平界面失稳初始扰动波长的选择

采用典型的模型合金丁二腈-0.93%水杨酸苯脂，在精确的实验条件下研究了定向凝固平界面失稳初始扰动波长λ_I的选择．将实验结果与M-S理论及W-L模型分别进行了系统分析和比较．发现：（1）在平界面失稳的临界点附近，λ_I的实验结果并不落在M-S理论所预言的波长范围内，而在明显偏离平界面失稳的条件下，λ_I的实验结果尽管都选择在M-S理论的波长范围内，但比该理论所预言的振幅发展速率最快的波长大数倍，这说明M-S理论未能从根本上解决λ_{I相似文献}   

凝固界面形态演化的实验研究

本文采用典型的透明模型合金丁二腈-1.1wt%乙醇进行定向凝固实验,对从平界面失去稳定性到建立起新的稳定的界面形态之间时间相关的形态演化过程进行了详细的直接观察研究。发现:1)平界面失稳初始扰动波长在Mullins-Sekerka(缩写为MS)稳定性理论所预言的波长范围内,但与理论预言的振幅发展最快的波长不一致;2)平界面失稳初期,扰动振幅发展速率确实是振幅的线性函数,但在具体数值上实测值比理论值小得多;3)胞晶和枝晶形态演化过程具有不同的特征,导致这种差别的主要原因是稳态一次间距与初始扰动波长之间相对尺 关键词：     

晶体取向对定向凝固平界面失稳行为的影响

采用丁二腈-丙酮透明模型合金研究了不同晶体取向的晶粒在定向凝固条件下的平界面失稳过程.实验选择了三个界面失稳后具有不同生长形态的典型晶粒作为研究对象, 分别为择优生长枝晶、倾斜枝晶和海藻晶.结果表明可发展为择优生长枝晶的晶粒的平界面失稳孕育时间和初始扰动波长最小,海藻晶次之, 倾斜枝晶最大,这与以往的解析结果和相场模拟结果一致. 同时,实验观察发现可发展为择优生长枝晶和倾斜枝晶的晶粒的界面非稳态演化过程与海藻晶显著不同,这表明平界面失稳的非稳态演化过程与晶体取向相关.     

主次波长光度法测定微量物质应用研究

本文基于颜色反应依据悬浮体系光学吸收行为研究了有色溶液－λ变化光谱与悬浮液光谱的吸收两点，此双点也满足于颗粒光谱函数，据此建立了不受环境因素影响的微量组份计算模型，只需要测定该两点波长下的吸光度。因为主波长选择在最大吸收波长处，实验Ｓ＾２－，ＮＨ３，ＳＣＮ＾＝－Ｃｒ（ＶＩ）ＳｉＯ２，Ｆ＾－，ＳＯ＾２－４等组分。该方法能提高分析灵敏度１倍，加标回收率９０％－１０８％，相对标准偏差〈５％，方法方便快速     

5—溴水杨基荧光酮—溴化十六烷基三甲铵荧光熄灭法测定微量？…

本文报道了在溴化十六烷基三甲铵（ＣＴＭＡＢ）存在下,以５－溴水杨基荧光酮（５－ＢrＳＡＦ）作为荧光试剂,用荧光熄灭法测定微量钼的新方法。详细研究了各种条件实验。 反应了适宜酸度范围为０．０８－０．２４ｍｏｌ．Ｌ＾－１ＨＣ１,钼含量在０－４．０ｕｇ／２５ｍＬ范围内呈线性关系,配合物的组成比为Ｍo（Ⅳ）：５－ＢrＳＡＦ：ＣＴＭＡＢ＝１：２：２,激发波长为３６５ｎｍ,发射波长为５２５ｎｍ。方法灵敏度高,检出     

单相合金凝固过程时间相关的界面稳定性(Ⅱ)实验对比

采用典型的透明模型合金，即丁二腈-1．5at％水杨酸苯酯(SCN-1．5at％Salol)合金，对界面前沿溶质扩散边界层和界面稳定性进行了实时观测，并结合丁二腈-1．1wt％乙醇(SCN-1.1wt％Eth)、丁二腈0.43wt％氧杂萘邻酮152(SCN-0.43wt％C152)的实验结果，对纯扩散和存在对流情况下的定向凝固界面形态稳定性进行了系统的分析.发现以往所进行的界面稳定性分析能够准确描述实验中所观测到的界面失稳的时间相关特性，并发现界面失稳演化存在两个时间结点，即界面失稳孕育时间和平胞转变孕育时间，所获得的时间相关解能够准确预测实验中观测到的平胞转变孕育时间，而对流效应则明显缩短了界面失稳和平胞转变的孕育时间.实验中获得的单位扰动振幅发展速率比稳态理论预言值小了将近一个数量级，而与时间相关解较为接近. 关键词： 界面稳定性 凝固 扩散 对流     

5-溴水杨基荧光酮-溴化十六烷基三甲铵荧光熄灭法测定微量钼的研究

本文报道了在溴化十六烷基三甲铵（ＣＴＭＡＢ）存在下,以５－溴水杨基荧光酮（５－ＢｒＳＡＦ）作为荧光试剂,用荧光熄灭法测定微量钼的新方法。详细研究了各种条件实验。反应的适宜酸度范围为 ０．０８－０．２４ｍ ｏｌ·Ｌ－ １ ＨＣｌ,钼含量在０－ ４．０μｇ／２５ｍ Ｌ范围内呈线性关系,配合物的组成比为Ｍｏ（Ⅵ）∶５－ＢｒＳＡＦ∶ＣＴＭＡＢ＝ １∶２∶２,激发波长为３６５ｎｍ ,发射波长为５２５ｎｍ 。方法灵敏度高,检出限为２．０μｇ／Ｌ。用于样品中微量钼的测定,结果令人满意。     

简立方格子上界面的自旋S（1）反铁Ising模型研究

本依据献［１］用自旋Ｓ（１）Ｉｓｉｎｇ模型研究了具有近邻（Ｊ１）和次近邻（ＲＪ１）相互作用的简立方格子的（１００）、（１１０）和（１１１０界面性质。在体内为反铁磁相互作用下，分析了界面的基态，并用Ｍ－Ｃ方法计算了界面的低温性质，给出了ＳＣ格子的三类Ｔ－Ｒ界相图，由此讨论了二类界面相变（宏观刻面和粗化）及其在氯化钠晶体界面上的应用。     

简立方格子上界面的自旋S（1）反铁磁Ising模型研究

本文依据文献［１］用自旋Ｓ（１）Ｉｓｉｎｇ模型研究了具有近邻（Ｊ１）和次近邻（ＲＪ１）相互作用的简立方格子的（１００）、（１１０）和（１１１）界面性质．在体内为反铁磁相互作用下，分析了界面的基态，并用Ｍ－Ｃ方法计算了界面的低温性质，给出了ＳＣ格子的三类Ｔ－Ｒ界面相图，由此讨论了二类界面相变（宏观刻面和粗化）及其在氯化钠晶体界面上的应用．     

5′-硝基-水杨基荧光酮-溴化十六烷基 三甲胺荧光猝灭法测定微量锆

本文基于Ｚｒ（Ⅳ）－５′－硝基－水杨基荧光酮（５′－Ｎ－ＳＡＦ）－溴化十六烷基三甲铵（ＣＴＭＡＢ）体系的荧光猝灭效应,提出一种测定微量锆的新荧光分析方法。在０．８～１．２ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２ＳＯ４介质中,在ＣＴＭＡＢ存在下,锆与５－Ｎ－ＳＡＦ生成组成比为１∶４的橙红色络合物。该体系存在两个激发峰,其激发波长分别为λｅｘ１＝４７５ｎｍ,λｅｘ２＝５０５ｎｍ,发射波长λｅｍ＝５２５ｎｍ。锆（Ⅳ）浓度在２．０～８０μｇ／Ｌ呈良好线性关系,检出限为２．０μｇ／Ｌ。本法灵敏度高,选择性好,用于铝合金中微量锆的测定,获得满意结果。     

几种稠环久烃EL材料的量子化学研究

采用量子化学半经验方法ＡＭ１对几种稠环芳烃电致发光材料（ＥＬ）的性质进行了理论研究,对９,１０－二苯基蒽作了构象找出了能量最低的构象。对各化合物优化后的构型作振动分析,均未出现虚频率。在此基础上,采用ＣＩＳ方法计算其电子光谱,并出了４种化合物电子光谱的波长λ功能ＣＩＳ组态数之间的关系。所有计算结果与实验值基本吻合。     

PH3分子高能振动谱的非线性模型计算

利用非线性量子理论中的一个三参数模型－量子化的离散自陷方程－对ＰＨ３分子处于高能振动态下的ＰＨ键的伸缩振动能谱进行了理论计算（１≤ｎ≤７，ｎ为ＰＨ３分子的总振动量子数）获得了与实测谱数据符合较好的结果（其均方根ＲＭＳ偏差约为３．８８ｃｍ＾－１）预测了一些泛频和组频谱带的中心位置，并将振动能级按地称性进行了归类，在计算过程中，模型Ｈａｍｉｌｔｏｎ算符Ｈ中所包含的描述ＰＨ键非谐振动的参数λ和描述ＰＨ键     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

激光快速凝固条件下Cu-31.4%Mn合金的微观组织特征

利用连续波CO2激光器对Cu 314%Mn进行了系列表面熔凝实验，对该合金的组织形态和胞晶间距选择规律进行了研究.结果表明：随着生长速度的提高，组织形态由低速平界面向展宽胞晶、规则胞晶、展宽胞晶、类平面晶和高速绝对稳定平界面转变.在快速凝固条件下，Cu 314%Mn合金的胞晶间距存在一个选择范围，最大、最小和平均胞晶间距与生长速度的关系分别为λmax=682v-033s，λmin=289v-028s和=435v-031s，实验结果与Hunt Lu模型的预测结果相吻合.     

镁原子MgI3snd^1,3D2序列能谱及寿命的研究

本文用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对镁原子ＭｇＩ单激发Ｒｙｄｂｅｒｇ序列３Ｓｎｄ＾１，３Ｄ２激发态能级结构和能态寿命进行了理论分析和详细的计算，预言了３ｓｎｄ＾１，３Ｄ２序列ｎ≤３０的未知能级及其寿命值，此外，我们还首次预言了实激发态３Ｐ＾２＾１Ｄ２能级位于５４３３０．２６ｃｍ＾－１处。     

光学玻璃的色散特性测量及近似计算方法的讨论

报道了光学玻璃和光学晶体０．３６μｍ－２．５μｍ波长范围内的的射率测量结果，并对ｎλ＾２＝Ａ０＋Ａ１λ＾－＾２＋Ａ３λ＾－＾４＋Ａ４λ＾－＾６＋Ａ５λ＾－＾８色散公式的计算精度和适用范围进行了深入讨论。     

近代物理一题

近代物理一题图１为￣２０８ｐｂ对８００ＭｅＶ质子弹性散射的微分截面的实验测定结果，图中实线为理论计算值，它与实验数据符合得较好。图中曲线类似于不透明圆物的夫琅禾费衍射图样。（１）求８００ＭｅＶ质子的德布罗意波长λ．（２）利用德布罗意波长和衍射图样中相...     

CH2体系激发态的量子化学研究

本文使用ＳＣＦ，ＭＣＳＣＦ，ＳＯＣＩ方法计算了ＣＨ２的基态和三个激发态。讨论了总量，稳定性，平衡几何构型和振动频率等性质。所得结果与实验和理论计算的文献值相吻合，并且预言了一个新激发态ｃ＾１∑＾＋ｇ的性质。     

半磁半导体Zn_（1－x）Mn_xS中的能量传递

本文测量了Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ在不同Ｍｎ浓度（０．００１＜ｘ＜０．５）下的发射谱和衰减曲线，并且用Ｙｏｋｏｔａ和Ｔａｎｉｍｏｔｏ模型进行了分析在对４Ｔ１衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和：（１）孤立的Ｍｎ２－离子的４Ｔ１衰减，它确定衰减曲线的尾部，有较长的衰减寿命；（２）Ｍｎ２－离子聚集体（例如Ｍｎ２－离子对）的４Ｔ１衰减，这种衰减比单个Ｍｎ２－离子的衰减更快．我们深入分析了在ｘ＝０．０６２，Ｔ＝８０Ｋ时的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ的发射谱及其衰减曲线，得到两个衰减寿命：τ１＝７０μｓ，τ２＞１０００μｓ，这表明在高Ｍｎ浓度时存在着两个弛豫过程：一个是较快的，另一个则是较慢的，根据Ｇｏｅｄｅ等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Ｍｎ２－离子，那么便可以判知较快的过程是来源于Ｍｎ２－离子对．正是高Ｍｎ浓度下的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ中存在着Ｍｎ２＋－Ｍｎ２＋离子对，在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的ＩＲ发射．     

稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构