C60薄膜的离子注入损伤研究

在200 keV重离子加速器上，用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C₆₀薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入C₆₀薄膜后，C₆₀的1469 cm^-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在1300—1700 cm^-1范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且1469 cm^-1拉曼峰的强度及C₆₀薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，C₆₀分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．H离子注入C₆₀薄膜后，1469 cm^-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽，这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C₆₀分子发生聚合的结果. 关键词：     

C60单晶的表面形貌与生长缺陷

用气相法生长出了毫米尺寸的具有规则晶面和金属光泽的高质量的纯C₆₀单晶.X射线衍射分析表明,C₆₀单晶在室温下具有面心立方(fcc)结构,晶格常数为α=1.4199(4)nm。用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C₆₀单晶的形貌,除观察到fcc结构的晶体所特有的{111}和{200}两种稳定晶面以及非常容易形成的孪晶之外,还发现了在{111}面上的树枝状、垄状和生长丘以及在{200}面上的树枝状、游泳池状和生长丘的生长缺陷。对C_{60 关键词：}     

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

对硫掺杂C₆₀薄膜样品在433K进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后C₆₀薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的C₆₀薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的 关键词：     

富勒烯C60的固态聚合

综述了近年来固体C₆₀聚合理论和实验研究的最新结果，分析几种聚合途径各自的特点和共同之处.重点讨论了聚合的物理机制，指出由于聚合反应需要C₆₀分子处于特定的相对位置，自旋指向无序是发生聚合过程的重要前提. 关键词：     

控制成核生长大尺寸C60，C70单晶

通过改进双温区双温度梯度方法，成功地控制成核密度，分别生长出线度可达6mm和5mm的大尺寸C₆₀，C₇₀单晶，并对其表面形貌和晶体结构进行了研究. 关键词：     

聚乙烯咔唑/C60组合薄膜光诱导电荷转移性质研究

采用物理喷束淀积技术,制备了聚乙烯咔唑(PVK)与富勒烯C60的组合薄膜系列,通过测量这些组合膜和纯膜的稳态和瞬态光生电压,研究了组合膜光诱导电荷转移性质.发现PVK/C60双层组合膜的光生电压比纯PVK薄膜和PVK与C60均匀混合膜有5个数量级的增强,比纯C60薄膜也有大于一个数量级的增强.实验结果证明:在光激发下,组合膜中两种分子间发生了快速的电子转移,并在PVK/C60界面处产生有效的电荷分离,导致PVK/C60双层组合膜光生电压的显著增强.并通过与ITO/C60/Al结构的瞬态光生电压响应的比较, 关键词：     

C60分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究

利用扫描隧道显微镜（STM）系统地研究了C₆₀薄膜在GaAs（001）表面的异质外延生长．在GaAs（001）2×4-β相表面，观察到C₆₀薄膜以非密排面进行生长，并在生长中有结构相变产生．实验数据表明，薄膜下层面心立方（fcc）的晶格常数比C₆₀晶体的晶格常数要大13%；而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆（hcp）结构，其表面为hcp（1100）面，生长过程是非理想的层状生长模式．在GaAs（001）-c（4×4）衬底上，C₆₀薄膜的表面仍然是fcc（111）面，其结构参数与C₆₀晶体一致，但C₆₀薄膜采用了三维模式进行生长 关键词：     

GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在GaAs（100）衬底上实现了完全（111）取向的C₆₀单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对C₆₀单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现C₆₀取向生长的衬底温度范围很窄，温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序．对实验结果做出了合理的解释，并讨论了C₆₀单晶膜的生长机制 关键词：     

C60中非线性激发的动力学研究

用电子－晶格耦合的紧束缚模型和求解实时牛顿动力学方程的方法研究了Ｃ₆₀受光激发后的动力学过程，得到了受光激发后Ｃ₆₀分子的能量，键结构和电子状态的动态演化，结果表明光激发Ｃ₆₀分子演化成环状双极化子激子。该计算结果与中性富勒烯材料的荧光实验所得出的结论一致。 关键词：     

C60薄膜的准分子激光刻蚀及形貌分析

报道了准分子ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）紫外激光刻蚀Ｃ６０膜的实验研究及对刻蚀薄膜的形貌分析。基于形貌分析的结果提出其刻蚀机理。     

C3N4薄膜的结构与性能研究

用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成C₃N₄薄膜，并采用强迫晶化技术，经透射电子衍射观测，薄膜具有多晶结构．用X射线光电子能谱测试了C，N原子结合能及含氮量．傅里叶变换红外光谱曲线表明薄膜中不含石墨相．测得薄膜的维氏硬度为29.2—50.0GPa 关键词：     

INVESTIGATION OF GROWTH CHARACTERISTICS OF MONOCRYSTALLINE C60 FILMS IN HELIUM GAS ENVIRONMENT

The growth characteristics of C₆₀ films were investigated in helium gas environment at pressures of 0, 2.667×10^-2 and 6.667×10^-2 Pa, respectively. X-ray diffraction results showed that perfectly (111) oriented monocrystalline C₆₀ films with large grains were successfully deposited on synthetic 1M phlogopite mica-fluorophlogopite (0Ol) plane at a substrate temperature of 160℃ when the helium gas pressure is 2.667×10^-2 Pa. The results indicated that under appropriate helium gas pressure, the energy change of C₆₀ molecules through collisions with helium atoms, and the decrease of the supersaturation of the vapor pressure in the vicinity of the substrate resulted in a quasi-thermodynamic equilibrium deposition system. As a result, well-structured monocrystalline C₆₀ films were deposited on (001) plane of the fluorophlogopite substrate.     

离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对C₆₀薄膜结构的影响,并利用Raman光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响C₆₀薄膜的结构,使C₆₀分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关,并存在一注量阈值,只有在此阈值之上,C₆₀薄膜结构才发生改变,研究表明这与注入离子同C₆₀分子之间互作用方式有关.     

C60单晶生长及特性的研究

用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的C₆₀单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该C₆₀单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明，C₆₀单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在２７４Ｋ附近激活能的变化，这可能是另一个相变的反映。 关键词：     

C60/C70晶体形貌的研究

采用电弧法制备了C₆₀/C₇₀,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C₆₀/C₇₀晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。 关键词：