Er2O3薄膜的光学常数和介电性能

采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品.采用椭偏光谱和紫外一可见光透射光谱测试分析技术,研究了Er2O3薄膜的折射率、消光系数、透射率和光学带隙等光学常数与制备工艺的关系.研究了不同条件下制备的Er2O3薄膜的介电常数和Ⅰ～Ⅴ特性.结果表明,Er2O3薄膜的折射率、禁带宽度和介电常数随Ar/O2流鼍比的增加而增加,而消光系数基本不随Ar:O2流量比的变化而变化.在Ar:O2流量比为7:1制备的Er2O3薄膜具有较好的物理性能,在可见红外波段其折射率约1.81,消光系数为3.7×10-6,禁带宽度5.73 eV,介电常数为10.5.     

氮化硅薄膜的微结构

利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si₃N₄薄膜的微结构.结果表明：在较低沉积温度下，ECR-PECVD制备的Si₃N₄薄膜是一种纳米α-Si₃N₄薄膜，其晶粒粒度在14—29nm间，而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si₃N₄在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理. 关键词：     

有序组装超薄膜热释电性能的优化研究

报道两亲性染料半花菁(DAEP)与隔层材料氮冠醚(NC)交替LB膜的热释电效应以及掺杂金属离子（Ba2+）对LB膜热释电性能的影响.发现所测样品的热释电系数p高达58μCm-2K-1；在频率为1kHz—100kHz的范围内，其εr和tanδ的数值分别为2.34—1.96和0.08—0.04.并讨论了不同成膜方式和掺杂金属离子Ba2+对LB膜热释电性能影响的物理机理.     

铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ^-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ^-1． 关键词：     

LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射

在５．０ｅＶ的激光激发下,在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光,其峰位位置分别为２．９７,２．７７,２．５５,２．３２,２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰,建立了其可见荧光发射的能隙态模型,并初步讨论了其发光机制．     

氮化硅薄膜中硅纳米颗粒的形成机制研究

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以SiH₄作为硅源, NH₃和N₂共同作为氮源,在单晶硅衬底上制备了不同的氮化硅薄膜. X射线衍射分析薄膜晶体结构,通过计算晶格尺寸大小证明了纳米硅颗粒的存在. 傅里叶变换红外光谱分析了薄膜中的键合作用的变化并结合化学反应过程对氮化硅薄膜中纳米硅颗粒的形成机制进行了研究,发现Si—Si键作为硅纳米颗粒的初始位置, 当反应朝着生成Si—Si的方向进行时,可以促进氮化硅薄膜中硅纳米颗粒的形成. X射线衍射分析和光致发光实验结果表明Si—Si键浓度增大时, 所形成的纳米硅颗粒的尺寸和浓度都随之增大.     

人造金刚石的介电性能与其强度的关系初探

 人造金刚石的介电性能与其结构缺陷和强度存在一定关系，实验表明：用作电容器介质的人造金刚石晶形越完整，引起的电容量的增加就越小。     

SIMULATION OF FRACTAL GROWTH OF THIN FILMS AT LOW TEMPERATURE

Fractal growth of thin films at low temperature (50－175 K) is simulated by Monte Carlo method. It is shown that the thin film growth is quite different from the diffusion-limited aggregation (DLA) model when the coverage is larger than 0.1 ML. The average branch width of clusters increases with increasing temperature and it usually larger than the branch width (1.9 atom) in the classic DLA model. The average fractal dimension of clusters increases also with increasing coverage while the fractal dimension of DLA model remains constant. This difference comes from the weak screening effect during the late stage of thin film growth. The relationship between the saturation island number n_s and deposition interval Δt is described in a power law: n_s∝Δt^γ, where γ=-0.332 is very close to the theoretical value -1/3 of rate equations from nucleation theory.     

THERMOSTATIC PROPERTIES OF ASYMMETRIC NUCLEAR MATTER AT LOW TEMPERATURE

The Küpper, Wegmnn, and Hilf's theory on the thermostatic properties of symmetric nuclear matter is extended to the asymmetric nuclear matter at low temperature less than 10 MeV. The numerical result shows that the entropy per nucleon s depends on the asymmetry δ weakly while the compressibility coefficient K depends on δ very strongly. At the neutron drip point the nucleon density n decreases while the asym-, metry ^δND increases linearly with T² at low temperature. The thermodynamic stability of the asymmetric nuclear matter is studied by means of the Gibbs-Duhem inequality.     

非晶态Sm-Fe和Sm-Co薄膜的低温磁性

研究了非晶态Sm-Fe和Sm-Co薄膜在1.5—300K的磁性。发现Sm-Fe薄膜中Fe原子磁矩取向存在分散性,Sm-Co薄膜中Co原子有效磁矩随Sm含量的变化与Nd-Co非晶薄膜很相似。决定了Sm-Fe薄膜具有散铁磁结构,Sm-Co薄膜为共线铁磁性结构。Sm原子磁矩≈0。报道了这两个非晶合金系列的矫顽力H_c与成份和温度的依赖关系。发现Sm-Fe薄膜的H_c较高于Sm-Co的值;前者随Sm含量增加而急剧上升,并随温度升高而陡降;后者的H_c在Sm含量≈43at％有极大值,并以指数形式随温度升高而减小。发现低温范围内磁化强度随温度变化与自旋波激发和Stoner激发都有关系。 关键词：     

高导热高电绝缘AlN的微结构及低温热特性分析

本从低温微结构工程学的观点，比较A1N中加入Sm2O3、Dy2O3、Sm2O3-Dy2O3稀土烧结助剂的热导率、第二相铝酸盐的变化，探讨了铝空位和氧影响A1N的热导性,从A1N的热导率与微结构的比较表明微结构的区别可能是铝酸盐相形成品间液相润湿粉体性质的差异，但这种差异不能影响烧结行为，因此热导率和微结构之间不能建立清晰的相关性,实验装置以C—M制冷机为冷源，用低温多路数据采集系统测量了A1N—5wt％Sm2O3-Dy2O3材料在低温30K—160K的热导率，在本实验温区其热导率随温度升高而增大，实验表明该材料可以作为高温超导直接冷却要求的高导热高电绝缘器件材料。     

低温凝聚InSb膜的相变和超导电性

本文研究了低温凝聚InSb膜的相变和超导电性,获得了以下新的实验结果:(1)第一次电导跃变是自发的,与InSb凝聚温度无关;(2)第二次跃变发生并达到峰值后,退火温度进一步升高,电导迅速减小,并伴随着结晶半导体相的形成。但实验证明它是一个亚稳结晶相,当退火温度再升高时,发生第三次跃变,形成的相也是一个金属相,但直到1.5K未出现超导电性;(3)第一次电导跃变后形成的金属相是超导的,其Tc随底板温度不同而不同。 关键词：     

铌酸锂钠在低温时的介电铁电和热电性

在300—20K的温度范围内观测了用丘克拉斯基法生长的Li_0.025Na_0.975NbO₃晶体的介电、铁电和热电特性。介电常数,极化强度和热电性的反常表示该晶体在低温时发生相变。此相变有特别大的热滞(约80K),降温时发生于180K附近,升温时发生于260K附近。测量了晶体的室温结构,指出了可能的低温相点群。观测了热电电荷的时间响应,报道了热电电荷随时间改变符号的特异现象,认为其起因是相变过程中两相共存。 关键词：     

非晶态NdxT1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜的低温磁性

本文讨论了非晶态Nd_xT_1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。 关键词：     

纳米硅薄膜的低温电输运机制

在很宽的温度范围(500—20K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象.发现 原先的异质结量子点隧穿(HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下(500—200K)的电导曲线,但 明显偏离低温下的实验值.低温电导(100—20K)具有单一的激活能W,并与k_BT值 大小相当(W～1—3k_BT),呈现出Hopping电导的特征.对HQD模型做了修正,认为 纳米硅同时存在两种输运机制：热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hoppin g电导.高温时(T 关键词： 纳米硅薄膜 低温电导 电输运     

硅化物薄膜的质子弹性散射分析

本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeVHe的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeVH束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。 关键词：     

脉冲激光淀积BaTiO3薄膜的介电与铁电特性

用脉冲激光淀积方法在SrTiO₃衬底上制备了BaTiO₃/YBa₂Cu₃O_7-δ（铁电/超导）双层膜，X射线分析表明BaTiO₃薄膜是高度c取向的．对BaTiO₃薄膜的介电和铁电性能进行了实验研究．观察到铁电薄膜特有的电滞线和蝶型C-V曲线，薄膜呈现出较好的铁电性，在铁电随机存储等领域有重要的应用前景 关键词：