电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究

采用动电位扫描，循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴米多层膜的电沉积机理，结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态，基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制。     

电化学方法制备铜钴纳米多层膜

采用旋转圆盘电极、双脉冲电位法从单一的含有铜离子和钴离子的镀液中电沉积Ｃｕ－Ｃｏ纳米多层膜、并用ＴＥＭ．ＡＥＳ和Ｘ－射线衍射研究镀层的形貌和组成。结果表明：多层膜结构为纯铜和含有少量铜的铜钴合金层交替组成,铜在钴层中的含量,随镀液中的铜含量的增大和转速的提高而提高。     

纳米金属多层膜与多层纳米线的电化学制备及其表征

分别采用单槽法和双槽法电沉积Cu/Co多层膜.研究了两种电沉积方法制备多层膜的工艺条件,利用电化学方法、XRD和SEM对多层膜进行表征,并对Cu/Co多层膜的巨磁阻性能进行了测试. 采用电沉积多层膜的方法，以多孔铝阳极氧化膜（AAO）为模板,在纳米孔内沉积Cu/Co多层线,采用TEM对多层纳米线进行了表征.     

自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应

采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)基体上以NiFe 薄膜为缓冲层制备了[Ni80Fe20/Cu/Co/Cu]n自旋阀多层膜, 并确定了电沉积的工艺条件. 利用X射线衍射(XRD)表征了自旋阀多层膜的超晶格结构, 研究了NiFe缓冲层对自旋阀生长取向的影响. 采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响, 通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线. 自旋阀的巨磁电阻(GMR)值最初随着铜层厚度的变化并发生周期性振荡, Cu 层厚度为3.6 nm时, GMR 达到最大值,随后逐渐减小. 随着Co层和NiFe 层厚度的增大, GMR 值的变化趋势均为先增大后减小. 当自旋阀的结构为NiFe(25 nm)/[Cu(3.6 nm)/Co(1.2 nm)/Cu(3.6 nm)/NiFe(2.8 nm)]30时, GMR 值可达5.4%, 对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.2%·Oe-1, 饱和磁场仅为350 Oe.     

超晶格多层膜的电化学制备、表征及其GMR特性的研究

以半导体Si为衬底,电化学沉积Cu/Co超晶格多层膜,用SEM表征多层膜的断面形貌.XRD研究表明,多层膜的调制波长为20～160 nm时,膜层间发生外延生长.随着调制波长的减小,外延生长对膜层结构的影响越来越明显.当调制波长小于20 nm时,在XRD强衍射峰的两侧出现卫星峰,表明多层膜形成超晶格结构.根据卫星峰位置计算的调制波长与由法拉第定律估算的结果非常接近.多层膜的巨磁电阻(GMR)性能随多层膜周期数的增加而增大;当周期数大于300时,GMR性能基本上不再随周期数变化,说明基体的导电性质对GMR的影响可以忽略.     

重氮树脂单层膜上铜的无电沉积

组装于硅片或玻璃片基片上的重氮树脂(DR)单层膜,吸附SnCl₂,Pd催化剂后,通过无电沉积的方法,在这些基片上制备了铜膜.对得到的铜膜进行了SEM,XRD表征.通过选择性无电沉积,成功地制备了铜膜图像.     

液膜富集高纯稀土氧化物中痕量铜钴镍钙镁

本文建立了用Ｐ２０４－Ｎ２０５－煤油－ＨＣＬ－Ｈ２ＳＯ４液膜体系分离富集了高纯稀土氧化物中铜、钴、镍、钙、镁等杂元素的方法，并与火焰原子吸收相结合，测定氧化镱、氧化轧等样品中的杂质元素，结果令人满意。     

二甲基亚砜中E-Ni-Co合金膜的电化学制备

利用循环伏安法和恒电位电解法研究了室温条件下在LiClO4-二甲基亚砜(DMSO)体系中Er-Ni-Co功能合金膜的电化学制备.实验结果表明, 在0.1 mol•L－1 ErCl3-0.1 mol•L－1 NiCl2-0.1 mol•L－1 CoCl2-0.1 mol•L－1 LiClO4-DMSO体系中,控制电位在－2.20～－2.50 V范围内进行恒电位电解,得到表面均匀、附着力强、有金属光泽的黑色非晶态Er-Ni-Co合金膜, 其中Er的质量分数可达9.21％～18.90％.     

稀土在电沉积镍-钴合金中的作用

由于稀土元素具有独特的电子层结构和化学性能,使稀土及其化合物在材料科学领域中的应用越来越广泛,尤其是稀土在电沉积过程中的研究及应用正日趋深入。这是因为在电镀溶液中加入少量的稀土化合物后,可以改善镀液的分散能力和深镀能力,提高电镀的电流效率,增加镀层的硬度和耐蚀性等[1 4],但有关稀土在电沉积镍 钴合金中的作用的研究还未见报道。本文研究了在硫酸盐体系镍 钴合金电镀液中加入少量的稀土化合物后对电沉积过程、合金电极的催化性能、合金镀层的形貌和成分的影响。1　实验方法基础镀液成分(g/L)为NiSO4·7H2O200,CoSO4…     

六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管修饰电极研究

采用电沉积方法制备六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管复合修饰电极(CuCoHCF-MWCNTs/GCE).研究碳纳米管用量、电解液组成对该修饰电极性能的影响.结果表明,与单一的六氰合铁酸铜钴薄膜修饰电极相比,六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管复合修饰电极具有更优良的电化学特性,以其催化氧化过氧化氢,峰电流与过氧化氢浓度在3.16×10-5～2.92×10-3mol·L-1范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip(μA)=0.5529+1.1299C(×10-4mol·L-1),相关系数r=0.9966,检出限为1.75×10-5mol·L-1.     

液膜富集－原子吸收法测定碱金属盐中的铜、钴、镍

液膜富集－原子吸收法测定碱金属盐中的铜、钴、镍于惠芬，王爱霞，王云平，徐书绅，杨光强（长春师范学院化学系长春　１３００３２）关键词液膜富集，铜，钴，镍，原子吸收法应用乳状液膜富集痕量金属，在分析化学领域是一种新方法，已有一些文献报道［１－３］。本文在...     

无脂链磺化酞菁铜多层膜体系：电子非弹性平均自由程的研究

磺化酞菁铜多层膜体系是利用Langmuir-Blodgett技术制备的有序有机分子膜,它对于XPS测试有很好的稳定性,本文在固定电子出射角的条件下利用XPS方法研究了不同厚度的膜样品中Cu_((2(?))_(3/2))、Ni_(1(?))、S_(2p)峰强度的变化规律,讨论了膜内分子有序排列引起的散射效应对电子平均自由程的影响。     

电镀液和电镀层中钯和钴的分光光度法同时测定

在ＰＨ＝４．５的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中,钴和钯都能与２－「２－（６－甲基苯并噻唑）偶氮」－５－「Ｎ－甲基－Ｎ－乙羧基」苯甲酸（简称ＭＣＢ）形成络合物。在λ＝７１０ｎｍ处Ｃｏ－ＭＣＢ不吸收;在６１０．５ｎｍ处Ｃｏ－ＭＣＢ有最大吸收,而Ｐｄ－ＭＣＢ也有一定的吸收值。利用这一差异,在可６１０．５ｎｍ处测定Ｐｄ和Ｃｏ的合量,而在７１０ｎｍ处测定Ｐｄ的含量学与化学传感再利用系数法算出Ｃｏ的含量。测定了纯性范     

铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学

用动电位伏安法对含镍量10％、30％和50％的铜镍合金以及含钴量5.1％、9.7％、15 ％、25％和40％的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液（pH 8.5）中的光电化学行为进行了 研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应,铜镍合金的光响应来自Cu2O,铜钴合金的光 响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10％和30％的铜镍合金电极以及含钴量5.1％铜钴合金电极的 最大光电流iph,max均大于纯铜电极,含钴量15％、25％和40％的铜钴合金电极以及含镍量 50％的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有,iph,max 小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值（电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位 ）负于纯铜电极,而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等, NiO的存在致使铜镍合金 表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph,max反映铜合金的耐腐蚀性能 与交流阻抗法测得的结果相符.     

电沉积条件对钴-锰合金结构和磁性能的影响

以柠檬酸为络合剂和硼酸为缓冲剂的酸性硫酸盐镀液中电沉积Co-Mn合金,循环伏安实验显示Co-Mn的起始共沉积电位约-1.282 V(vs.Hg-Hg2SO4 , sat.K2SO4)。借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS) 、X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM) 研究了沉积条件对镀层结构和磁性能的影响。结果表明,Co-Mn镀层的组成受沉积条件影响较大;在镀液pH 4.0时,随着阴极电流密度从10 mA•cm-2增加到40 mA•cm-2,镀层中锰含量从0.3 at%增大到6.6 at%;镀层结构由hcp的固溶体转为fcc的固溶体;随着镀层中锰含量增加,膜的饱和磁化强度开始增大,然后降低,最大饱和磁化强度为1926.0 kA•m-1,膜的矫顽力在31.6 ~ 33.9 kA•m-1范围。     

电化学交流阻抗技术表征自组装多层膜

采用电化交流阻抗技术对一种新型电极表面修饰的自组装多层膜进行表征,通过阻抗谱分析,得出电荷传递电阻和双电层电容与膜层数的关系,证明该多层膜随数增加具有均匀增长,结构致密等特性.     

液膜富集——火焰原子吸收法测定茶中微量铜,铁,钴,锌,镉

茶中微量元素的含量是评价茶叶质量的重要指标，由于这些微量元素的含量很低。通常在测定前进行预富集，本文提出了一个用液膜法富集的方法，其富集倍数可达１００倍，回收率在９５％～１０３％之间，５种元素的火焰原子吸收法测定结果，均令人满意，实验条件的选择用正交试验法，较一般常用的因素轮换法更为准确，也更为省时省力。     

二甲基甲酰胺中电沉积制备钐钴合金

稀土;恒电位电沉积;柠檬酸;二甲基甲酰胺中电沉积制备钐钴合金