同轴式光全息存储技术及其系统

同轴式光全息存储技术是新型超大容量超高速存取的光学存储技术。具有反射式结构的光盘可以将再现光反射回聚焦透镜,因而可以简化系统结构,而且可与现有的光盘系统(如CD和DVD)很好地兼容。引进现有光盘的伺服控制技术可以有效地保持聚焦透镜与光盘间距和精确定位,因而,可将全息图准确无误地记录在媒体中并准确无误地再生出来而不受外界的振动影响。首先讨论了传统的“双光束干涉法”在商品化方面遇到的难题,从而引出了同轴式光全息存储技术并演示了它的记录、再生的实验结果。通过实验数据分析计算了该光盘系统的角度偏差和光源波长容限范围。为实现装置的低成本和小型化等方面提供了理论依据。     

生物光盘系统参数对输出信号的影响研究

以Hopkins光盘标量衍射理论为基础,建立了生物光盘系统理论分析模型,根据生物光盘的工作特点,研究了光学系统参数、传感单元尺寸参数对系统输出信号的影响。计算结果表明,为实现较高的传感灵敏度,理想情况下聚焦光斑直径与方形传感单元最佳长、宽的匹配关系需满足1：0．5665。选取数值孔径NA=0．07,高斯参数σ最佳取值为0．7,此时矩形传感单元最佳尺寸为4．3μm×4．3μm,并给出了理想情况下输出光功率最小值只与传感单元高度的线性关系。     

有机薄膜光盘的微区结构

通过光学显微镜（ＯＭ）扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了光记录有机薄膜的微区结构，从微区结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡，通过这些观察方法的比较发现扫描隧道显微镜可以提供更加详细，精确的三维参数，薄膜的微区结构研究对于分析光盘的性能，了解记录机理具有重要意义。     

用于新一代高密度可录光盘的有机材料研究进展

本文在总结近几年来国内外文献和专利报道的最新研究成果基础上,简要阐述了新一代高密度可录光盘的数据存储机理以及激光器工作波长与有机材料薄膜最大吸收波长相匹配的要求,介绍了在蓝(紫)光波段内(350～400nm)具有显著吸收的有机材料研究概况,并讨论了这些有机材料作为新一代高密度可录光盘数据存储介质的可能性。最后,对有机材料用于新一代高密度可录光盘数据存储介质的研究重点以及今后的发展前景进行简要讨论和展望。     

光盘衍射与光信息写读

光盘上的凹坑结构存储了光信息,它是一种周期或变周期的结构,其长短和深浅代表了音频或视频调制信号。本文利用衍射理论推导了单光束光不系统中光信息写入和读出时,光盘和光探测器上的场分布。     

玻璃光盘基片

本文对制备光盘的各种材料的性能做了比较,叙述了采用白冕平板玻璃研制直径为133.35mm可擦除光盘基片的工艺过程,以及产品达到的性能指标。     

铁电存储技术

简要说明了铁电随机存储器的工作原理及特点，详细阐述了阻碍铁电存储技术发展的技术难点，重点讨论了铁电薄膜材料的疲劳机理，并对铁电存储器的发展作了展望。     

光盘存储技术的动向

一、引言在六十年代前半期,就开始进行光学存储器的研究,并对各种方法、方案进行了尝试,然而至今尚未达到实用水平。最近,对于逐点记录式的补写型光盘装置,半导体激光器、光盘介质等基本技术业已齐备,大容量外存装置已开始商品化。目前,虽然磁记录装置在外存装置范围内占有绝对的地位。     

高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

磁光型光盘存贮介质记录特性的研究

本文给出了激光热磁记录多层膜温度场分布求解的基本公式,由此评价了温度场分布对记录磁畴尺寸的影响,并以四层膜结构为例,得到了相应的数值解,有关的验证实验也同时完成,由此得到了降低记录激光功率的方案.     

磁光盘静态测试仪

本文描述了一台由金相显微镜改装的,可擦重写磁光盘材料的评价装置。它具有激光功率,脉宽以及外磁场变化范围大的特点。同时,能进行材料读写性能,灵敏度,均匀性和重复擦写次数的测量。全部测量过程都由计算机控制,操作方便。使用结果表明,它是评价光盘材料和制盘工艺的有用设备。     

新一代高密度数字多用光盘(HD-DVD)研究进展

文章综述了新一代高密度数字多用光盘的研究进展，介绍了多种新型蓝绿光高密度可录和可擦重写光盘存储材料，讨论了高密度数字多用光盘所面临的问题以及其解决方法，最后提出了中国超高密度光盘存储技术发展的研究思路。     

磁光盘反射率测试方法研究

磁光盘反射率是一个重要的参数，在磁光盘的研制和生产过程中必须进行测试。本文首先介绍了反射率测试的典型方法，然后结合磁光盘磁光特性伺服测试系统提出了一种测试磁光盘反射率的实用有效的方法，使磁光盘磁光特性测试仪既能测试克尔角又能测试反射率。最后对该方法测试反射率的误差进行了评估，并给出了测试实例。     

GeSbTe 与 AgInSbTe 体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点 ,阐述了其晶化机理 ;同时 ,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响 ,并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点