LB膜的变入射角透射光学二次谐波产生研究

给出了不同基频光和倍频光偏振态组合情况下，淀积在固体基板上的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ单分子层膜在面对入射光方向和背对入射光方向时，反射及透射光学二次谐波产生随入射角变化关系的理论公式。在此基础上，对一种芪盐ＬＢ膜样品进行变入射角的透射二次谐波产生研究。     

锗薄膜透射光学二次谐波研究

本文采用固定入射角，改变入射光偏振方位角的方法从实验上了研究了锗薄膜的透射光学二次谐波产生及其变化规律，并从理论上推导了产生透射二次谐波的表达式，最后拟合求得描述面谐波电流的唯象参数ａ。     

有机环形光纤中二次谐波产生的研究

本文从经典电磁理论出发，分析了有机环形光纤中二次谐波产生（ＳＨＧ）的转换效率，着重讨论利用环形光纤中模式的色散特性实现相位匹配等问题。报道了采用ＬＢ膜方法，制成半花菁环形光纤，由高灵敏度光检测计测出在强泵光（１．０６μｍ，ＹＡＧ激光）作用下该光纤中的二次谐波产生的实验结果。     

有机/无机薄膜凝胶动态过程的实时光学二次谐波产生研究

采用实时光学二次谐波产生(SHG)测量方法,以两亲性分子半花菁为掺杂探针分子,对溶胶-凝胶技术制备的玻璃薄膜的凝胶干燥的动态过程进行了研究.结合紫外—可见吸收光谱的测量,发现：因两亲性分子在膜中的自取向性可诱导出二阶光学非线性,溶胶-凝胶技术制备的有机/无机复合膜的凝胶干燥过程可通过薄膜SHG强度的变化半定量地反映.凝胶干燥收缩导致有序掺杂分子数减少,膜片的光学非线性减弱.该过程随薄膜处理温度的升高而急剧缩短;另外,有机分子在膜中的聚集程度随膜片处理温度的增加而很快减少. 关键词：     

组装L-B膜光学二次谐波的实验研究

一种分子形成的多层L-B膜由于相邻层的分子取向相反而使非线性极化抵消,总的X~(2)=0.本文用光学二次谐波方法确定了带有不同极性基团的L-B单分子层的有效非线性系数的大小和符号,对有效非线性系数符号相反的两种单分子层交替组装,使相邻单分子层的非线性极化相互叠加,得到了具有较大二阶非线性系数的组装L-B膜.     

透射共振对二次谐波产生的增强

为了提高二次谐波产生转换效率,本文提出将一维周期光学超晶格两端贴上未被极化的厚度可以改变的非线性介质层,通过调整附加介质层的厚度来调制基频波的场,从而观察二次谐波产生转换效率的变化情况.结果表明:基频渡场可以很大程度地调制二次谐波产生;随着能量的增加,二次谐波产生转换效率增加,随着能量的减小,二次谐波产生转换效率减小;...     

磁诱导的光学二次谐波及其应用

介绍一种新近发展起来的，利用光学非线性效应来进行磁学测量的实验方法－－磁诱导的光学二次谐波。该方法不仅对于表面的对称性及磁性结构具有极高的探测灵敏度，更重要的是它还是现在极少数可对多层薄膜的界面进行研究的技术，这为当今非常活跃的磁性单层、多摹研究工作提供了一个强有力的手段。     

掺半花菁二氧化硅薄膜光学二次谐波产生

报道了用溶胶 凝胶技术制备掺入半花菁染料的二氧化硅薄膜．在不加电场极化条件下，由半花菁分子的自取向导致光学二次谐波产生，定量测得厚度为50nm薄膜的二阶非线性系数χ^（2）为6.6pm/V，并初步研究了半花菁分子自取向的机理 关键词：     

不同表压下芪盐单层LB膜二次谐波的研究

在不同表压下制备芪盐的单层LB薄膜,测量LB膜的二次谐波信号.在低表压得到增强的二次谐波信号.对比芪盐的透射光谱,认为在LB膜中,芪盐以固相态存在,低表压时的固相态聚集体的吸收峰351nm使四阶非线性极化率x(4)(-2ω;ω,ω,ω,-ω)产生共振增强,四阶光学非线性现象对二次谐波信号产生影响.     

腔内倍频法测量KDP类晶体损耗系数

 用腔内倍频方法测量无源腔内晶体吸收和散射共同作用带来的损耗,其特点是响应时间很短,约100ns,并具有很高的灵敏度（约10^-4）,可望应用于高功率激光照射下非线性光学晶体无损损伤以及快速损伤的研究。将测量KDP类晶体的损耗结果与文献资料作了比较。     

光学二次谐波浑沌控制

用变量延时反馈控制法对光学二次谐波系统的浑沌进行了有效的控制.通过对系统的最大李雅普诺夫指数分析,给出了确定可控参数区的方法.证明适当的延时量和反馈强度可以使浑沌得到稳定的控制,被控制系统的轨道是初始系统浑沌吸引子中的不稳定周期轨道.     

超高斯光束二次谐波转换中的衍射和离散效应

采用KDP晶体Ⅰ类匹配的方案,以超高斯光束的二倍频为例,通过求解包含衍射、离 散的非线性耦合波方程,考虑衍射和离散两种因素对二次谐波转换效率的影响并对其作数值 模拟计算。结果表明,衍射的影响非常小。当入射超高斯光束口径较小时,离散效应的存在将 大大降低倍频转换效率。随着入射光束口径的增大,离散效应的影响相应地减小,甚至可以 忽略。     

二次谐波中大相位失谐下入射啁啾脉冲对相位的影响

讨论了在大相位失谐下,基波为频率啁啾脉冲的二次谐波产生过程,结果表明选取合适的啁啾参量可以使二次谐波的光强提高,但同时会使其波形和相位发生变化.三波相位的畸变主要取决于入射的基波啁啾脉冲,而与相位匹配的失谐量关系不大.     

金属-真空表面的二次谐波理论

对于金属表面上的二次谐波产生,现有理论(流体动力学和密度泛函理论)的计算结果与实验数据相差一个数量级。本文利用相关基函数理论计算了Al,Mg和Ag表面上的二次谐波,由于该方法较好地考虑了电子关联,因而明显地改进了理论结果。 关键词：     

高通量条件下KDP晶体三倍频参数的优化

 采用四阶龙格-库塔（R-K）数值计算方法,以Ⅰ／Ⅱ角度失谐和Ⅱ／Ⅱ偏振失配两种三倍频方案为例,给出了入射基频光为平面方波,功率密度5GW/cm²的情况下 ,KDP晶体三倍频参数的优化结果。     

二次谐波转换中的衍射和离散效应

 以I类匹配KDP晶体中高斯光束的二倍频为例,对衍射和离散两种因素对二次谐波转换效率的影响作数值模拟计算。结果表明,衍射的影响非常小。当入射超高斯光束口径非常小时,离散效应的存在将大大降低倍频转换效率。随着入射光束口径的增大,离散效应的影响相应地减小,甚至可以忽略。     

光学二次谐波混沌的控制

用方波控制法对光学二次谐波系统的混沌进行了有效的控制,通过对系统的最大李雅普诺夫指数（ＭＬＥ）的分析,给出了确定可控参数区的方法,证明适当的方波冲激强度和持续时间以及间隔时间可以使混沌得到稳定的控制,被控制系统的轨道是初始系统混沌吸引子中的不稳定周期轨道。     

产生短波长高次谐波条件的优化计算

 从电离的几率方程出发,得到了适用于任意激光脉冲宽度下原子的饱和激光强度和最高次光谐波光子能量与各激光参数的关系表达式,并由此给出了产生高次谐波的优化条件。解决了当超短脉冲激光的脉冲宽度小于皮秒时,产生高次谐波（HHG）的隧道电离理论中的Ammosov－Delone－Krainov方法对产生高次谐波的饱和激光强度以及最高次谐波光子能量的估算不可靠的问题。     

Ge-As-S体系玻璃中光学二次谐波发生及其极化机理分析

采用Maker条纹法,在电子束辐射极化条件下的Ge-As-S体系玻璃中观察到二次谐波发生效应 .通过热诱导去极化电流法(TSDC)进行极化机理分析得出,极化区域位于玻璃表面很薄的一 层区域内,与理论计算结果相符. 关键词： Ge-As-S体系玻璃 电子束辐射 Maker条纹 二次谐波发生 TSDC