M3C60（M=K,Rb）超导机理研究

综述了近几年来Ｃ６０超导体，特别是Ｋ３Ｃ６０和Ｒｂ３Ｃ６０单昌超导体的实验研究结果，主要包括超导转变温度以上的电阻－温度关系、高温下电阻的饱和现象及超导转变温度、上临界磁场和相干长度等超导性质。上述实验结果可以用传统的电子－声子相互作用理论来解释。     

掺杂化合物K3C60晶体的结合能

利用点电荷模型，考虑各离子间的短程相互作用，主要了Ｋ３Ｃ６０晶体各离子和原胞的结合能，求得晶格常数ａ＝１４．５１Ａ，体积弹性模量Ｂ＝２６．２３ＧＰａ，与实验测量与相符；另外八面体空隙中钾离子的结合能很小，仅有０．１７ｅＶ，在３种离子中是最不稳定的。     

M3C60（M=K,Rb）中C60分子的取向机制研究

研究Ｍ３Ｃ６０（Ｍ＝Ｋ，Ｒｂ）中Ｃ６０分子的取向机制，利用点电荷模型和Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势考察了Ｋ＾＋－Ｃ６０和Ｃ６０－Ｃ６０之间的相互作用对Ｃ６０分子取向的影响。结果表明：Ｍ＾＋－Ｃ６０之间的相互作用对Ｃ６０分子的取向起决定作用，而使得Ｃ６０分子的基态取向为两个标准取向之一。     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

固体C60取向相变的理论研究

本文提出固体Ｃ６０分子间合理的相互作用势模型，利用对称性适函数描述了晶体场及取向模间耦合，并通过自由能的计算得出相变模及与实验相符的取向相变温度。     

C60外延薄膜的生长

我们研究了各种淀积参数（衬底温度，沉积速度和薄膜厚度）对Ｃ６０薄膜在云母及ＮａＣｌ衬底上成膜的影响，并在云母（００１）新鲜解理面上成功地制备出了高质量的Ｃ６０外延薄膜，此外，我们还对Ｃ６０薄膜可能的生长过程，薄膜与衬底的取向关系及其缺陷结构进行了一定的讨论。     

离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对Ｃ６０薄膜结构的影响，并利用Ｒａｍａｎ光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响Ｃ６０薄膜的结构，使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象，但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关，并存在一注量阈值，只有在此阈值之上，Ｃ６０薄膜结构才发生改变，研究表明这与注入离子同Ｃ６０分子之间互作用方式有关     

巴基球C60内嵌原子(Li,Na,K,Rb,Cs;F,Cl,Br,I)的稳定存在位置及其复合物的几何与电子结构

本文用量子化学EHMO/ASED方法对巴基球C60内嵌原子(A=Li,Na,K,Rb,Cs;F,Cl,Br,I)进行了计算。结果表明除Li、Na外,其它元素当置于C60笼中心附近时,复合物能量最低,最稳定;对于内嵌Li、Na原子的巴基球(Li@C60)及(Na@C60),当Li、Na位于围绕中心的一个球壳层(r～1.5A)内时最稳定。     

Na2CsC60中C^3—60的取向性研究

本文研究了Ｎａ２ＣｓＣ６０中Ｃ＾３－６０的取向有序机制。利用点电荷模型和Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势分别计算了Ａ＾＋－Ｃ＾３－６０之间的长程库仑作用和短程作用。结果表明，库仑作用对Ｐａ＾－３结构有利，短程作用在Ｃ＾３－６０采取标准取向时最小。     

二维光子晶体能带结构温度特性研究

采用有限元法对二维光子晶体的能带特性进行了分析.当光子晶体所受的温度发生变化时,由于构成二维光子晶体介质的热光效应,引起介质的折射率变化,介质的热膨胀效应引起介质厚度发生变化,改变了光子晶体的晶格周期,使得光子晶体的能带结构发生变化.分析了温度变化对二维光子晶体的第一禁带和第二禁带结构特性的影响,各禁带的起始波长、截止...     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究

在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的色散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子（约占40%）的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。     

巴基球C60内嵌原子（Li,Na,K,Rb,Cs;F,Cl,Br,I）的稳定存…

本文用量子化学ＥＨＭＯ／ＡＳＥＤ方法对巴基球Ｃ６０内嵌原子（Ａ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ；Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）进行了计算。结果表明除Ｌｉ，Ｎａ外，其它元素当置于Ｃ６０笼中心附近时，复合物能量最低，最稳定；对于内嵌Ｌｉ，Ｎａ原子的巴基球（Ｌｉ＠６０）及（Ｎａ＠Ｃ６０），当Ｌｉ，Ｎａ位于围绕中心的一个球壳层（ｒ－１．５Ａ）内时最稳定。     

C60,C70晶体的结构,有序—无序相变和玻璃化转变

自从Ｗ．Ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ等用石墨电弧法制备出克量级的Ｃ６０的方法问世以来，人们对Ｃ６０固体的性质进行了多方面的研究。本仅就Ｃ６０、Ｃ７０晶体的结构，有序－无序相变和玻璃化转变的实验和理论工作做一扼要的总结。     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

钙钛矿型晶体的倍频系数和离子位移、能带结构间的关系

1974年作者提出了“非线性光学效应的离子基团理论”^[1]，并据此对钙钛矿型等体系的倍频系数作了理论计算，得到了很好的结果。本文进一步使用作者1981年建议的“晶体倍频系数的平均能带近似计算法”^[2]，从能带理论出发计算了钙钛矿型晶体的倍频系数。计算结果表明：（1）由“平均能带近似法”仍可得到“钙钛矿型晶体倍步效应基团理论”^[1]的几个基本论点，并给出后者的近似等级；（2）充分揭示了SrTiO3、KTaO3晶体电场感应倍频系数χ333^(2ω）／χ311^(2ω)比值的变化与中心B离子的相对位移、能带结构、B－O键离子性之间的关系；（3）通过倍频系数和能带结构关系的研究，有可能把晶体倍频系数作为检验能带结构是否正确的一个新的数据；（4）由本文的计算公式，可以计算出在外电场作用下中心B离子相对于配位体氧原子的位移量△Z，并和外电场作用下的感应自发极化Ps的实验值相一致。     

关于掺杂C60超导体超导电性的一种可能机制

本对掺杂Ｃ６０超导体建议了一种可能的超导机制，即巡游载流子与局域电子对相互作用，此机制对Ｒｂ３Ｃ６０的超导转变、磁场穿透深度、相干长度、热力学临界磁场以及Ｔｃ处的经热跳跃作了计算，结果和实验基本一致，掺杂Ｃ６０超导体与高温氧化物超导化玎比更多地表现出传统ＢＣＳ超导体行为，对此进行了讨论。     

晶体C60取向相变的Monte Carlo研究

对晶体Ｃ６０的取向相变，热滞及压力诱导相变现象进行了Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟，数值结果与实验基本一致。