圆对称环域Josephson结中的零场台阶

对计及干涉项的描述圆对称环域Josephson结扰动sine-Gordon方程数值研究表明:在无外磁场时,对于内外半径分别为7.5λ_j和12.5λ_j的结,在它的Ⅰ-V特性曲线上呈现两支零场台阶,它们分别对应于单孤子和三孤子激发,双孤子的激发是不稳定的,它仅存在于暂态过程之中,三孤子激发相当于一维结中三孤子的对称模式,且伴随着包括不同振荡周期等的运动不规则性。 关键词：     

几何尺寸对圆对称环域Josephson结的准通量子激发的影响

本文研究几何尺寸对圆对称环域Josephson结的扰动SGE的环形准孤子波解的影响.数值计算结果表明,当圆对称环域结的内半径,r₀=7.5λ_J时,已出现对应于环域结准通量子激发的环形准孤子波解,同时在I-V特性曲线上出现第一零场台阶.零场台阶的范围剧烈地依赖于环域结的内半径r₀和结宽度(αr₀-r₀);然而几何尺寸对环形准孤子波解特性的影响则比较复杂. 关键词：     

Josephson结圆对称环域模型的微扰分析

本文利用文献[3]中关于大半径圆对称 Sine-Gordon 孤子的微扰理论结果,从理论上论证了圆对称环域 Josephson 结模型的合理性.我们发现,孤子的最小半径,ρ_(min) 相应于环域结的内半径,而ρ=2ρ_s 可以作为环域结的外半径.     

MgB2颗粒超导体Ⅰ～Ⅴ特性曲线的回滞现象

本文研究了MgB2颗粒超导体电流-电压(Ⅰ～Ⅴ)特性曲线上的回滞现象并用电阻分路结(RSJ)模型进行了初步解释.实验结果表明,这种材料的Ⅰ～Ⅴ特性及其回滞现象与超导欠阻尼结相似.在10 K、扫描最大电流30 mA、电流步径0.1mA的条件下所获得的Ⅰ～Ⅴ特性曲线表明:材料的回滞参数βc≈2.34,能隙为2.29 meV,这一数值与MgB2超导体π能带上的能隙值～2 meV吻合.随着测量温度的升高,Ⅰ～Ⅴ曲线回滞的形状及临界电流Ⅰco的位置会发生变化,Ⅰco在逐渐减小.当温度高于12 K时实验检测到Ⅰ～Ⅴ曲线上存在小突起,这一奇特现象有待于进一步的研究.     

圆域隧道结中的环形波解

用数值计算法研究圆域隧道结的问题。在充分大的k值、I′tot靠近I-V曲线的迴滞终点和适当的初值条件下,方程有自场φ_ρ的环形波解。经过若干次反射后,波形仍基本保持原来的形状。     

Josephson结中激发孤子的电流脉冲方法──原理与数值实验

根据反散射理论讨论了电流脉冲法产生磁通孤子的阈值条件。对甚长结作的数值实验与理论符合很好。对有限结，考虑到边界效应，电流台阶范围等因素，对孤子激发条件有额外的要求，对圆对称环域结用脉冲法激发了孤子，并分析了其中回波效应、外磁场等对激发条件的影响。所有结果表明，电流脉冲法是在Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结中激发孤子态的有效方法，理论阈值条件可以提供有益的参考作用。     

Josephson结中激发孤子的电泳脉冲方法—原理与数值实验

根据反射射理论讨论了电泳脉冲法产生磁通孤子的阈值条件。对甚长结作的数值实验与理论符合很好。对有限结，考虑到边界效应，电流台阶范围等因素，对孤子激发条件有额外的要求。对圆对称环域结用脉冲法激发了孤子，并分析了其中回波效应、外磁场等对激发条件的影响。所有结果表明，电流脉冲法是在Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结中激发孤子态的有效方法，理论阈值条件可以提供有益的参考作用。     

超导交叉膜隧道结的电流-电压滞迴

本文指出对于超导交叉膜隧道结,跨越结的隧道电流除引起结区温升外,同时在结区产生不均匀的自场。这将使结区超导膜进入中间态。用这个物理模型不仅可以解释超导Pb膜的不可逆非平衡电压曲线的滞迴以及实验上出现的阈值电流I_(t3)的存在,而且还可以得出通常的隧道I-V曲线中出现滞迴的奇异现象。 关键词：     

圆对称环域结中涡旋线的激发

用数值计算法研究圆对称环域结的扰动 Sine-Gordon 方程(SGE).在适当的参数范围内,扰动 SGE 存在具有准孤粒子性质的环形波解,它对应着圆对称环域结中涡旋线的激发.我们发现:这种解存在着一个最大偏置电流,当超过这个偏置电流的极限值时,扰动 SGE 的这种解便退化成文献[1]中所述的那种解.扰动 SGE 中这两种解的性质存在着明显的差别.本文的计算也显示出 I-V 特性曲线中的零场台阶.     

耗散系数和内半径对圆对称环域Josephson结中孤子态的影响

耗散系数和内半径对圆对称环域Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结中孤子态的影响徐昆明浙江大学物理系，杭州，３１００２７环域结的位相差中随时间演变的扰动Ｓｉｎｅ－Ｇｏｒｄｏｎ方程（ＳＧＥ）比ｉｎ－ｌｉｎｅ结的多出了与径向尸成反比的一项（１／р）（ｄф／ｄＰ），它的影响...     

噪声扰动对环形圆对称Josephson结第一零场台阶的影响

本在环形圆对称Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结Ｓｉｎｅ－Ｇｏｒｄｏｎ方程的基础上，考虑在实际物理环境必然存在热噪声和各种电磁噪声，加入无规随机噪声的影响，对环形结的孤子运动和第一零场台阶进行数据模拟计算，观察磁通孤子在噪声涨落电流作用下的运动情况，发现了不同于理想结的孤子运动模式转变现象，讨论了涨落电流在这些现象中所起的作用，并分析了噪声涨落对环形结各种物理性质的影响。     

环形Josephson结中的回波效应与第一零场台阶的下限偏置电流

本文用微扰理论下环形Josephson结中圆对称孤子点粒子模型所得的结果,首先分析了环形结中各种耗散情形下的孤子回波效应,部分结果与数值模拟计算结果进行了比较;然后讨论了孤子为避免回波效应而共振地在结中往返传播,环形结必须具备的最小偏置电流,分析表明,这种最小偏置电流与结的内、外半径和结中的耗散情形有关,给出了一些理论计算结果,并对此进行了讨论。     

La2/3Ca1/3MnO3/Eu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结的制备与表征

采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La2/3Ca1/3MnO3lEu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的Ⅰ-Ⅴ特性测量,发现非线性的Ⅰ-Ⅴ特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是发现在电极材料La2/3Ca1/3MnO3的金属-绝缘体转变温度(Tp)以下,Ⅰ-Ⅴ曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下～209mV.当电流增大或减小在跳变点附近出现回滞.这一跳变只发生在铁磁金属态,表明这是一个磁性相关联的效应,可能对应一种新的磁性开关过程.虽然,目前对这一现象背后的物理机理还不清楚,但是,这一现象有可能在未来自旋电子学器件方面具有潜在的应用价值.     

多结超导环在外磁场中的行为

分析和计算了双结超导环在无偏置电流时的磁通、环流、自由能与外磁场的关系.发现双结环与单结环在磁场中的行为有所不同.当两个结的Ic相等时，双结环在1＜β=2πLIcΦ0＜2时，若无偏置电流，总磁通Φ、环流I与外磁通Φe的关系仍然是非回滞的曲线.仅当β≥2时，曲线才出现回滞.另外双结环有两支解，并且每支解的周期为2Φ0. 关键词： 双结环 双支解 2Φ0周期 回滞     

圆对称环域Josephson结中准磁通量子激发对外磁场的依赖关系

本文研究了在外磁场中圆对称环域Josephson结的环形准磁通量子运动.准磁通量子的激发对外磁场的依赖关系与结的几何尺寸有关.对结宽度αγ₀-γ₀=5λ_J的环域结,外磁场使准磁通量子的寿命增加;对αγ₀-γ₀=10λ_J的环域结,外磁场除了产生上述效应外,还影响准磁通量子运动的细节.外磁场还使第一零场台阶向低驱动电流方向扩展.无疑地,这些变化是与外磁场在结中的不均匀分布密切相关.本文同时讨论了可调Josephson振荡器的一个合理方案.     

本征Josephson单结的电流-电压特性

采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结，并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ～Ⅴ特征曲线．结果表明，临界电流几乎保持不变，但返回电流随温度增加而增大；与此同时，Mccumber参数βc随着温度增加而减小．临界温度附近，跳跃电压△V明显偏离BCS理论．     

MgB_2颗粒超导体I～V特性曲线的回滞现象

本文研究了MgB2颗粒超导体电流-电压(I～V)特性曲线上的回滞现象并用电阻分路结(RSJ)模型进行了初步解释.实验结果表明,这种材料的I～V特性及其回滞现象与超导欠阻尼结相似.在10K、扫描最大电流30mA、电流步径0.1mA的条件下所获得的I～V特性曲线表明:材料的回滞参数βc≈2.34,能隙为2.29meV,这一数值与MgB2超导体π能带上的能隙值～2meV吻合.随着测量温度的升高,I～V曲线回滞的形状及临界电流Ic0的位置会发生变化,IC0在逐渐减小.当温度高于12K时实验检测到I～V曲线上存在小突起,这一奇特现象有待于进一步的研究.     

s/FI/d超导结的直流Josephson电流

在 s波超导体 /铁磁绝缘层 / d波超导体 Josephson结 (s/ FI/ d)中 ,考虑结界面铁磁绝缘层的磁散射和粗糙散射情况下 ,运用 Bd G方程和 FT的电流公式计算准粒子的输运系数及 s/ FI/ d结的直流 Josephson电流与温度 T、结两侧的相位差之间的关系。研究表明 :结界面的磁散射和粗造散射均抑制结中准粒子的 Andreev反射 ,降低了流过 s/ FI/ d结的直流 Josephson电流 ,直流Josephson电流 I随温度 T、相位差φ的变化曲线强烈地依赖于 d波超导体的晶轴方位     

B0d→φK*0极化反常和Bd→φKs CP不对称的研究

在模型Ⅲ下,仅考虑来自于中性规范玻色子H0,H0和A0产生的树图阶味改变中性流的贡献,并利用QCD因子化方法,对B0d→φK(≠)0衰变过程的极化反常和Bd→φKs衰变过程的CP不对称进行了研究,经过计算发现,在147＜|λbsλss|＜165的参数范围内,这两个过程中存在的反常现象能够同时给予解释.     

环自发磁化的几个物理问题的研究

本文总结了我们对π环自发磁化的几个相关物理问题的研究结果.首先分析计算了有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLIc/φ0趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ0/2,能和实验很好的符合.继而运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.并在此基础上计算了电感系数,输入脉冲电流的峰值和峰宽等因素对翻转过程的影响,获得了自发磁化电流在电触发下翻转的一般规律.最后分析和计算了耦合双π环的自由能,结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低,还证明了互感为0时的反向自发磁化是来自量子效应.