光刻亚微米线条研究

本文根据惠更新-菲涅耳原理,研究了提高光刻分辨率,提高光刻套准精度和在制版困难的条件下光刻亚微米线条的几种方法;并用实验证实了结论。     

365~193mm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅线宽偏差，采用光刻模拟程序计算，采用顶层和底层抗反射涂层与否，对从３６５ｍｍ曝光的０．４０μｍ到１９３ｍｍ曝光的０．２２５μｍ范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。     

基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。     

亚微米接触式X射线曝光对准系统

介绍了接触式X射线曝光对准系统的设计原理,对其关键部分（精密调整台、微位移控制、对准光学系统等）做了详细阐述,并进行了系统的精度分析。     

亚半微米投影光刻物镜的研究设计

介绍了分步重复投影光刻业半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果,以及公差控制。指出技术指标已达到：数值孔径ＮＡ＝０．６３、工作波长λ＝３６５ｎｍ、倍率５ｘ、工作分辨力Ｒ≤０．３５μｍ,设计和镜所用透镜片数最少,无胶合件,并具有暗场同轴对准和温度气压控制补偿功能。     

0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制

本文介绍0．7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm，缩少倍率5倍．曝光视场15mm×15mm．光刻工作分辨力0．6μm，并具有双路暗场同轴对准．又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。     

液晶显示器用曝光装置

本文介绍了液晶显示器制造装置的市场动态；对ＬＣＤ用曝光机在生产工艺中的地位进行了分析，总结了各类曝光机的特点；并对几种典型的曝光机的独特技术进行了剖析，提出了选准突破口发展我国ＬＣＤ装置业的设想。     

用X光光刻法制备亚波长抗反射结构

为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术.首先用X光光刻在PMMA光刻胶上得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长纳米结构,即抗反射结构.设计了适用于可见光波段的二维亚波长抗反射光栅,用X光光刻制作工艺在硅衬底上进行了实验制备.用此纳米加工技术获得了线宽为150 nm、高度约为450 nm(即深宽比为3.O)的PMMA减反射结构.同时还优化了曝光近接间隔、曝光剂量、显影时间等X光光刻参数.