磁光材料磁圆二向色性的测量

采用磁光旋转测量装置与1/4波片组合而成的实验装置测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)单晶薄膜样品的磁圆二向色性(椭圆率tanhθ″),以及θ″与磁场强度H、样品厚度2h的关系。测量密度达0.01°。实验证明了磁光旋转的虚部θ″与实部θ′一样,是与磁化强度M相联系的,且随样品厚度线性增加。     

交变磁场下法拉第效应研究

介绍了交变法拉第效应的磁光调制测量原理和方法，分析了亚铁磁材料法拉第Ｆｒａｄａｙ效应和磁光调制深度与交变磁场频率间的关系，证明了交变法拉第旋转幅值θ０的实部θ０小于静磁场下的θ＇ｓ，而虚部θ＇＇０大于θ＇＇ｓ，理论和实验结果相吻合，由此得出结论，采用具有磁圆二向色性的磁光材料做成的调制器不可能达到彻底的开关状态。     

顺磁性物质中法拉第磁光效应及其温度特性的量子理论

在某些顺磁性物质中,包括交换作用和外磁场在内的有效场H_i可导致基态能级的分裂。在温度T高于居里点T_c范围内,基态分裂的两个能级上均可存在一定的电子几率分布,从而可导致基态双能级跃迁。根据这一理论进行的计算表明,顺磁性物质的法拉第效应存在多种温度特性。在外磁场不太大的情况下,有些物质的费尔德常数V与磁化率X的比值V/X=A(1+BT);有些物质中V/X=A(1+B/T)。计算还表明,法拉第旋转的实部θ′和虚部θ″均与有效场H_i成正比,并在非吸 关键词：     

克尔磁光效应的经典理论分析

本文引入与自旋-轨道相互作用等有关的有效场概念,运用经典电磁场理论,推导了磁光克尔旋转的明确表达式.证明了各种磁光介质的极向克尔旋转θ_k的实部θ′_k和虚部θ″_k均与有效场H_i成正比,在铁磁性介质中近似与vM成正比,M为磁化强度,在亚铁磁性等介质中近似与(?)v_iM_i成正比,M_i为i次点阵的磁化强度.同时还证明了近似的横向克尔旋转θ_k~t与H_i~2正比;θ_k和θ_k~t的温度特性取决于H_i的温度特性.     

氨分子在000和201带的选择光离解

本文利用脉冲紫外激光(UV)选择激发氨分子到?¹A″₂电子激发态的两个最低振动能级ν′₂=0和ν′₂=1(ν₂振动),然后检测新生态H原子的飞行谱(TOF),研究了氨分子的光碎片动力学。光谱证实了最近所测的离解能D₀⁰(H-NH₂)=4.645eV;绝大多数生成的NH₂(X²B₁)基处于非振动激发,但是具有围绕a惯性轴的高度转动激发。通过NH₃(?)的ν′₂=1光离解产生的NH₂(X)基具有较高的内部激发,并且显示了在N=K_a转动能级上的反转布居。 关键词：     

铝-铜-镓三元系合金相图

铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ₂, γ′, δ, ζ₁, ζ₂, η₂, θ, θ′,α_铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ₁, α+ γ₂, α + γ′, γ₂ + γ′, γ′+ ζ₁, γ₂+δ, γ′+δ,δ +ζ₂, ζ₂+η₂, η₂+θ,η₂+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α_铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ₁, α+ γ₂+ γ′, γ₂+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ₂+θ′, ζ₂ + η₂ + θ′, η₂+ θ′ + 镓, η₂ +θ + 镓和θ +镓+ α_铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。 关键词：     

代In的BCVIG单晶的磁光克尔旋转

我们测量了分子式为{Bi_3-2xCa_2x}[Fc_2-yIn_y](Fe_{(3x)Vx)O12的铁石榴石单晶(简记为代In的BCVIG)在0.45—0.80μm内的饱和极向磁光克尔旋转谱。在0.47μm附近观察到一个强的旋转峰值。通过改变In,V(Bi)的替代量获得了室温下磁矩抵消点附近0.47μm磁光旋转值与成份的关系。发现当替代量的变化通过磁矩抵消点时,克尔旋转的符号突然由正变负,但其绝对值并不依替代量趋近磁矩抵消点(总4πMs下降)而逐渐下降。还发现In的代入使磁光旋转有所增强,在y≈0.15时增强最大。借助总磁光旋转为Bi增强了的次点阵磁光旋转迭加的模型解释了代In引起的旋转增强。按此拟合实验结果导出了0.47μm下四、八面体次晶格旋转系数之比为α4/α8≈1.5即单位Fe³⁺在四面体比在八面体对磁光旋转的贡献大。实验结果还表明,在x<1.0的配方区,并有小量In代入(y<0.15)时可望得到大磁光旋转材料。考虑到低而可变的4πMs,高的居里点和相当大的磁光旋转,该配方区的代In的BCVIG在磁光各种应用中将是强有力的竞争者。 关键词：}     

C2H221分子转动角动量定向分布(Orientation)及其碰撞弛豫和转移

利用圆偏振激光受激Raman抽运,以 C₂H₂分子为样品选择性地制备了它的电子基态单一转动态(X¹Σ⁺_g,ν″₂＝1,J″的角动量定向布居(orientation)．并从圆偏振紫外激光诱导的A¹A_u(ν′₃＝1)←X¹Σ⁺_g(ν″₂＝1)的荧光（谱）,直接测定了 C₂H₂(X¹Σ^＋_g,ν″₂＝1,J″＝4,7,8,…,13）的角动量定向布居值．从时间分辨的荧光信号谱测定了角动量定向布居的碰撞弛豫速率常数,同时还研究了由各初始激励的转动态向其他邻近转动态碰撞诱导的角动量定向布居转移． 关键词：     

Bi4Ge3O12晶体的磁光法拉第旋转

在可见光范围测量了Bi₄Ge₃O₁₂晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。 关键词：     

Ti掺杂对α″-Fe16N2相稳定性的影响

研究了掺杂Ti对α″-Fe₁₆N₂相稳定性的影响，发现适量Ti掺杂有利于α″-Fe₁₆N₂相的形成．理论分析表明，掺杂适量Ti元素后含Ti的α″-(Fe,Ti)₁₆N₂相的生成焓降低，使α″相的稳定性提高，也使α″相更易制备．Ti浓度为3—15at％的(FeTi)-N薄膜具有高饱和磁化强度，μ₀M_s=2.3—2.5T． 关键词：     

Raman紫外双共振研究C2H2分子的碰撞转动弛豫

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C₂H₂分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X¹∑_g⁺,v″₂=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A¹Au(v′₃=1)←X¹∑_g⁺(v″₂=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C< 关键词：     

K2OsO2(OH)4低温拉曼光谱研究

本工作获得了低温下锇酸钾K₂OsO₂(OH)₄的拉曼光谱,并对其声子行为进行了研究。在低温下,K₂OsO₂(OH)₄的拉曼光谱信噪比和展宽都得到改善,由晶胞收缩引起的晶体场扰动使位于高波段的ν₁模分裂为ν′₁和ν″₁两个振动模;而晶体中氢键体系取向的重定向行为使ν₂模在低温下发生了不连续变化。     

固体材料的磁光效应及其应力、温度和色散特性

本文应用经典电磁场理论推导了磁光效应的基本关系式,运用有效场概念得到了适用于各种磁光介质情形的法拉第旋转θ的明确表达式.证明了θ与有效场H_(?)成正比关系并具有强的色散特性;在弱磁介质中外应力对θ具有明显的影响;逆磁性介质的费尔德常数V与温度T无关,有些顺磁性介质的费尔德常数V_p与磁化率x的比值V_p/X=G(1+RT);在反铁磁性和亚铁磁性介质中,θ与各次点阵磁化强度M_(?)有关,其温度特性不仅取决于次点阵磁化强度,而且取决于磁光系数与温度的依赖关系.计算结果与实验符合得很好.计算还表明,当光的传播方向与H_(?)方向垂直时,入射到磁光介质中的线偏振光会分解成一个椭圆偏振光和一个线偏振光,这种磁双折射的相位延迟率的实部和虚部均与H_(?)~2成正比.     

High-order time-reversal symmetry breaking normal state

Spontaneous time-reversal symmetry breaking plays an important role in studying strongly correlated unconventional superconductors.When two superconducting gap functions with different symmetries compete,the relative phase channel(θ_-≡θ₁-θ₂)exhibits an Ising-type Z₂ symmetry due to the second order Josephson coupling,where θ_1,2 are the phases of two gap functions.In contrast,the U(1) symmetry in the channel of θ₊≡(θ₁+θ     

纳米软磁合金的双相无规磁各向异性模型

按照Ａｌｂｅｎ非晶无规磁各向异性的处理方法，考虑纳米软磁合金的双相组织结构的特点，提出了双相无规磁各向异性模型，得到了纳米软磁合金的有效磁各向异性与显微结构参数及铁磁相磁特性参数间的关系，探讨了磁性与有效磁各向异性的关系．用Ｆｅ_７３.５Ｃｕ_１.０Ｎｂ_３.０Ｓｉ_１３.５Ｂ_９.０纳米软磁合金的Ｘ射线衍射结构分析及磁测量结果进行了分析及验证，为上述研究提供了有力的支持 关键词：     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

镁-锌时效合金中一维过渡相β′2的晶体学研究

采用X射线衍射方法,显示出镁-5Wt％锌合金在165℃时效初期有两种过渡相β′₁和β′₂共存。对细杆状过渡相,β′₂的一维衍射现象进行了详细分析。这种过渡相具有六角点阵结构,其[0001]轴是杆的长轴,它的点阵常数及与母相间的取向关系经测定为:a_(β′2)=13.2?,c_(β′2)=5.25?,[0001]_{(β′2)关键词：}     

向列相液晶电流体不稳定性——偏置电场效应

本文考虑了外电场与液晶盒玻璃片法线成倾角θ₀时,沿面排列的向列相液晶(θ_α<0,σ_α>0)的电流体不稳定性现象。在Dubois-Violette等人的一维理论的基础上,我们获得了直流、正弦波和矩形波三种电场激发下的失稳条件。重要结果包括:(1)电荷弛豫时间随θ₀单调上升。(2)对于MBBA液晶,存在一个临界角θ_c(ω)(ω是外场频率),当θ₀>θ_c(ω) 关键词：     

双层膜极向Kerr效应的增强与其本征值之间的关系

应用相干光迭加的普遍原理，从理论上导出了双层膜情况下，介质增强后的极向Ｋｅｒｒ角（θ_k）与磁光介质本征的极向Ｋｅｒｒ角（θ⁰_k）之间关系的解析表达式，指出了光经玻璃衬底面入射到磁光介质时测量的Ｋｅｒｒ角θ_k与磁光介质本征Ｋｅｒｒ角θ⁰_k的不同，提出了一种简便的测量θ⁰_k的方法，并讨论了Ｋｅｒｒ角θ_k介质增强的物理原因，从理论上导出了等离子体吸收边情况下，双层膜的Ｋｅｒｒ角θ_k增强的关系式。 关键词：     

332—362nm范围内CF2Cl自由基的共振增强多光子电离研究

用CF₂Cl₂分子直流脉冲放电的方法产生CF₂Cl自由基，结合共振增强多光子电离(REMPI)技术，测量了332—362nm波长范围内CF₂Cl自由基的(2+1)REMPI光谱，分析并标识了4s Rydberg态带源位于(ν_0—0=55371cm^-1)，两个被激活振动模ω′₃(CF₂剪式振动模)和ω₄′(OPL 关键词：