Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 .     

红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度

采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度,并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。     

MOCVD—Hg1—xCdxTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究

从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴＥ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算。结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关,其透过率不能直接反映材料的内在质量。计算结果还表明,外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响。运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析,发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制,并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜     

Hg1—xCdxTe重力分离研究

通过实验证实了Hg_(1-x)Cd_xTe熔体中存在HgTe与CdTe之间的重力分离。理论分析表明,Hg_(1-x)Cd_xTe熔体中的HgTe粒子服从玻尔兹曼分布律,HgTe粒子的质量为4.07×10~(-18)g(在835℃)。     

Hg1—xCdxTe组分与红外透射光谱的关系

根据Hg_(1-x)Cd_xTe吸收系数与光子能量之间的指数关系和文献[3]的实验结果,推导出由透射光谱求组分x的表达式。该式的使用不受测量温度和晶片厚度的限制。实验结果表明,用本文给出的表达式求出的x值与用Finkman法和密度法得到的x值是一致的,但比Finkman法简便。     

GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

利用红外椭偏光谱法（IRSE）对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究。通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较。     

氢钝化对Hg1—xCdxTe红外透射谱的影响

采用红外透射测量观测了氢钝化对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶片的影响,用分层模型计算了晶片射率,分析了氢钝化增加其透射率,吸收边向短波方向移动,低于禁带宽度能量的吸收降低,透过范围减小的原因。表明氢钝化不仅影响到表面,而且影响到整个体内。原因是经氢钝化处理后杂质或缺陷受到有效钝化,载流子浓度降低,组分Ｘ增加;荷电杂质或缺陷的局域内场影响发失变化;以及荷电杂质或缺陷散射增强。     

Hg1—xCdxTe光导探测器的电学参量分析

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中,发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系,由此得到的电学参数与实验及ＳｄＨ测量获得的结果非常符合     

Hgl-xCdxTe的拉曼光谱

我们发观Hg1-xCdxTe的拉曼散射峰随着温度的变化会发生频移,它的二级散射峰来自L01+LO1,LOl+LO2,L02+LO2,并且它们的强度对晶体的完整性较敏感.同时也发现Hgl-xCdxTe中的Te的沉淀相和Te的氧化物相的拉曼散射峰.     

碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究

采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则取决于被研究面的结晶学取向。实验还观察到经过长期高温退火的晶体中单个位错成规则的点阵分布，或排列成位错墙。此外也观察到孪晶，多晶以及第二相等结构缺陷。     

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

采用Sentaurus TCAD 软件对 n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析。结果表明,结深对电流的影响受吸收层厚度和p区载流子浓度两方面的作用。对不同波长二极管的电流随结深的变化情况进行了拟合,得出了不同波长条件下电流达到最大值时的结深大小。     

用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分

选用组分均匀的碲镉汞Hg1-xCdxTe晶片(x＝0.170-0.300 mole CdTe),在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱,取透射比为5%对应的波数值,对实验数据进行拟合,得到了碲镉汞晶体组分与透射比为5%对应的波数值和晶片厚度之间的经验关系式(简称经验式).结果表明:用本文的经验式得到的组分值不受晶片厚度的影响,准确而可靠.本文拟合的经验式适用于红外透射法测量任意厚度碲镉汞材料的组分计算,同时还可用它研究Hg1-xCdxTe晶片组分的均匀性.     

Hg1—xCdxTe的输运行为研究

简要介绍本实验关于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的经典输运和量子输运行为的研究。     

不同电极尺寸对光电二极管电流的影响

基于Sentaurus TCAD 软件对n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过仿真发现随着像元电极尺寸的减小,光电二极管反向电流也逐渐减小。针对这一现象从金属层对冶金结电势分布的影响和被吸收的光子数目Q两个角度进行了分析。金属层对半导体材料表面的电势分布具有调制作用,随着电极尺寸的减小,二极管的反向电流减小;随着像元电极尺寸的减小,被吸收的光子数目减小,导致光电二极管反向电流减小;以上两个方面都会引起光电二极管电流随着电极尺寸的减小而减小。     

Hg1-xCdxTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化

表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要。本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表面漏电流机制及其钝化技术的发展状况。     

金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。     

Hg1-xCdx Te晶体生长及太赫兹性能研究

利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体,通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统,研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2～1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xC...