聚苯胺类电流变体的稳态剪切流动分析

对聚苯胺、及聚苯胺／聚丙烯酸盐复合粒子的稳态剪切流动行为进行了综合考察。结果表明,在交流电场下,电流变体的剪切应力和剪切速率的关系符合Bingham流体形为。并对此现象进行了分析,提出用非理想塑性体的新模型来描述交流电场下聚苯胺类电流变体的稳态剪切流动。     

等离子体在任意强度的直流电场中产生电流的过程

通过Fokker-Planck模拟,研究了等离子体在任意强度的直流电场中产生电流的过程以及电子分布函数的演变过程.研究发现,不同强度的电场中等离子体的行为存在着明显的差别.在弱电场中,电流与电场满足Spitzer公式,且电流产生的响应时间约等于撤销电场后电流衰减的弛豫时间;在中等强度的电场中,电子分布函数呈现为静止Maxwell分布和漂移Maxwell分布之和,而且在中等强度或者强直流电场中弛豫时间也将远远大于响应时间.根据电子分布函数的演变规律,推导了一组类似于流体力学方程的公式,这组方程像Spitzer公式一样简便地描述了等离子体中电流与电场的关系,并且对电场强度没有限制.数值模拟显示这组方程比Spitzer公式更适用于等离子体的混合粒子模拟中. 关键词： 等离子体电流 电子分布函数 Fokker-Planck模拟 Spitzer公式     

离子导体在直流偏压作用下的介电特性

在我们以前的工作中,发现α-LilO₃在c向直流偏压作用下表观介电常数增加。并把这一现象归结为由离子导电所产生。本文进一步研究了离子导体KLiSO₄和NaCl单晶在直流偏压下的介电特性,也观察到了表观介电常数改变的现象,证实了上述结论的正确性。我们也研究了离子导体的这一特性与温度、频率和样品四周气氛的关系,讨论了它发生的条件。 关键词：     

低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究

 通过对裂解聚吡咙（PMDA-DAB）薄膜导电性环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明：其室温导电率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度T_p及所加的压力在T_p<800 ℃时，碳化过程产物能符合三维变程跃迁模型；而在T_p>800 ℃时，石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的导电率是在裂解温度为1 200 ℃的裂解产物上在1.05 GPa压力下获得的，数值约1 000 S/cm，电导与压力的关系能较好地符合所改进的扩展莫特关系。     

静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO₃单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO₃单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO₃单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO₃单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。 关键词：     

光束通过在静电场作用下的α-碘酸锂单晶产生的垂直于c向的散射带

激光束通过c向静电场作用下的α-碘酸锂单晶时,观察到与c向正交而且张角很大的散射带,其强度在透射光斑的两侧并不对称。当入射光的电向量垂直于c向时,散射光的电向量则平行于c向;而前者平行于c向时,后者则垂直于c向。如果入射光的电向量既不垂直也不平行于c向,则出现电向量分别平行和垂直于c向的两条散射带,在特定条件下它们相重合。本工作详细研究了散射带的偏振态、强度分布的类准周期结构及其弛豫行为等。我们认为这种散射带很可能是由于晶体中载流子沿c向运动产生的某种效应所引起。同时用显微镜观察了解电场作用下α-腆酸锂单 关键词：     

c向直流电压作用下α—LiIO3单晶的光的异常散射的进一步研究

文献[1]发现激光束通过c向直流电压作用下的α-LiIO₃单晶时,产生一种电矢量有特定取向且不同于入射光电矢量方向的异常散射带。本文进一步研究了这种散射带的精细结构。确定散射光相对于入射光没有大于15MHz的频移。这种散射带的强度在透射光斑两侧分布不对称,一侧强,另一侧弱。我们发现两种绝对构型的晶体,散射带的强度分布正相反,D型晶体散射强的一侧,正是L型晶体散射弱的一侧。并研究了异常散射带位置和透射光斑的位置间的各种配置状况,发现它们取决于两个通光面相对于c轴的取向。 关键词：     

碳纳米管在高压下的电学性质与状态方程

 在金刚石压砧装置上，采用电阻测量方法研究了多层碳纳米管在室温下、23 GPa内的电阻与压力的关系。实验结果表明，在1.5～4.6 GPa内，电阻急剧减小，而在5.7 GPa左右，电阻出现一个极大值。这些变化与碳纳米管的结构、形状和层间距离的变化有关。同时，还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上首次研究了多层碳纳米管在室温下、4.5 GPa内的p-V关系，给出了它在第一次和第七次压缩时的状态方程。     

带电粒子在偶极子电场中的运动

求得了带电粒子在电偶极子产生的电场中的径向运动方程 ,分析了带电粒子在该电场中各种可能的运动规律     

共轴双锥天线的电场和电容特性

通过求解电势的拉普拉斯方程,得到共轴双锥天线的电势分布,从而求出其电场、电荷密度和电容.     

动载下剪应力对硫化镉单晶相变影响的实验研究

 动载下剪应力对相变起始压力有无影响，长期以来一直是一个未解决的问题。Duvall和Graham建议用硫化镉（CdS）晶体来作为判断材料。本文采用前后压电石英传感器方法系统地研究了高速平面撞击下的c轴CdS单晶试样中剪应力对相变起始压力的影响。实验测得其轴向相变起始应力为σ_T=(3.25±0.1) GPa，对应的平均压力p_T=(2.29±0.07) GPa，与静高压值2.3 GPa相比在实验误差范围内很吻合，这时相应的剪应力τ_T=0.72 GPa，高达平均压力的31.5%。这一结果表明，相变机制可以假定为仅与临界平均应力或临界热力学状态有关，剪应力对相变起始压力的影响可以忽略。     

电场调制下单量子阱ZnCdSe／ZnSe的激射行为研究

近年来,随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］,对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２,３］,同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...