SiC短程结构的分子动力学模拟

采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟.模拟的结果表明由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型.在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构.液态SiC的模拟得到Si的配位效为5.64,C的配位效为3.67,C-C的键角分布在～66°和～120°有两个峰值,表明有相当一部分C是三次配位,形成石墨型结构.非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型,但Si和C的配位数下降,Si的配位数为4.24,其结构为正四面正体构型.     

Nafion薄膜表面微结构转变

采用旋涂法,以不同表面预处理的硅片为衬底镀上Nafion膜,将硅片上薄膜进行退火处理,得到不同衬底上退火前后的Nafion膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征和观察,基于慢正电子束的正电子湮没多普勒谱获得薄膜中正电子湮没线性参数S与正电子注入能量E的关系曲线,用接触角测定仪测得不同衬底的Nafion膜表面接触角.研究结果表明,不同预处理的衬底硅片对Nafion膜表面的微结构有影响,热处理引起薄膜中分子链运动,导致退火前后薄膜表面层亲水基的分布发生了转变.     

玷污硅片的无损检测及洁净工艺

本文讨论了XCD-H红外电视显微镜对硅片的无损检测，发现硅片在切割、研磨工艺中普遍引入了金属杂质拈污，它是降低器件成品率的主要因素之一由实验和应用证实了简单、可行的化学腐蚀洁净硅片法去除站污是十分有效的.     

3种不同规格瓯江彩鲤含肉率及肌肉营养成分比较

研究分析了3种不同规格瓯江彩鲤的含肉率、脏体比、营养成分、氨基酸和脂肪酸的种类组成,并对其营养价值进行了评定.结果表明:大规格瓯江彩鲤含肉率(54.76±2.21)%显著高于小规格鱼(40.99±2.83)%;3种不同规格彩鲤肌肉中含人体必需氨基酸占总氨基酸的比例各为44%,其中第一限制性氨基酸均为缬氨酸,4种鲜味氨基酸总含量均超过29%,且基本一致;必需氨基酸与非必需氨基酸之比为91%~95%;大规格鱼含高度不饱和脂肪酸较多,而小规格鱼以廿碳五烯酸和廿二碳六烯酸含量较大.瓯江彩鲤肌肉中氨基酸和脂肪酸总体组成较好,是富有营养的优质动物性食品.     

密度泛函理论方法研究填料表面对聚合物摩擦化学的影响

采用超声分散法制备出氧化铝、高岭土、氧化硅/聚四氟乙烯复合材料, 使用线性往复摩擦磨损试验机对比三种复合材料的摩擦学性能. 结果表明 质量分数10%的氧化铝、高岭土能将聚四氟乙烯的磨损率降低约4个数量级, 而氧化硅仅能降低约3个数量级. 对金属对偶表面形成的转移膜的形貌和化学成分进行分析发现 氧化铝、高岭土/聚四氟乙烯在金属对偶面上形成了高度羧酸盐化的转移膜. 用密度泛函理论对三种填料表面上碳氟分子吸附过程进行模拟, 结果显示氧化铝、高岭土表面的路易斯酸性位点促进了碳氟分子的脱氟过程, 产生了更多的羧酸螯合物的中间产物; 氧化硅缺少路易斯酸性位点, 因此不能促进高度羧酸盐化的转移膜形成.     

氮杂及硼杂碳笼的电子结构和光谱研究

用INDO方法研究了氮杂与硼杂碳笼CnX(n=59,69;X=N+,B-)的电子结构和光谱,表明CnX与C60,C70相比将发生结构畸变,氮杂碳笼比硼杂碳笼稳定,C70中靠近极附近的两种C原子易被杂原子置换.本文在对电子跃迁进行理论指认的同时,讨论了光谱红移的原因.     

BaTiO3薄膜的Sol-gel法制备及对其介电特性的研究

以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法在(100)低阻硅片上制备了BaTiO-3薄膜电容,用XRD分析了该薄膜的结构,发现薄膜在硅片上取向生长,同时又对薄膜的介电性质进行研究,结果表明,薄膜的介电特性在高频范围内随频率的变化比较稳定并讨论了晶化温度对薄膜电容的影响     

特色鱼肉发酵香肠的制备及功能性研究

利用分离自新疆酸马奶的发酵乳杆菌RC1、植物乳杆菌RC4制备直投式发酵剂, 制作特色风味鲫鱼发酵香肠, 测定其游离脂肪酸、游离氨基酸含量, 并对其血管紧张素转换酶(Angiotensin Converting Enzyme, ACE)抑制率、抗氧化活性、抑癌率进行了研究. 结果表明: 当发酵剂接种量为3%(V/V), 37℃发酵5h, 65℃烘烤30min, 鱼肉发酵香肠口感较佳, 表面鲜亮, 肉质细腻, 有特殊香味. 发酵香肠组织破碎液的游离脂肪酸含量为15.43mmol?hg-1, 游离氨基酸为43.94 mg?hg-1; 其ACE抑制率为78.18%, 抗氧化性能的?O2-自由基清除率、?OH自由基清除率、DPPH清除率分别为30.97%、53.24%和62.75%; 以上指标均高于自然发酵的对照组. 另外, 上述鱼肉发酵香肠组织破碎液稀释1倍后对乳腺癌细胞的抑癌率高达68.60%.     

硅片氧化中加入少量HCl能改善PN结特性

破坏 IPN 结击穿电压的因素很多,但往往和有害杂质密切相关。硅片在高温氧化中,常有各种金属杂质沾污,或硅片本身就含有较高浓度的金属杂质。高温扩散形成 PN 结时,一些杂质会沉积在结上,从而使结特性变劣。若在高温氧化中加入少量 HCl 气体,就会使一些金属杂质生成挥发性的氯化物,一方面可消除高温下炉管辐射出来的金属原子,同时,对硅中原含有害金属杂质还有某些提取作用。因此,加入 HCl 进行氧化可望改善因金属沾     

SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能

3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高.