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新型三极碳纳米管场发射器件的研究 总被引:5,自引:4,他引:5
采用催化剂高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极。利用优质云母板作为绝缘材料.结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。详细地给出了新型三极碳纳米管场发射器件的制作工艺.对场致发射的机理进行了初步的讨论。采用这种新型的栅极结构.不仅极大地降低了总体器件成本.同时避免了碳纳米管薄膜阴极的损伤.提高了器件的制作成功率。所制作的三极结构平板场发射器件具有良好的场致发射特性和栅极控制能力。 相似文献
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碳纳米管场发射显示器件的研究已在各个国家开展了许多年,但仍然有很多的问题亟待解决,如碳纳米管作为阴极发射材料的发射均匀性、开启电场、栅极结构的制作、荧光屏制作、真空封装等困难。本文研究了碳纳米管场发射器件的几种结构、特性及其制作工艺,重点阐述了前栅极结构碳纳米管场发射显示器件中在栅极制作和阴极材料装配的瓶颈,并提出了一种栅极制作和阴极保护的方法,并运用此方法在实验室制作了三极结构器件进行验证,有效地解决了制作前栅极结构的困难,为制作大面积碳纳米管场发射显示屏提供了可行性方案。 相似文献
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三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。 相似文献
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三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题,在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。 相似文献
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碳纳米管场致发射显示器是一种新型的真空器件,也是一种具有巨大应用潜力的平板型显示设备。本文详细地介绍了碳纳米管场致发射原理,给出了碳纳米管阴极平板显示器的基本结构和工作原理,对于显示器件的真空封装,碳纳米管阴极装配,控制栅极制作等工艺问题进行了阐述和研究。采用这些技术,已经研制出了碳纳米管阴极场致发射显示器的样品。 相似文献
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The fabrication and operation of fully printed Carbon nanotube field emission displays 总被引:1,自引:0,他引:1
Screen-printing is undoubtedly the most cost effective process for the fabrication of large-sized carbon nanotube field emission display (CNT-FED). A novel post-treatment method of mechnical crushing and blowing was presented to solve the problem of poor field emission properties of printed CNT films. The turn-on electric field of the treated film decreased and the emission current increased distinctly. Then a technique was developed to fabricate fully printed CNT-FED in which all the inner cells were fabricated by screen-printing process. Based on this technique, fully printed matrix-addressable diode CNT-FEDs, which can display moving image and be driven by the integrated drive circuits of commercial plasma display panel (PDP), were fabricated subsequently. A very high brightness of 1×104 cd/m2 can be achieved at 220 V. 相似文献
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本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺. 相似文献
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场致发射显示器的现状与发展 总被引:18,自引:0,他引:18
通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点,并介绍国外著名公司的研究动态,展望FED的发展趋势。 相似文献
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碳纳米管场致发射结构的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
碳纳米管以其特有的电学性质而成为一种优良的冷阴极材料。在场致发射器件中,真空度是决定发射稳定性的一个重要因素。如果碳纳米管阴极附近的真空度太低,将产生打火、气体电离、离子回轰阴极等问题,将导致阴极发射电流的迅速衰减。本文通过对基于碳纳米管冷阴极的二极管和三极管的场发射特性的实验,分挤了残余气体压强与外加电压、发射体工作时间的关系以及碳纳米管阵列的I-E曲线,利用这些结果可以优化碳纳米管场致发射结构的设计。 相似文献