横向交、直流电流对蓝青铜K0.3 MoO3的 I-V特性的调制效应

通过I-V特性测量,研究了横向交、直流电流对蓝青铜K0.3MoO3中电荷密度波(CDW)动力学行为的影响.实验结果表明,无论是直流还是交流,随着横向调制电流的增大,CDW滑移的阈值电场均会相应地减小;但横向交流电流的调制效应较小,可能更接近本征的效应.考察了横向交流电流的调制效应与其频率的依赖关系.     

蓝青铜K0.3MoO3单晶Peierls相变研究

测量了蓝青铜K_0.3MoO₃单晶Ｒ-Ｔ曲线，发现曲线在２８０Ｋ左右有异常变化，计算得到１８０Ｋ以下的半导体能隙为１３２０Ｋ（０.１１ｅＶ）．液氮温度下测量了晶体的非线性导电性，得到电场阈值为０.1２９Ｖ／ｃｍ．样品ＤＳＣ研究表明，样品在２４０Ｋ处经历一新的Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，且为一级相变，据此对相变的微观性质进行了定量计算．１８０Ｋ附近Δｃ_p-Ｔ曲线表明，１８０Ｋ处的相变为一个二级相变加一个一级相变 关键词：     

蓝青铜Tl0.3MoO3单晶电荷密度波的低频钉扎效应

在１０Ｈｚ至１３ＭＨｚ频率范围内,我们对蓝青铜Ｔｌ０．３ＭｏＯ３单晶在电荷密度波态不同温度下的复电导进行了系统的研究。在非共振区,Ｔｌ０．３ＭｏＯ３单晶的电导行为与Ｒａｍａｎｕｊａｃｈａｒｙ等人所报道的相一致。但是在低频区所观察到共振现象的特征钉扎频率比该小组所报道的小一个量级,而与Ｋ０．３ＭｏＯ３具有相同的量级。通过加上一个Ｄｒｕｄｅ项,利用谐振子模型拟合实验数据,我们得到了单粒子能隙,电子的有     

电荷密度波材料K0.3MoO3及W掺杂样品的红外光学响应的研究

研究了准一维材料K03MoO3以及掺杂了3%和15%的W的样品在TCDW=180K以上和以下的温度时的光反射谱和电导率谱.在此基础上讨论了伴随着Peierls相变产生的相声子和单粒子能隙,以及W掺杂对CDW凝聚的影响 关键词： 电荷密度波 Peierls相变     

二维钾、钠紫青铜单晶A0.9Mo6O17(A=K,Na)的热电势特性

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自由电子为支配载流子；而在Ｔ＜１０５Ｋ的低温ＣＤＷ态，Ｓ为正值，可表示为Ｓ＝Ａ′Ｔ＋Ｂ′／Ｔ的形式，载流子的声子曳引热电势占支配作用．（２）对钠紫青铜，在Ｔ＞８０Ｋ范围内Ｓ与Ｔ具有很好的线性关系，没有观察到Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，电子为支配载流子．对造成两者差异的根源，也作了初步探讨 关键词：     

K3C60晶体中的电子屏蔽效应

用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要 关键词：     

La0.3Sr0.7TiO3模板层对Pb(Zr0.5Ti0.5)O3薄膜的铁电性能增强效应的研究

通过sol-gel法在Si (111) 基片上分别制备了LaNiO₃(LNO)底电极和LaNiO₃/La_0.3Sr_0.7TiO₃ (LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel 方法，在两种衬底上分别制备了Pb (Zr_0.5Ti_0.5)O₃ (PZT)铁电薄膜.XRD分析表明，两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构，且在LNO底电极上的PZT薄膜呈(100) 择优取向，而在LNO/LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向.铁电性能测试表明，相对LNO衬底上制备的PZT薄膜，在LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜的剩余极化强度得到了有效的增强，同时矫顽场也增大.介电常数和漏电流的测试表明，LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的介电常数和漏电流. 关键词： PZT薄膜 铁电性 漏电流 0.3Sr_0.7TiO₃')" href="#">La_0.3Sr_0.7TiO₃     

多晶La0.7Sr0.3MnO3的低温输运性质和磁电阻效应

详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSM)的电阻率和磁电阻效应,以及它们的温度依赖性.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250K附近存在一最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K附近存在一极小值.也就是说在低于50K的温度范围内,随着温度降低ρ反而升高,表现为绝缘体性的导电特性.经研究发现,这种随温度降低ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^-1/2)符合得很好 关键词： 0.7Sr_0.3MnO₃')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3－δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(<50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50—250K的温度范围内,其电阻率与T²成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应. 关键词： 0.7Sr_0.3MnO_3-δ')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO2)4(WO3)2 m(m=6)的磁电阻研究

对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO₂)₄(WO₃)_2m(m=6)在2—300K温区内的磁电阻及在2K时的Δρ/ρ_０-B关系进行了 实验研究.利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释,理论和实验相 符合,并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为3.0meV,电子在低温下的迁移率为0.0 42m²V^-1s^-1 关键词： 低维导体磁电阻 电荷密度波     

Charge density waves in nanocrystalline thin films of blue bronze K0.3MoO3

Thin granular films of charge density wave (CDW) system K_0.3MoO₃ were prepared by pulsed laser deposition and investigated by various standard characterization methods such as GI-XRD, electric transport, TOF-ERDA, AFM and UV–visible spectroscopy. While all these methods indicate that the thin films consist of nanometer grains of K_0.3MoO₃, it is only the non-destructive femtosecond time-resolved spectroscopy (fsTRS) that demonstrates the charge density wave nature of the ground state and therefore proves directly the presence of K_0.3MoO₃. Furthermore, the comparison of the fsTRS data obtained in thin films and in single crystals shows the reduction of the charge density wave transition temperature and of the photoinduced signal strength in granular thin films with respect to single crystals, which is attributed to the granularity and crystal growth morphology. Our results establish fsTRS technique as the essential tool for the detection and characterization of complex ground states in nano-sized systems.     

电脉冲对多晶La0.7Ca0.3MnO3比热的影响

对电脉冲诱导的不同电阻态下La_0.7Ca_0.3MnO₃样品的比热进行了研究.实验结果表明,电脉冲导致La_0.7Ca_0.3MnO₃样品比热随电阻状态发生可逆变化.比热随电阻状态的减小而减小.低温比热拟合及不同电阻状态下的比热差与温度关系说明,声子对比热的贡献不随电阻状态变化,磁性和载流子对比热的贡献是导致La_0.7Ca_0.3MnO₃样品比热变化的原因.电脉冲诱导O离子沿一维扩展性缺陷的电化学迁移,导致材料中局部区域的O离子浓度发生变化.O离子浓度的变化导致载流子浓度的变化,同时载流子浓度的变化将使得低温下磁性耦合强度发生变化,从而导致比热发生变化.     

K3C60在200K附近的取向相变机理

研究了K₃C₆₀单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K₃C₆₀在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40 关键词： 3C₆₀')" href="#">K₃C₆₀ 取向相变机理     

网状钼酸铋的可见光催化活性

采用无助剂、无模板的水热法成功合成网状Bi₂MoO₆. pH值对这一形貌的形成起重要作用. 所制备的网状Bi₂MoO₆样品表现出优异的可见光催化活性,其光催化活性比固相法合成的块状Bi₂MoO₆样品高得多.     

La0.7Ca0.3MnO3和CeO2混合块状样品电输运性质及使用分形迭代电阻网络模型的计算模拟

固相反应方法制得的La_0.7Ca_0.3MnO₃ (LCMO)粉末与Ce O₂粉末均匀混合后压块烧结,对其进行了电阻率随温度变化的测量.观察到样品电阻率存在绝缘体-金属转变. 研究了烧结工艺、CeO₂的混合比例与样品的电阻率、结构和表面形貌的关系.结 果表明， 制备工艺对材料性能有相当大的影响，其中较低温度的烧结主要影响小晶粒及其晶粒间界， 而高温长时间烧结将影响大晶粒的形成.利用三维随机电阻网络（RRN）模型和蒙特卡罗方法 对这种混合块状样品的输运性质进行了模拟，模拟中使用了一种新的RRN平均方法.该模型得 到的数值模拟结果与实验结果在定性上是一致的.这说明以RRN模型来理解LCMO(x)-CeO ₂(1-x) 复合体系的导电状况是合理的，提出的随机电阻网络平均方法是合适的 . 关键词： 0.7Ca_0.3MnO₃')" href="#">La_0.7Ca_0.3MnO₃ 绝缘体-金属转变 随 机电阻网络 蒙特卡罗模拟     

Sol-gel growth of Gd2MoO6:Eu nanocrystalline layers on SiO2 spheres (SiO2@Gd2MoO6:Eu) and their luminescent properties

SiO₂@Gd₂MoO₆:Eu³⁺ core-shell phosphors were prepared by the sol-gel process. X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), field emission scanning electron microscopy (FESEM), energy-dispersive X-ray spectra (EDS), transmission electron microscopy (TEM), photoluminescence (PL) spectra as well as kinetic decays were used to characterize the resulting SiO₂@Gd₂MoO₆:Eu³⁺ core-shell phosphors. The XRD results demonstrate that the Gd₂MoO₆:Eu³⁺ layers on the SiO₂ spheres begin to crystallize after annealing at 600 °C and the crystallinity increases with raising the annealing temperature. The obtained core-shell phosphors have a near perfect spherical shape with narrow size distribution (average size ca. 600 nm), are not agglomerated, and have a smooth surface. The thickness of the Gd₂MoO₆:Eu³⁺ shells on the SiO₂ cores could be easily tailored by varying the number of deposition cycles (50 nm for four deposition cycles). The Eu³⁺ shows a strong PL luminescence (dominated by ⁵D₀-⁷F₂ red emission at 613 nm) under the excitation of 307 nm UV light. The PL intensity of Eu³⁺ increases with increasing the annealing temperature and the number of coating cycles.