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在紧束缚近似下,利用自洽总能计算给出了Zn/GaAs(110)系统的表面几何结构.证明了低覆盖下Zn/GaAs(110)表面弛豫是一普遍现象,它对准确地描述费密能级钉扎位置十分重要.由于吸附Zn原子的高局域s轨道与表面Ga原子sp3悬挂键轨道的杂化,使成键态位于能隙中距价带顶0.73eV处.进一步给出了与其它元素吸附和清洁GaAs(110)表面的理论与实验结果之比较 相似文献
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首次在(100)GaAs衬底上成功地生长出ZnGa2Se4外延薄膜。用分子束外延技术在100GaAs衬底上制备Ga2Se3/ZnSe异质结时,用540℃以上的温度生长出ZnGa2Se外延层。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
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本文介绍利用分子束外延方法在GaAs的某些特殊表面上原位直接生长GaAs/AlAs量子线结构的几种方法,包括采用(311)等高指数面、(001)邻晶面以及(110)解理面二镒生长。着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方面能避开目前纳米尺度刻蚀生长的困难,可能成为制备低维结构的有希望的途径。 相似文献
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各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光.进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa). 相似文献
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为研究钆在MgO薄膜表面吸附的特性,首先在经硫代乙酰胺(CH3CSNH2)处理的GaAs(100)表面外延生长P型半导体MgO(110)薄膜,然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附,结果发现由于Gd/MgO界面的能够弯曲使Mg2p向高结合能端位移0.4eV,而且从实验结果推断,钆与衬底反应很弱,并且主要以团簇的形式吸附。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al0.3G0.7As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和AlxGa1-xAs中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。
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MA Chunsheng 《Chinese Journal of Lasers》1994,3(4):331-337
Birefringenceof(Al)GaAs/AlGaAsmultiplequantumwellopticalwaveguides¥MAChunsheng(DepartmentofElectronicEngineering,NationalInte... 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16),超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构,应变分布以及光学性能进行了研究,结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶 相似文献
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报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
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汽─液─固相法生长GaAs/InAs量子点1995年4月,日本《固体物理》第30卷第399页发表的比留间健之等的文章介绍了汽-液-固相法生长的GaAs/InAs量子点及其光荧光蓝移现象。在以As终止的GaAs(111)面上真空蒸发约1nm的Au膜,加... 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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用X射线光电子能谱(XPS)结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同x值的AlxGa1-xAs/GaAs异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析,发现Al向表面偏析的现象及As和Al的择优溅射问题,并对此进行了讨论。同时用XPS法进行了Al的定量分析,并与光致发光法测得的X值进行了对比,发现二者有非常好的线性关系。 相似文献
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