负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响

对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况.计算表明GaAs材料的负微分迁移率引起的微分负阻,会导致阴极附近电场的动态增强,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场,从而引发本征碰撞电离的发生.分析结果表明,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象,必须进一步考虑其它高电场效应.     

外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.     

关于GaAs红外探照灯的设计和计算

由于砷化镓光源有电光转换效率高、单色性好、红光曝露距离短、寿命长、省电等优点,在近距离主动式轻武器夜视仪器上,可用它作为红外光源来代替通常的带滤光片白炽灯。这样,在作用距离相同的情况下比原来的四○火箭筒的夜间瞄准镜的整机重量降低了三分之一。下面我们来谈谈关于这种砷化镓红外探照灯的设计和计算。     

关于集成光学GaAs和GaAlAs波导

——本文是综述文章“关于集成光学AaAs及GaAlAs器件”(IEEE Tran.Miowave Tech.,Vol MTT—23,No.1)的一部分,评论并综述了GaAs及GaAlAs波导的已有工作,并分析了GaAs材料对单片集成回路的前景。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。 关键词：     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs／InGaAs／GaAs结构中的费密…

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光致发光光谱研究的实验结果，除了观察到ｎ＝１电子子带到ｍ＝１重空穴子带，ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带间的强发光峰，还观察到了ｎ＝１电子子带到ｎ＝１轻空穴子带的弱发光峰，通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置，在这种δ掺杂的ＨＥＭＴｓ的系统中观察了费密边奇异性，并把它归结为费密海与费密边附近未     

正电子迁移率的测量

综述了半导体在金刚石中的正电子迁移率的６种不同测量方法（角关联方法，多普勒方法，寿命谱方法，注入剖面法，扩散常数法和慢正电子法），给出了自１９５７年以来国内外的所有测量数据，并对数据进行了综合分析。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。     

高迁移率聚合物薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为栅电极, 热生长SiO₂作为栅介质层, 聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层, Au作为源、漏电极, 并采用十八烷基三氯硅烷（OTS）对栅介质表面改性, 在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管. 结果表明, 通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能, 器件的场效应迁移率高达0.02 cm²/（Vs）, 开关电流比大于10⁵. 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 表面修饰     

GaAs太阳电池的现状

自从前几年出现能源危机以来,太阳光作为“无污染”的能源引起了人们的注意,仅在这数年内,关于太阳光发电的研究就得到了飞速发展。但是,使用太阳电池大规模发电还是十年以后的计划,目前正处在探讨Si以及Ⅲ—Ⅴ族,Ⅱ—Ⅵ族化合物太阳电池的性能和经济前景以及今后发展方向的时期。本文针对Ⅲ—Ⅴ族化合物,尤其是GaAs系太阳电池的以前研究过程、现状和今后应该发展的技术等,展望GaAs太阳电池的将来。     

低雷诺数条件下低压涡轮气动设计

本文针对低雷诺数条件下低压涡轮效率较低的问题,提出了设计过程中应如何考虑雷诺数影响的思路,给出了适应低雷诺数环境下工作的叶片表面负荷分布形式,并进行了低压涡轮的气动设计。三维粘性计算的结果表明,应用本文所提出的负荷分布形式,能够有效的控制涡轮边界层的分离,降低气动性能对雷诺数的敏感程度,从而使得低压涡轮在高空低雷诺数条件下仍能保持较好的性能。     

低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究

研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ样品的稳态和瞬态发光。从２００℃生长的样品呆测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激光子峰有一定蓝移。     

场效应器件低温特性与低噪声放大器

高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.     

π介子和核子在低能的散射

本文讨论了经过減除的π-核子散射色散关系和通常拉格朗日描述及其重整化处理间的关系。指出一次減除可以解释为作用常数的重整化。我们用经过減除的色散关系处理了π-核子S波散射。计算结果指出,π介子和核子间的相互作用应该是赝矢型而不是赝标型的。     

水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶

制备低位错砷化镓单晶的工作1971年已有报道。近年来,我们研究用平水区熔法制备低位错砷化镓单晶的工艺。目前可使砷化镓晶体中的位错密度基本控制在100厘米~(-2)的数量级。     

ON THE ORIGINS AND DEVELOPMENT OF MOBILITY AND IMPEDANCE METHODS IN STRUCTURAL DYNAMICS

An account of the conception and early development of mobility and impedance methods in structural dynamics is presented in this paper. As often happens in science, the concepts and ideas developed in one branch of science have inspired new approaches and theories in another branch, and indeed this was the case for mechanical mobility and impedance, which has its origin in the field of electricity. The conception and formulation of both direct and inverse electromechanical analogies are described in this paper together with the formulation of ad hoc impedance and mobility methods that were developed for mechanical systems. Finally the impedance, mobility and transmission matrix methods that evolved for flexible, distributed mechanical systems are discussed. This paper has been written with reference to a large number of published papers many of which have been listed in the reference section.     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究

本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布,阐明了GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射的分析方法,最后给出了实例.     

n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究

利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了n-HgCdTe器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势.由定量迁移率谱得到的结果与Shubnikov-de Hass测量结果以及理论计算的结果非常符合. 关键词：