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电化学沉积羟基磷灰石过程晶体生长行为 总被引：9，自引：0，他引：9
采用恒电流电化学沉积方法从含钙与磷盐水溶液中直接在纯金属钛电极表面沉积纳米羟基磷灰石涂层,运用EDS、SEM、XRD、FTIR等方法对其进行表征. 重点考察了一种典型制备条件下钙磷沉积层的形貌、结构及组分随沉积时间的变化,进而探讨相应条件下电化学沉积羟基磷灰石涂层晶体生长过程的基本规律. 研究表明电化学沉积法可用于在医用金属表面直接涂覆含钙离子缺陷的纳米羟基磷灰石涂层,典型条件下涂层的生长规律为: (1)沉积过程中羟基磷灰石晶粒以c轴方向沿沉积面法线方向择优生长,且这一趋势延续整个沉积过程; (2)内层晶粒的生长受到外层晶粒生长的抑制, 对于同层的晶粒,当晶粒分布密集时,晶粒生长可能发生相互制约; (3)随沉积时间的延长,沉积量增加,而膜层的化学组成基本不发生变化. 相似文献
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研究了离子液体镀液中Co、Zn的共沉积行为。ZnCl2-EMIC -CoCl2电解液的循环伏安曲线上出现了三个电流峰,对应的电极电位分别为250mV、50mV、-200mV（vs. Zn2+/Zn）。结合EDS成分分析,可断定这三个电流峰分别对应着Co的电沉积、Co电极上Zn的欠电位沉积和Co-Zn合金的电沉积。恒电位沉积表明,当控制阴极电位在100 mV（vs. Zn2+/Zn）左右时,可得到高纯度的钴镀层;若进行恒电流沉积,则当电流密度为85mA/cm2左右时能够得到高纯度的钴镀层。对Co、Zn的共沉积机理研究表明,Co的电沉积过程和Zn 在Co上的欠电位沉积过程均受扩散过程控制。 相似文献
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Na3AlF6-LiF熔盐体系中硅的电沉积行为 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了Na3AlF6-LiF体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅. 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, 在有单质硅存在的情况下, 还发生反应Si(IV)+Si=2Si(II); 一般情况下Al的析出电位比Si要负, 但在电极表面Si离子匮乏的情况下, Al会与Si共沉积; 固态电极上恒流电解沉积硅呈颗粒状并与电解质夹杂, 通过分离可以获得单质硅, 所获硅纯度高于99.9%. 电解精炼在大电流密度条件下可以稳定进行, 阳极电流效率高于95%, 电解精炼硅纯度比直接电沉积硅纯度有明显提高. 相似文献
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采用阴极电泳沉积的方法在LC4铝合金表面制备硅锆有机-无机杂化涂层, 并探讨了电泳沉积条件对涂层形貌、结构以及耐蚀性的影响. 采用纳米粒度仪检测了不同硅锆杂化溶胶的zeta电位; 采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了涂层的表面微观形貌和粗糙程度; 采用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了涂层的化学结构; 采用电化学方法研究了沉积电压对涂层耐蚀性能的影响, 进而探讨了电泳沉积增强杂化涂层耐蚀性的机理. 结果显示沉积体系的pH为1.6、沉积电压为5 V时为最佳的沉积条件, 所获得的硅锆有机-无机杂化涂层表面均匀致密性最好, 粗糙程度和耐蚀性都得到了明显的改善, 在3.5% NaCl溶液中体现出较好的耐蚀作用. 相似文献
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以硅酸锆粉体为原料,异丙醇为溶剂,碘为荷电介质,采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料基体表面制备了硅酸锆外涂层。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的晶相结构和微观形貌进行表征。研究了水热电泳沉积电压对涂层的显微结构及高温抗氧化性能的影响,并分析了涂层试样在1 773 K下静态空气中的氧化行为。结果表明：电泳沉积电压在160~200 V范围内,复合涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着沉积电压的升高而提高。但沉积电压过高(220 V),复合涂层中出现微裂纹等缺陷,此时涂层的抗氧化性能下降。沉积电压控制在200 V时所制备的复合涂层可在1 773 K静态空气中有效保护C/C复合材料332 h,氧化失重率仅为0.2%,相应的氧化失重速率稳定在48.3 μg·cm-2·h-1的极低水平。 相似文献
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