《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

(Zn,Cd)S∶Cu,Cl发光材料的热释发光

在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S∶Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种类和陷阱深度没有明显的影响,两个峰值温度在-150℃和-50℃附近。Cd离子的掺入改变了材料较深陷阱中载流子的浓度,随着CdS量的增加,使得在-50℃的热释发光峰的相对强度增大。通过测量样品的发光光谱和发光亮度,发现随着CdS含量的增加,样品材料的发射光谱向长波方向移动,发光亮度呈下降的趋势。     

(Zn,Cd)S：Cu,Cl发光材料的热释发光

在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S:Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种类和陷阱深度没有明显的影响,两个峰值温度在-150℃和-50℃附近。Cd离子的掺入改变了材料较深陷阱中载流子的浓度,随着CdS量的增加,使得在-50℃的热释发光峰的相对强度增大。通过测量样品的发光光谱和发光亮度,发现随着CdS含量的增加,样品材料的发射光谱向长波方向移动,发光亮度呈下降的趋势。     

多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于７４０ｎｍ附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。     

CaS∶Eu,Sm光存储材料的光谱特性

CaS∶Eu, Sm是一种典型的电子俘获型光存储材料,文章采用湿法在还原气氛中制备了CaS∶Eu, Sm粉末样品。测量了这种光存储材料的XRD、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、热释光谱以及光激励发光衰减曲线。XRD结果表明样品在1 050 ℃晶格已经形成。光谱测试结果说明紫外光可激发该材料,作为信息写入光源。样品被紫外光源饱和激发后,用980 nm红外激光激励,发射出峰值位于635 nm的红光。光激励发光起初衰减较快,随后有一个较长的平缓期。且样品具有合适深度的陷阱能级,能够稳定存储信息。对CaS∶Eu, Sm的光存储机理进行了探讨。     

Y_2O_3纳米晶体中Ln~(3+)(Ln=Tb,Tm,Eu)发光浓度猝灭及能量传递的研究

采用燃烧法制备了不同Ln3+(Ln=Tb,Tm,Eu)掺杂浓度和不同粒径的Y2O3:Im纳米晶体粉末样品,并通过高温退火获得了相应掺杂浓度的体材料样品.测量了纳米和体材料样品的发射光谱、XRD谱并拍摄了不同粒径样品的TEM照片.研究了纳米Y2O3:Ln晶体粉末中发光中心的浓度猝灭现象和不同发光中心之间的能量传递行为.研究发现,在Y2O3纳米晶体粉末中,Tb3:5D4→7F5和Eu3+:5D0→7F2发光的浓度猝灭与体材料中相似,而Tb3+:5D3→7F5和Tm3+:1D2→3H4发光的猝灭浓度明显高于体材料.这是因为纳米微晶的界面会阻止能量传递的进行,产生较强的尺寸限制效应,抑制发光材料中发光中心之间能量传递的进行,但不同类型的能量传递对粒径尺寸变化的依赖关系不同.尺寸限制效应对长程相互作用类型的能量传递(如电偶极一电偶极相互作用)的抑制作用明显,对短程相互作用类型的能量传递(如交换相互作用)的影响较小.     

稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了Nd,Ce稀土离了注入Si基晶片，在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光（PL）谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大，随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行了观察，结果显示，样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率。表面颗粒大小均匀，均方根粗糙度小的样品发光效率较高。通过对样品的卢瑟福背散射（RBS）能谱测量，对样品的表面结构进行了探讨，并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系。对样品的发光机理作了初步探讨。     

全反射X射线荧光分析植物粉末样品的制样方法研究

全反射X射线荧光光谱(TXRF)分析是一种应用广泛、经济快捷的多元素显微与痕量分析方法。随着现代科技机器自动化的快速发展,样品制备成为TXRF分析定量的关键问题。本实验以茶叶粉末为分析对象,探讨了在TXRF分析过程中分散剂、样品量及粒径对粉末悬浮样品的制样效果、制样过程重复性及测量准确性的影响。结果表明：（1）通过分析粒径范围大于180目的茶叶粉末样品的五个独立重复试样,测试了TXRF法的整体精密度,分析了仪器的稳定性与样品制备过程中的不确定度,结果表明不论在何种元素与浓度范围下,与样品制备步骤相关的不确定度对获得的结果的全局精度都有显著贡献（>60%）,样品的制备是分析误差的主要来源;（2）通过将粒径范围大于180目的茶叶粉末样品分散于1% Triton X-100与去离子水两种分散剂中,对分散剂的影响进行了研究,相较于非离子型表面活性剂,去离子水重复性更好,RSD在2.45%～11.64%之间,更适合作为粒径大于180目的茶叶粉末样品的分散剂,使得中、高Z元素的定量更为准确;（3）通过添加不同质量的粉末样品于5 mL去离子水中对样品量进行分析。样品量过低会导致制样重复性较差,而过高的进样量会导致样品薄膜厚度超过射线的测量厚度,有可能不再处于全反射条件下。对于植物粉末样品20 mg/5 mL是一个较为合适的样品量;（4）通过对7种粒径范围的粉末样品进行测量分析,研究了粒径对测量结果的影响。在粒径小于180目的范围内净计数随粒径的减小而增大;在粒径小于200目的范围内精密度随粒径的减小而提升;除Mn之外的元素粒径对准确性未有显著影响;在80～200目的范围内,不确定度迅速降低,大于200目后不确定度低于10%。综合考虑净计数、精密性与准确性,在制样过程中粒径范围建议研磨至200～300目之间,该研究结果可为植物粉末样品制样方法提供有效借鉴。     

CaS：Bi粉末发光材料

制备了ＣａＳ：Ｂｉ粉末发光材料，用Ｘ射线衍射分析了材料的晶体结构，测量了其激发光谱，发射光谱和直流电致发光光谱，蓝色发光峰位于４５０ｎｍ。     

上海光源XAFS线站时间分辨X射线激发发光谱实验系统

介绍了上海光源XAFS线站（BL14W1）的时间分辨X射线激发发光光谱（TRXEOL）实验系统。该系统基于时间相关单光子计数法的原理设计,以同步辐射光源的脉冲特性及其良好的时间结构为基础,通过集成定时系统、光谱仪系统和核电子学系统,在国内同步辐射装置上首次实现了TRXEOL实验方法。定时系统提供同步触发电脉冲,用来标志X射线脉冲打到样品上的时刻,同步精度约6 ps,延时分辨率5 ps;光谱仪经光电探测器把样品发光信号转换成电脉冲,核电子学系统对定时电脉冲和发光电脉冲之间的时间差进行统计分析,可得到样品的发光衰减曲线,再结合光谱仪的扫描控制和数据获取系统,可得到样品的TRXEOL光谱。利用该实验系统可以测量发光样品的普通XEOL光谱、发光衰减曲线和TRXEOL光谱。用ZnO纳米线样品,进行了实验验证。实验得到的普通XEOL光谱能够明显区分该样品在390和500 nm处的两个发光中心;得到的发光衰减曲线能够区分小于2 ns的快发光过程和200 ns的慢发光过程;分别在0～1, 2～200和0～200 ns时间窗口内测量得到了ZnO纳米线样品的TRXEOL光谱,在这3个发光时间带内得到了对应的发光信息;ZnO纳米线样品发光衰减曲线快发光峰的半高宽约为0.5 ns,证明了TRXEOL系统的最小时间分辨率小于1 ns。该系统在国内同步辐射装置上提供了用于研究发光材料的TRXEOL实验方法,该方法与发光模式的XAFS方法相结合,可更深入的研究发光材料的发光行为。整个实验平台操作简便、工作稳定可靠,不仅为发光材料的研究提供了研究手段,还为进一步开展发光模式XAFS和TRXEOL成像等实验方法提供技术前提。     

ICP-AES测定水中铜结果的不确定度评定

介绍了ICP－AES法测定水中铜的不确定度的评定方法。由于等离子质谱仪（ICP－MS）、紫外分光光度计（UVS）、原子吸收分光光度计（AAS）及原子荧光光度计（AFS）等仪器在定量分析中，校准曲线的绘制，标准样品的使用，测定结果的输出等方面与ICP－AES极为相似，因此本方法不仅可以用于水中其他元素和其他材料的测量结果的评定，而且还可以在评定ICP－MS、UVS、AAS、AFS等仪器的测定结果不的确定度时作参考。     

新型硅酸盐长余辉发光材料

首次在硅酸盐体系中发现了余辉时间长达10h以上的高亮度长余辉现象,并采用高温固相法合成了一系列硅酸盐长余辉发光材料。研究发现：Eu^2 ,Ln共激活的镁黄长石结构的焦硅酸盐化合物和镁硅钙石结构的硅酸盐化合物的余辉发光性能最好。研究了各发光材料的光谱特征、长余辉性能,测量了各发光材料的激发光谱和发射光谱以及余辉衰减曲线。同时研究了其应用性能,并测量了发光材料的热释光谱,x射线粉末衍射图谱,确定了发光材料的晶格类型。     

(Lu,Y)2SiO5∶Ce3+与SrSO4∶Dy3+材料低温热释光及其测试仪器的研究

为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品;STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85~400 K,升温速率范围为0.1~10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路,用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量,采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了（Lu,Y）₂SiO₅:Ce³⁺（LYSO:Ce³⁺）单晶闪烁体与SrSO₄:Dy³⁺粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO:Ce³⁺在108,200,380 K左右的热释光峰,发光波长位于390~450 nm之间,是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子（STE）发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时,Ce³⁺发射峰展宽为单一发射峰;SrSO₄:Dy³⁺发光峰温度为178,385 K,发光波长由Dy³⁺离子的能级跃迁决定,在480,575,660,750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明,系统人机交互界面友好,实验数据可靠,智能化程度高,操作简单。     

罗丹明101的高压荧光特性

 测定了粉末罗丹明101（Rhodamine 101）及其在溶剂（甲醇、乙醇、水的混合液）中的高压荧光光谱。结果表明,粉末样品和溶液样品在高压下的发光性质有很大的区别。对于粉末样品,随着压力的增加,Rhodamine 101的荧光强度下降很快,在大约8 GPa时荧光峰几乎消失;伴随着荧光强度的变化,荧光峰峰位发生了显著红移（8 GPa内红移了近100 nm）。对于溶液样品,其荧光强度随压力的增加降低较慢,到13 GPa时,强度约为常压的10%,荧光峰峰位红移较小（13 GPa内红移约50 nm）。在压力作用下,Rhodamine 101分子结构的变化和特殊的溶剂效应,分别是影响其在粉末状态和溶液中荧光性质的主要因素。     

第二配体对Sm(DBM)3掺杂的PMMA样品发光的影响

分别使用phen（1,10-邻菲咯啉）、TOPO（三正辛基氧化磷）、TPPO（三苯基氧化磷）作为第二配体与Sm（DBM）3（DBM：二苯甲酰甲烷）相互作用,合成了相应的配合物,然后分别将其掺入MMA中,进行聚合得到了固体样品。测量了不同第二配体样品及无第二配体样品的激发和发射光谱,对谱峰做了指认。发射谱中主要发射峰均为Sm^3＋的特征发射,有机配体的发光带很弱,说明从有机配体到稀土发光中心的能量传递非常有效。监测Sm^3＋离子644nm发射峰（^4G5/2→^6H9/2）测量了样品的激发光谱。结果显示,第二配体的加入改变了有机配体的能级结构,激发边出现明显的移动,同时紫外区的激发效率发生了变化,对发光产生了显著的影响。还测量了上述样品中Sm^3＋的^4G5/2能级的发光衰减曲线,拟合出该能级的跃迁寿命,针对不同第二配体的情况进行了比较分析。实验结果表明,第二配体的共轭性和化学键匹配对发光强度影响很大,在我们的结果中,第二配体为TPPO时发光效率最高。     

溶胶-凝胶法合成Sr2CeO4及其发光性能的研究

采用Pechini溶胶－凝胶法合成了Sr2CeO4粉末。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、热重及差热分析（TG－DTA）以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明，用Pechini溶胶－凝胶法合成的样品800℃时已开始结晶，900℃时可得到三斜晶系的Sr2CeO4多晶粉末。扫描电镜照片可以看出颗粒大小不均匀，粒径约为1－5μm。发光光谱测试表明Sr2CeO4粉末的激发光谱是一个宽带双峰结构，分别位于310nm和340nm。这个宽带属于Ce^4 的电荷迁移带。用340nm激发样品，其发射光谱也是一个宽带，最大峰位于475nm，这个峰属于Ce^4 的f→t1g跃迁。用310nm激发得到的发射光谱与用340nm激发得到的发射光谱相同。     

前驱溶液的PH值对Y2O3: Eu3＋荧光粉发光性质的影响

以甘氨酸为燃料,采用溶液燃烧法制备了Y2O3:Eu3 (3%)纳米粉末,并研究了制备过程中前驱溶液的pH值对Y2O3:Eu3 发光性质的影响.从XRD和SEM分析得到,随着溶液pH值的增大,样品颗粒逐渐变大,并且多孔粉末变得越来越致密.通过对样品发光性质的测量得到,随着pH值的增大,样品发光逐渐增强,但寿命逐渐变短.激发谱显示,基质吸收和电荷迁移带的相对强度比随着pH值的增大逐渐减小.     

BaFBr：Eu2＋的发光及电特性研究

采用高温固相反应方法制备的BaFBr：Eu2 粉末样品，未经X射线、真空紫外或紫外光辐照，用波长大于400nm的光激发样品，可观测到Eu2 的390nm发光。样品的电子自旋共振(ESR)谱证实在BaFBr：Eu2 粉末样品的制备过程中，会产生大量的晶格缺陷，分别为电子和空穴陷阱，它们在光激励发光过程中充当不可缺少的角色。本工作将BaFBr：Eu2 粉末制成压片，在其一侧制作两个电极，以研究电阻-电压关系、剩余申压随时间的变化以及与电极材料的关系等电学特性。电特性研究结果也表明，样品中有电子和空穴陷阱两类缺陷，BaFBr：Eu2 的发光，源自激发能通过这两类缺陷向Eu2 的能量传递。     

Eu^3＋的掺杂浓度对NaLa（WO4）2：Eu^3＋发光性能的影响

采用水热法,合成了NaLa（WO4）2：Eu^3＋纳米发光材料。利用激发光谱和发射光谱研究了材料的发光特性。结果表明,Eu^3＋离子的掺杂浓度为3%时,样品有较好的发光特性。样品的激发光谱有3个主激发峰,分别位于270、392nm和464nm处。发射光谱主峰为614nm线谱,此为Eu3＋的发光。     

BaFBr∶Eu2+的发光及电特性研究

采用高温固相反应方法制备的BaFBr∶Eu2+粉末样品,未经X射线、真空紫外或紫外光辐照,用波长大于400nm的光激发样品,可观测到Eu2+的390nm发光.样品的电子自旋共振(ESR)谱证实在BaFBr∶Eu2+粉末样品的制备过程中,会产生大量的晶格缺陷,分别为电子和空穴陷阱,它们在光激励发光过程中充当不可缺少的角色.本工作将BaFBr∶Eu2+粉末制成压片,在其一侧制作两个电极,以研究电阻-电压关系、剩余电压随时间的变化以及与电极材料的关系等电学特性.电特性研究结果也表明,样品中有电子和空穴陷阱两类缺陷,BaFBr∶Eu2+的发光,源自激发能通过这两类缺陷向Eu2+的能量传递.