色发光EL显示器的制备方法和特性。屏的制奋方法在230×160×2mm的玻璃衬底上镀上ITO电极。用光刻方法制成ITO列电极,     

用非晶硅薄膜晶体管寻址的有源矩阵液晶显示的视频特性

引言近来,平板显示有源矩阵液晶显示(LCD)得到广泛的开发。各种类型的有源矩阵液晶显示已有报导。我们已报导过可用激光再结晶的多晶硅来获得重复性和一致性好的薄膜晶体管(TFT)。然而,由于激光再结晶TFT是用某些高温过程的大规模集成工艺制作的,而且,在大规模集成工艺设备中存在某些尺寸限制,使得激光再结晶多晶硅TFT阵列不适用于大面积显示。另一方面,非晶硅TFT目前普遍用作有源矩阵LCD中的开关管。最近,我们已经制成由非晶硅TFT组成的,对角线尺寸为5英寸和10英寸的有源矩阵LCD。     

640×480点有源矩阵MIM液晶显示器

日本 Tottori 三洋电器公司将推出一种比薄膜晶体管(TFT)结构更简单的金属-绝缘体-金属(MIM)有源矩阵液晶显示器系列,一个显示640×400点;一个显示640×480点。该公司在一、二年内将拿出这两个型号的样品,也许会开始商业性生产。该公司早就开始生产超扭曲向列型(STN)和扭曲向列型(TN)简单矩阵 LCD 产品。因此,增加 MIM 型号产品的生     

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。     

多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计

针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏,增加晶体管的开关电流比值,通过模拟轻掺杂区不同的物理参数,如掺杂浓度及掺杂区宽度等,研究薄膜晶体管的开关电流比值,由此确定像素各部分的尺寸,对液晶显示器件进行优化设计。     

640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计

描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计.像素电流12 nA～1.6μA可调.每个像素点面积不超过400 μm2,信号最大扫描频率30 MHz.采用chartered CMOS 0.35μm 18 V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合.     

无源矩阵液晶显示技术的最新动向（一）

评介当前对ＳＴＮ无源矩阵液晶显示所进行的研究开发，提出大量制造液晶聚合物旋转膜光补片和主动寻址集成电路是发展ＳＴＮＬＣＤ的主要技术课题，若发展顺利，由ＳＴＮＬＣＤ可望作为电视显示。     

采用640×400象素无缺陷有源矩阵LCD并配有输入板的一种新型高架投影系统

引言一种能把计算机产生的图象,如文本、图表图形及二进制图象,投影到大屏幕的系统,会使显示更为有效。要使显示有效直观,易于操作,具有下列功能是非常重要的:(1)手写输入,以方便和增补屏上图象内容。(2)快速寻找需再投影的图象。     

采用a-Si:HV~2-TFT有源矩阵选址的14英寸对角线彩色液晶显示板

引言近几年来,代替 CRT 的各种显示器件得到了开发,如液晶显示器件(LCD)、等离子体显示板(PDP)、电致变色显示器件(ECD)等等。LCD 是最有希望的一种器件,因为它重量轻、功耗低、薄型。利用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵选址 LCD 板得到了广泛的研究。尤其是氢化非晶硅(a-Si:H)被广泛用于 TFT 的半导体层,这是由于它的沉积温度低、容易形成大的面积且化学稳定性好。但是,a-Si:HTFT 也有下述一些缺点:     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

液晶显示有源矩阵的改进设计

为了缩短工艺流程,提出了一种用于液晶选址的非晶硅晶体管矩阵的新设计.现在只需两次光刻,其中包括局部的修补.本文报导了行线与列线开路及短路的检测、晶体管的特性以及板子的性能.     

用于摄象器件的a-Si∶H膜

1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏度高、分光灵敏度复盖了整个可见光区域、分辨率高、烧伤现象非常小等特点。而且,和固体摄象器件相比较,虽然在薄形、     

有源矩阵液晶显示电源器件MAX1664及其应用

介绍有源矩阵液晶显示电源器件MX1664的性能、特点、工作原理和电路设计,并给出该器件的典型应用电路.     

具有640×480象素点的等离子体显示装置

富士通公司生产的 FPF8060HRU 型交流等离子体显示板,显示容量为640×480象素点。它能显示16种颜色、灰度拓级。该装置售140000日元(合1000美元),第一年计划旬月销售3000个。它使用现有软件,具有高亮度,高对比度以及快速显示、宽视角特点,能显示清晰的活动图象。附加一层适当的保护膜能确保该