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运用基于第一性原理的平面波贋势法,计算研究了Al (111)/Al_3Li (111)的界面性质.结果表明:Al (111)/Al_3Li (111)的界面具有三种原子配位关系结构,其中界面处仍保持与基体Al一致的三明治堆垛构型的界面稳定性最好.计算表明,该结构界面最薄弱层,位于Al_3Li (111)内,其分离功最小(约1.53 J/m~2),强度最弱,而基体Al和Al_3Li内部的强度随着到界面距离的增大而逐渐增强. 相似文献
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利用第一性原理方法,本文研究了岩盐结构的SrC块材、(111)表面和(111)界面的电子结构和磁性.块材的SrC被证实是一个良好的d~0半金属铁磁体.计算结果显示(111)方向的C表面和Sr表面都保持了块材的半金属性.对于(111)方向四个可能的界面,态密度的计算显示C-Pb界面呈现半金属特性.本文对岩盐结构SrC块材、(111)表面和(111)界面半金属性的研究结果,将为高性能自旋电子器件的实际应用提供一定的理论指导. 相似文献
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本文针对在多种催化反应的重要中间体乙烯,使用(meta)-GGA等级的包含PBE,BEEF-vdW,SCAN以及SCAN+rVV10在内的多种交换关联泛函,系统研究了在过渡金属表面(Ag,Rh和Ir)上乙烯吸附势能面对泛函的依赖关系. 研究发现,对于乙烯在贵金属Ag(111)上的吸附,除了PBE外,BEEF-vdW,SCAN以及SCAN+rVV10均能预测出物理吸附态的存在. 对于乙烯在Rh(111)面的吸附,SCAN和SCAN+rVV10预测在化学吸附位之前存在有物理吸附前驱态,而基于PBE和BEEF-vdW的势能面并没有发现前驱态的存在. 而对于乙烯在Ir(111)上的吸附,BEEF-vdW也能微弱地预测出化学吸附前驱态的存在. 研究结果表明,无论在哪一种金属表面上,四种泛函中SCAN+rVV10给出的吸附能最强,其次是SCAN,最后是PBE或者BEEF-vdW. 相似文献
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We investigate the adsorptions of Ar on Al (111) and Ir (111) surfaces at the four high symmetry sites,i.e.,top,bridge,fcc-and hcp-hollow sites at the coverage of 0.25 monolayer (ML) using the density functional theory within the generalized gradient approximation of Perdew,Burke and Ernzerhof functions.The geometric structures,the binding energies,the electronic properties of argon atoms adsorbed on Al (111) and Ir (111) surfaces,the difference in electron density between on the Al (111) surface and on the Ir (111) surface and the total density of states are calculated.Our studies indicate that the most stable adsorption site of Ar on the Al (111) surface is found to be the fcc-hollow site for the (2 × 2) structure.The corresponding binding energy of an argon atom at this site is 0.538 eV/Ar atom at a coverage of 0.25 ML.For the Ar adsorption on Ir (111) surface at the same coverage,the most favourable site is the hcp-hollow site,with a corresponding binding energy of 0.493 eV.The total density of states (TDOS) is analysed for Ar adsorption on Al (111) surface and it is concluded that the adsorption behaviour is dominated by the interaction between 3s,3p orbits of Ar atom and the 3p orbit of the base Al metal and the formation of sp hybrid orbital.For Ar adsorption on Ir (111) surface,the conclusion is that the main interaction in the process of Ar adsorption on Ir (111) surface comes from the 3s and 3p orbits of argon atom and 5d orbit of Ir atom. 相似文献
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发现111号和110号新元素德国重离子研究中心GSI的S.Hofmann和P.Armbuster等人组成的国际合作研究组(成员有GSI,俄罗斯杜布纳核研究所,斯洛伐克的Comenius大学和芬兰Jyvaskyla大学),于1994年12月17日(GS... 相似文献
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氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。
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We report on a two-step method for oxidation of Pb(111) surfaces, which consists of low temperature (90K) adsorption of 02 and subsequent annealing to room temperature. In situ scanning tunnelling microscopy observation reveals that oxidation of Pb(111) can occur effectively by this method, while direct room temperature adsorption results in no oxidation. Temperature-dependent adsorption behaviour suggests the existence of a precursor state for 02 adsorption on Pb(111) surfaces and can explain the oxidation-resistance of clean Pb(111) surface at room temperature. 相似文献
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Si{111}的吸附表面结构 总被引:1,自引:1,他引:0
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Si{111}表面的表面结构。结果显示出:对Al、Ga、Bi和Au原子,形成α-Si{111}3×3R30°-M或β-Si{111}3×3R30°-M结构的共价吸附。对Li、Na和Ag原子,形成正离子吸附,全部经高温解吸后,便诱导出Si{111}1×3重构。对Te原子,形成负离子吸附,经高温解吸后,便诱导出Si{111}类(1×1)结构。 相似文献
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本文针对在多种催化反应的重要中间体乙烯,使用(meta)-GGA等级的包含PBE,BEEF-vdW,SCAN以及SCAN+rVV10在内的多种交换关联泛函,系统研究了在过渡金属表面(Ag,Rh和Ir)上乙烯吸附势能面对泛函的依赖关系.研究发现,对于乙烯在贵金属Ag(111)上的吸附,除了PBE外,BEEF-vdW,SCAN以及SCAN+rVV10均能预测出物理吸附态的存在.对于乙烯在Rh(111)面的吸附,SCAN和SCAN+rVV10预测在化学吸附位之前存在有物理吸附前驱态,而基于PBE和BEEF-vdW的势能面并没有发现前驱态的存在.而对于乙烯在Ir(111)上的吸附,BEEF-vdW也能微弱地预测出化学吸附前驱态的存在.研究结果表明,无论在哪一种金属表面上,四种泛函中SCAN+rVV10给出的吸附能最强,其次是SCAN,最后是PBE或者BEEF-vdW. 相似文献
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TDPAC of -rays emitted from111Cd(111In) in -Fe2O3 was measured at 85K. A fairly strong nuclear spin relaxation was observed in the TDPAC spectrum in an initial period of about 50ns. After that period, the perturbation factorG
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(t) could be analyzed assuming a unique static interaction. The EFG parameters observed in this region deviate a little from the ones expected from the crystal symmetry. These findings are qualitatively explained by the after-effects of the preceeding111In(111Cd) EC decay. 相似文献
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本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。
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基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献