ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算

用总能量最小方法，确定了ZnS(110)表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了题ZnS(110)表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响． 关键词：     

用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c(8×8)表面连续吸氢将引起表面经Si(100)-(4×1)-H向(2×1)-H最终向(1×1)-H转变;而在从700℃到室温间的不同温度下饱和吸氢,实验中观察到:Si(100)-c(8×8)表面将先转变至Si(100)-c(4×4)-H,然后至(2×1)-最终至(1×1)-H。     

碱金属促进CO在Ag(110)上分解的实验证据

本文用X射线光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了CO与预覆盖Ne的Ag(110)表面的相互作用。低温下CO饱和吸附在Na/Ag(110)上存在两种吸附态,随衬底温度升高仅留下一种吸附态。实验结果表明,该吸附态与Ag(110)上存在的Na有关它是CO解离的前驱态。 关键词：     

基于二维红外技术研究氧化羧甲基纤维素钠/胶原的相互作用及热稳定性

采用氧化羧甲基纤维素钠(OCMC)作为交联剂,对胶原溶液进行改性并采用二维红外技术分析OCMC与胶原之间的相互作用及其对胶原热稳定性的影响.一维红外图谱显示OCMC交联改性对胶原的主要特征吸收峰即酰胺Ⅰ,Ⅱ和Ⅲ带的峰位与强度无明显影响;改性前后胶原的酰胺Ⅲ带与1455 cm-1处吸光度的比值AⅢ/A1455均接近于1....     

氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究

在密度泛函理论方法的基础上,系统研究了本征氧化锌和氧空位氧化锌的(110)二维膜材料的形成和电子结构性质.计算分析结果表明,ZnO的本征(110)二维膜比氧空位的(110)二维膜稳定性高,ZnO的(110)二维膜有失去氧的倾向.本征ZnO的(110)膜为直接带隙型材料,带隙宽度为2.3 eV,氧空位(110)膜为间接带隙型材料,带隙宽度为1.877 eV.氧空位的(110)膜导带向下移动,并且导带中的能级简并化.氧空位(110)膜材料的导带底能级有2个能谷,分别位于1.877 eV和1.88 eV,这些位置的能级有效质量比本征膜大幅度增大,这些位置的电子速度普遍较低. ZnO的(110)膜产生氧空位之后,Zn的s电子参与形成其价带顶能级.氧空位(110)膜材料中Zn-O键的混合型结合倾向增大.     

二维反铁磁Heisenberg模型(s=1/2)的低能性质研究

利用一种有效的Monte Carlo簇团迭代方法进行了关于二维反铁磁Heisenberg量子模型的数值研究。比较手征微扰理论的有关解析结果,在有限温度和有限体积下精确地确定了该系统的重要低能参数:基态能量密度e_o=-0.6693(1)J/a²,参差磁化强度M_s=0.3076(4)/a²,自旋波速度?c=1.68(1)Ja和自旋块度(spin stiffness)ρ_s=0.185(5)J。计算结果与 关键词：     

二维费密液体理论(Ⅰ)

通过关于二维低密度费密系统准粒子寿命和二维巡游电子系的自旋涨落的计算,本文证明朗道费密液体理论适用于二维相互作用费密粒子系。 关键词：     

CO与K在Fe(110)面上共吸附的角分辨紫外光电子谱

用角分辨偏振紫外光电子谱对CO与K在Fe(110)表面上共吸附进行了研究。CO与K共吸附的Hel紫外光电子谱与清洁表面上CO的结果相比,在结合能为6.3eV处出现了一个新的谱峰。偏振紫外光电子谱的分析表明:相关的初态有一对称面,此面平行于衬底〈001〉方向。Hell紫外光电子谱中,CO的4σ态(4α₁)强度随入射角改变的结果表明CO依然近似于直立在有K覆盖的Fe表面上。 关键词：     

抗坏血酸恒温氧化过程拉曼光谱的二维相关分析

采用近红外傅里叶变换拉曼光谱法 (NIRFT -Raman)和二维相关分析 (2DCorrela tionAnalysis)技术研究了固态抗坏血酸的恒温 (1 0 0℃ )氧化过程。研究表明 ,二维相关分析能提供氧化扰动过程中结构动态变化的微观信息 ,为抗坏血酸在氧化过程中首先生成去氢抗坏血酸负离子基中间过渡态的氧化机理研究提供了一个重要的理论依据     

Si-W/Si/SiO2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

本文用横截面电子显微镜法分析了Si-W/Si/SiO₂/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi₂并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和缓.退火温度高达800—1000℃时,界面、表面出现原子扩散,造成剧烈的界面起伏;表面则出现小的热沟槽,Si/SiO₂界面也出现高分辨电子显微镜才能观察到的起伏.表面、界面的原子迁移的动力来源于晶界与表面、界面张力.由于SiO₂中Si—O键很稳定,不易发生Si和O在界面处的互扩散,所以Si/SiO₂界面起伏很小. 关键词：     

碱金属在GaAs(110)表面上的吸附

本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的ExtendedHucheltheory(缩写为EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。 关键词：     

AI在GaAs(110)面上的吸附

用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。 关键词：     

一氧化碳分子在铁(110)表面上吸附的角分辨紫外光电子谱

本文报道了用角分辨紫外光电子谱对一氧化碳分子在铁(110)表面上吸附的取向进行的研究。实验结果与理论计算比较表明,在低温下(≈150K)较低覆盖度时,一氧化碳分子直立在铁表面上,分子轴线与铁表面法线的夹角不超过10度。 关键词：     

Cl在GaAs(110)面上的吸附

本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。 关键词：     

ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响

给出了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnTe(110)表面电子特性的理论研究.考虑最近邻的sp³s模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ZnTe(110)表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构.结果表明：弛豫的ZnTe(110)表面在带隙中没有表面态存在.在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体的(110)表面具有相似的特征.与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比，计算的结果符合得很好. 关键词：     

Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

利用形式散射的格林函数方法,研究了Sb在InP(110)表面单层吸附时的电子性质．分别计算了清洁的InP(110)弛豫表面和InP(110)-Sb(1ML)体系的表面态的性质,指出了表面态和表面共振态产生的原因．所得结果与实验相符. 关键词：     

As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

利用形式散射的格林函数方法，研究了As在InP(110)表面不同吸附结构的电子性质.体材料采用实用的经验紧束缚近似方法的哈密顿，分别计算了As-P交换作用和形成外延连续层结构表面态的性质，指出了表面态和表面共振态产生的原因.在计算中，一些表面紧束缚相互作用参数进行了调整，所得结果好于其他理论方法. 关键词：     

GaAs(110)面的电子结构

本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。 关键词：     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法 (MSC)对吸附系统SO2 /Ag(110 )的S原子K边X射线吸收精细结构谱 (NEXAFS)作了理论分析 .研究表明 ,覆盖度为 0 5时 ,吸附的SO2 的S—O键长比气体状态时增长了 (0 0 14± 0 0 0 6 )nm ,OSO键角减小了 15°± 5°;SO2 分子的S原子处于芯位 ,但两个O原子处于不对称的位置 ;分子平面与 (110 )的夹角约为5 2° ,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜 .MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π 与σ 态中间的共振结构 ,这是由SO2 与衬底相互作用而诱导的