杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅱ)

在这篇文章中,我们用一维晶格模型讨论了杂质中心中电声子耦合强度的问题。用场论方法严格地解得了含杂质晶格之运动方程的本征函数。由此得到了电声子耦合强度的解析表示式,它是用声子的波数k、表示相互作用范围的参量λ以及杂质参量P=γ′/γ解析地表示出来的。其中γ′和γ分别为杂质与近邻之间和一般近邻之间的力常数。对结果的分析表明,只改变质量的杂质不影响电声子耦合;导致力常数变化的杂质对电声子耦合有显著的影响。当有奇的局域模出现时,在离子晶体中它对带宽的贡献可以比带内模的贡献大很多。尤其是在离子晶体中有可能出现所谓“临界散射”,这时带内模的贡献可能变得很小,而主要的贡献几乎全来自于局域模。相反地,在非极化晶体中,局域模的贡献一般是很小的。文中最后讨论了由一维模型得到的结论对于三维晶体可能有的意义。     

GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。     

稀土离子电声子耦合S因子的计算

本文给出了计算多声子跃迁中电声子耦合最小S因子的公式,它具有不依赖晶格振动具体模式的优点,在此基础上具体估算了LaF₃晶体中Ho³⁺稀土杂质在 ⁵F₁,⁵F₄,⁵F₅,⁵G₄,⁵G₅能级之间的多声子跃迁的S因子,得到S为0.05左右,这是与通常的实验结果相符的。 关键词：     

关于强电声子耦合系统基态的一个注记

本文提出强电声子耦合系统的一个新的变分基态。在此态中电子子系统处于超导对态而声子子系统处于双声子相干态。我们证明为了得到正确的超导凝聚能而且载流子的有效质量又不至于太大,这样的变分态是必须的。 关键词：     

耦合系统的主方程(Ⅰ)

本文运用与时间有关的投影算符,推导出广义耦合主方程,并在第一级玻恩近似下,推出 N 个任意子系的只含对角元部分的耦合主方程.     

格点规范理论的层子质量重整化(Ⅰ)强耦合和过渡区

用固定ρ介子质量对层子质量m(g)重整化. 强耦合展开得到g≥2时的m(g). 变分法计算把m(g)延拓到g~1处, 即已进入过渡区. 在强耦合区两种计算方法结果相符. 进入过渡区后, m(g)迅速下降, 有明显的向弱耦合区过渡的趋势.     

一维体系的电声子相互作用和声子激发

通过一维金属卤素络合物模型和一维分子晶体模型研究了一维体系的电声子相互作用和声子激发．给出了在绝热近似下重整化的声子色散关系．结果表明：（１）两个模型中电声子相互作用不同，导致前者声频声子重整化可略而后者重整化修正明显；（２）与高分子材料的Ｓｕ-Ｓｃｈｒｉｅｆｅｒ-Ｈｅｅｇｅｒ模型不同，两个模型的声子谱均无能隙 关键词：     

强耦合超导理论的物理基础(Ⅰ)

本刊曾经发表了“超导临界温度理论综述”（７卷２期）与“超导微观理论及其进展浅说”（７卷５期）．前文侧重于超导微观理论的最新进展,后文侧重于早期微观理论的介绍．本期及下期将连续两期刊登“强耦合超导理论的物理基础”．该文将超导微观理论的物理图象以及从弱耦合到强耦合的发展作了深入浅出的介绍．     

复合场场论和层子模型(Ⅰ)

本文将文献中所探讨的复合场场论推广到基本场量是旋量场的情形,并由此给出了层子模型理论中有关介子体系所用到的各种公式。     

折射率与电声子相互作用的关系

从微观出发研究电声子相互作用对折射率的影响。用半经典方法导出一个适用于晶态和无序度小的介质折射率公式和折射率温度系数公式。首次指出电声子相互作用引起的折射率温度系数,高温时为一常数,低温时与T~3成正比。并与实验作了对比,理论曲线与实验符合得很好。用得到的公式计算了好几种材料的温度系数。计算值与实验值相符合。     

量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合杂质束缚极化子的性质。导出了量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率和声子平均数随库仑束缚势、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和量子棒的横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增强而增加,随量子棒的横向和纵向有效受限长度和椭球的纵横比的减小而增大。表现出量子棒的奇特的量子尺寸限制效应。     

理子光学——光学科学的新秀(Ⅰ)

１９８１年，本文作者Ｎａｒｄｕｃｃｉ教授应中国光学学会的邀请来我国讲学和访问．他在中国科学院物理研究所、吉林大学和上海激光学会年会上作了介绍量子光学的讲演．应本刊之约，作者写成此文．现分两次刊载：（Ⅰ）包括引言（本刊略有删节）和共振荧光两节；（Ⅱ）包括超荧光、光学双稳性和有序结构的产生三节．在此，我们感谢Ｌｏｒｅｎｚｏ　Ｍ．Ｎａｒｄｕｃｃｉ教授对本刊工作的支持．     

多孔媒质中液体的电声耦合

多孔媒质是充满连通管道的物质。在研究多孔媒质中液体的流动现象时发现，当流体相对于固－液界面处的带电表面运动时，由于液流和电磁场的耦合就出现了电声耦合（电动）现象。电动法同地震法结合，有可能成为油藏探测的潜在方法。     

GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs0.6P0.4:Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs0.6P0.4:Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。     

不稳定局域模及其对杂质中心吸收带宽的影响

本文运用羣论方法,把不稳定局域模和含杂晶格的带内本征矢的散射部分都按格位羣的不可约表示分了类。具体地讨论了最近邻相互作用的简单立方晶格的情况,计算结果表明:可。能产生同P(=γ′/γ)和(=m′/m)有关的T_1u型不稳定局域模和仅与P有关的简并的A_1g,E_g,T_1g,T_2g和简并的T_1u,T_2u型不稳定局域模,以及只有同一类型的对称性驻波才能为杂质所散射。这里m′和m分别为杂质原子和基质原子的质量;γ′和γ分别为杂质与近邻之间和一般近邻之间的力常数。以同样的模型计算了各种类型声子对杂质中心吸收带宽的贡献。指出,宽度很窄的g型不稳定局域模对带宽的贡献可能变得很大,而超过其余声子的总贡献。最后讨论了单有效频率近似可能有的微观理论基础的问题。     

红宝石吸收宽带的强度

红宝石晶体中Cr³⁺与六个近邻O^2-组成一个有严重畸变的正八面体,因而高阶奇晶场与一阶奇晶场有相同的数量级。由于红宝石中Cr³⁺的格位近似保持C_3v对称,T_2u型的高阶场非常小,可以忽略,但T_1u,A_2u型高阶晶场对红宝石吸收谱强度则原则上不能予以忽视,对于Y带和U^⊥带,高阶场有显著贡献,但对U^‖带,所产生的强度非常小。本文考虑了格点奇对称振动对U,Y带强度的贡献,发现U^‖带主要是奇振动与电子耦合产生的吸收谱。由此出发,讨论了红宝石宽带振子强度、带形等问题,得到了与实验相符合的结果。     

单分子-光子制冷泵的热力学行为(Ⅰ)

建立了一般意义上的单分子－光子泵模型,并用计算机模拟了在不同能量的光子激发下单个分子作为制冷泵时的量子跃迁过程,研究了单分子－光子泵处于基态和激发态时的热激发过程以及在发生荧光辐射时的声子参与情况,得出了基态具有较强的制冷能力的结论。基态和激发态在光吸收和发射过程中热力学效应是不同的,因此在选择反斯托克斯芝光制冷材料时,发光中心的基态能级劈裂更具重要性。     

非线性耦合标量场方程的新双周期解(Ⅰ)

对于具有丰富物理意义和众多应用价值的非线性耦合标量场方程，利用sinh-Gordon方程展开法，导出了五种新的双周期解，同时在退化的情形得到了新的孤波解和三角函数解.结果说明该方程具有丰富的解的结构，方程描述的物理模型所具有的物理现象仍将是物理学家和数学家进一步探讨的对象. 关键词： 非线性耦合标量场方程 sinh-Gordon方程展开法 双周期解 精确解     

朗缪尔孤立波与光孤立波的耦合(Ⅰ)

本文得到了高低频、双流体、无外磁场,初始密度为均匀时,等离子体动力学方程组的一个双向一维平面高频横波(光波)和纵波(Langmuir波)耦合的孤立波系,它的离子密度凹陷的深度和宽度与实验结果基本一致。这种耦合的孤立波与单独的光孤立波或Langmuir孤立波比较,表现出若干新的性质。     

锗中隧道电流过程的理论(Ⅰ)——杂质引起的隧道电流

这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(～10¹⁹厘米^-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。 关键词：