偶氮染料掺杂高分子薄膜的光谱和光存储性质研究

利用旋涂法,制备了以二乙基胺基〖Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２〗作为推电子基因、以具有强电负性的羧基（ＣＯＯＨ）作为拉电子基团的推－拉型偶氮染料掺杂的高分子（ＰＭＭＡ）薄膜。在室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射光谱和透过光,发现该薄膜在４００～５５０ｎｍ波长范围内具有强的吸收。在５１４．５ｎｍ光盘静脉测试仪上测试了膜片的静脉光存储性能,结果表明,用低功率Ａｒ＾＋激光（５１４．５ｎ     

High Reflection Ge_(0.45)Te_(0.55) Recording Films

ＨｉｇｈＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＧｅ０．４５Ｔｅ０．５５ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＦｉｌｍｓＬＩＵＨｕｉｙｏｎｇＪＩＡＮＧＦｕｓｏｎｇＭＥＮＬｉｑｉｕＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ＆ＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉ...     

GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高     

新型AgInSbTe相变薄膜的光学及记录性能

利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193．92℃。X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200℃热处理,X射线衍射图出现衍射峰,薄膜从非晶态转变到晶态。同时,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化。测定了650nm激光作用下的相变薄膜的记录性能,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响,在同一记录脉宽条件下,记录功率越大,反射率衬比度也越大;在同一记录功率条件下,随记录脉宽的增加,反射率衬比度也增大。结果表明,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度,可获得良好的记录性能。     

原子力显微镜对TeOx薄膜中短波长静态记录点结构的分析

以真空蒸镀法在K9基底上制备了TeOx单层薄膜,采用特定的定位方法,使用原子力显微镜对不同记录功率下薄膜中短滤长静态记录点（514．5nm)的结构进行了分析。实验结果表明薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1．5mW时就可产生较高的反射率对比度,记录点具有明显的凹陷和凸起结构,随着记录功率的提高,凹陷和凸起增强,记录点增大。记录点的形态结构和记录前后反射率对比度是直接相关的。研究揭示了原子力显微镜在提高薄膜存储特性如信噪比,存储密度等方面的分析功能。     

酞菁铜薄膜的光记录特性

研究了有机染料酞菁铜（ＣｕＰｃ）真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数，发现酞菁铜薄膜在５５０－７５０ｎｍ波长范围内具有较强的吸收，在静态测试仪上测试了酞菁铜薄膜的光存储记录特性，发现用低功率氦氖激光照样品时薄膜反射率变化较大，在酞菁记录层上覆盖金属反射层将提高写入激光的阈值能量并且增大反射率的对比度。     

Ge2Sb2Te5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究

利用直流磁控溅射制备了单层Ge₂Sb₂Te₅薄膜,研究了薄膜在400～800 nm区域的反射、透过光谱,计算了它的吸收系数,发现薄膜在400～800 nm波长范围内具有较强的吸收.随着薄膜厚度的增加,相应的禁带宽度Eg也随之增加.对Ge2Sb2Te5薄膜光存储记录特性的研究发现,在514.5 nm波长激光辐照样品时,薄膜具有良好的写入对比度,擦除前后的反射率对比度在6%~18%范围内.对实验结果进行了分析.     

磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ。从这一角度讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的记录介质。另外，采用波长为５１４．４ｎｍ的短波长光学静态记录测试仪对Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３薄膜的记录性能进行了测试，结果表明，这种薄膜短波长记录性能较好，它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。     

Determination and analysis of the optical constants of thin films of nickel(II) and copper(II) hydrazone complexes by spectroscopic ellipsometry

Thin films of four nickel(II) and copper(II) hydrazone complexes, which will hopefully be used as recording layers for the next-generation of high-density recordable disks, were prepared by using the spin-coating method. Absorption spectra of the thin films on K9 optical glass substrates in the 300–700 nm wavelength region were measured. Optical constants (complex refractive indices N) and thickness d of the thin films prepared on single-crystal silicon substrates in the 275–675 nm wavelength region were investigated on a rotating analyzer-polarizer scanning ellipsometer by fitting the measured ellipsometric angles (Ψ(λ) and Δ(λ)) with a 3-layer model (Si/dye film/air). The dielectric functions ε and absorption coefficients α as a function of the wavelength were then calculated. Additionally, a design to achieve high reflectivity and optimum dye film thickness with an appropriate reflective layer was performed with the Film Wizard software using a multilayered model (PC substrate/reflective layer/dye film/air) at 405 nm wavelength. PACS 81.05.L; 78.20.Ci; 78.20.-e     

蓝光相变光盘的多层膜结构设计

为了使光盘获得优良的记录／读出性能并能够长期稳定地使用，必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件，从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构，研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为：下介电层／记录层／上介电层／反射层的厚度对于台记录为100nm／10nm／25nm，／60nm，而对于槽记录则为140nm／15nm／30nm，／60nm，槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。     

Optical Recording Performance of Azo Nickel Chelate Thin Film

The absorption,transmission and reflection spectra of spin-coated films of Ni(azo)2 (azo nickel chelate) were measured. Because of the intermolecular aggregation,the absorption peak of Ni(azo)2 thin film has a red-shift of about 40 nm with respect to that of it in methanol solution. The fabricated optical disk showed a reflectivity of 48% and its carrier-noise ratio (CNR) was greater than 45 dB when recording with 7.5 mW laser power at the wavelength of 780 nm.     

Optical properties and crystallization of AgInTeSbGe phase-change optical disk media

AgInTeSbGe thin films were deposited by the dc sputtering method. Due to germanium doping in the AgInTeSb film, new Ag₂Te and Ge₂Sb₂Te₅ crystalline phases were formed. The crystallization temperature and the activation energy of the AgInTeSbGe thin film increased manifestly with the addition of Ge. The refractive index n and the extinction coefficient k of the AgInTeSbGe film in the amorphous and crystalline states were measured. The reflectivity contrast of the AgInTeSbGe phase-change optical disk was greater than %30 in almost the whole visible region. A minimum recording mark of about 220 nm in length was recorded using the AgInTeSbGe thin film as the recording medium. The reflectivity contrast of the minimum recording mark was about %25. PACS 42.70.Ln; 61.72.Ww; 78.66.Li; 81.30.Hd     

Optical recording using hydrogen phthalocyanine thin films

Vacuum sublimed thin films of the blue dye hydrogen phthalocyanine (H₂Pc) were incorporated into various optical recording structures. The dye was shown to be thermally, hydrolytically, and oxidatively stable. In all cases, the writing mechanisms are dependent on the sublimation of H₂Pc. Several recording structures which take advantage of the sublimation property of H₂Pc are demonstrated, including pit forming and bubble forming media. These H₂Pc-based optical recording structures show very high optical contrast and low writing threshold energies. In addition, very thin films (50–75Å) of H₂Pc were incorporated into a tellurium-based medium, which significantly enhanced the writing contrast observed in that medium.     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。     

偶氮染料掺杂高分子PMMA薄膜的光学参数

在单晶硅片上,利用旋涂法,制备了偶氮染料掺杂高分子（ＰＭＭＡ）薄膜,可变入射角、波长扫描的全自动椭圆偏振光谱仪,研究了薄膜的复折射率、吸收系数和厚度,分析了影响薄膜电子光谱的因素。研究结果表明,该薄膜在４００～６００ｎｍ波长范围内,存在强而宽的吸收,并且发现分子聚集状态对该染料的吸收光谱有较大的影响。     

相变记录介质GaSb薄膜的光学性质、微观结构及其记录性质

本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α_0=0.6095nm,相变后薄膜的吸收减小,GaSb薄膜的光能隙由0.7eV升高为0.94eV.用精密四探针法测量了GaSb薄膜电阻随温度变化的过程.给出了GaSb薄膜的一次写入记录特性,研究了光致晶化记录畴的微结构.     

一种菁染料－聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能。该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率。在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比。信噪比（ＣＮＲ）、载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（ΔＲ）的对数（ｌｇΔＲ）成正比     

500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备

从双波长激光运转及和频的机理出发，对LD泵浦Nd∶YAG，LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上，为了达到最佳的和频输出，对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后，利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法，通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转，并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.     

单纤双向WDM滤光片的研制

随着光纤接入网的发展 ,对光纤器件的价格、性能等方面提出了更严格的要求。尤其是当光纤线路紧张时 ,需要进行单纤双向传输。滤光片是关键元件 ,它分别要求 1310nm透过时要大于 98%、15 5 0nm反射时要大于 95 %以上 ,或者 1310nm反射时大于 95 %、15 5 0nm透过时大于 98%以上 ,并且带宽为± 40nm。由于滤光片尺寸较小 ,必须切割划片 ,所以对膜层的牢固度有很高的要求。经过膜系优化和大量的工艺实验 ,提供的样品完全满足用户的要求 ,现已定型批量生产。     

染料LB膜吸收光谱和光学存储效应的研究

通过对新型的染料LB膜(花氰-花生酸复合LB膜)的吸收光谱的测试,说明了LB膜中染料分子H-聚体结构的存在,而在立体简并四波混频实验中观察到这种LB膜具有可逆的光学记录与擦除效应,实验表明,在其中建立一个稳定的光栅,所用的记录光脉冲强度为30MW/cm~2,需要的累积记录时间为80ns(10个脉冲).最后在简化的三能级系统中,以分子处于各态的布居光栅模型说明了光致H-聚体,单体之间的转化是这种光学记录效应的主要原因.