La掺杂BaTiO3陶瓷的介电性与缺陷

La掺杂BaTiO₃陶瓷的介电常数在0.40at％La含量内随掺La量呈现倒U型变化,在1kHz内随频率增加急剧减小,之后随频率变化缓慢,介电性的这些变化起因于掺La引起的如下缺陷变化:独立的Ba空位( V″_Ba→(La_Ba·V″_Ba)型复合缺陷→(La_Ba·V″_Ba·La_Ba型复合缺陷型复合缺陷。     

淀积气压对脉冲激光淀积La掺杂钛酸铅薄膜介电性能的影响

利用脉冲激光淀积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了28mol%La掺杂钛酸铅薄膜.采用不同的淀积氧气压，并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响.结果表明，在2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数.在频率为10kHz时28mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达852，并且保持了较低的损耗.同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜，发现它们也有类似的特点.对此作了定性解释. 关键词： 脉冲激光淀积 PLT薄膜 气压 介电增强     

质子对BaTiO3薄膜辐照损伤的计算机模拟

本文先应用分子动力学模拟BaTiO₃体系在初级击出原子(primary knock-on atom, PKA)轰击下缺陷产生和复合的动力学过程, 模拟结果表明：PKA的方向和能量对缺陷数目有重要影响, 并计算了Ba, O和Ti原子的平均位移阈能分别为69 eV, 51 eV和123 eV, 远大于SRIM程序默认的位移阈能25 eV. 然后应用蒙特卡罗软件包SRIM, 模拟质子在BaTiO₃薄膜中的能量损失过程, 比较位移阈能对模拟结果的影响, 分析质子能量和入射角度对空位数量以及分布的影响. 结果表明空位数量随着质子能量增加而增加, 增加的速率随能量的增加是降低的;当入射角度大于60°, 空位数量随入射角增大而明显减少.     

脉冲激光淀积高温超导薄膜

１９８７年贝耳实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以后，脉冲激光淀积技术获得了长足的发展，现在已成为最好的薄膜制备技术之一．文章简要介绍了用脉冲激光淀积技术制备高温超导薄膜的原理、特点及发展情况．     

脉冲激光沉积Ag:BaTiO3纳米复合薄膜及其光学特性

在MgO(100)基片上利用脉冲激光沉积技术制备了掺有Ag纳米颗粒的BaTiO₃复合薄膜.通过X射线衍射对薄膜的结构进行了表征,利用透射电子显微镜对Ag纳米颗粒的尺寸、形态进行了观测,X射线光电子能谱结果表明Ag呈金属态.在410—500nm范围内观测到了Ag纳米颗粒引起的等离子振荡峰,随着后处理温度和Ag颗粒浓度的增加,吸收峰发生红移,并出现了双峰现象. 关键词： 金属纳米复合薄膜 激光沉积 光吸收     

横场-伊辛模型中BaTiO3的铁电行为

采用横场-伊辛模型描述了BaTiO₃中量子效应对铁电行为可能的贡献.计算显示量子效应可以明显地减少铁电体的自发极化.模型给出的理论结果与BaTiO₃的介电及极化实验结果符合较好. 关键词： 铁电性 量子效应 3')" href="#">BaTiO₃     

铁电薄膜探测器PbZrTiO3的红外光电响应实验研究

掺杂的铁电薄膜PbZrTiO₃与以高温超导体YBa₂Cu₃O₇为基底组成红外薄膜探测器.具有自极化性质，并可在室温下操作使用.研究了此种薄膜探测器的结构极化性质，测量了它的红外光电压、光电流与黑体辐射源温度、探测器样品温度及斩波频率之间的关系. 关键词：     

脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究

利用两种脉宽 (30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究 ,并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF DLC薄膜 ,运用时空分辨的等离子体发射光谱诊断系统和离子探针系统研究了等离子体特性对薄膜性能的影响。尝试了利用准分子激光制备非晶硅薄膜 ,研究了实验参数对非晶硅薄膜制备的影响 ,并分析了制备具有良好电学和光学性能的非晶硅薄膜的条件     

Pb(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜激光感生电压效应

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaSrAlTaO₃(LSATO),LaAlO₃(LAO)和SrTiO₃(STO)的单晶倾斜衬底上成功制备了Pb(Zr_0.3Ti_0.7)O₃(PZT)薄膜,在三种倾斜衬底上生长的PZT薄膜中都首次发现了LIV效应.对PZT/LSATO薄膜在a,c轴两种不同取向择优生长下的LIV效应做了研究,发现在薄膜c轴取向择优生长 关键词： 激光感生电压效应 铁电薄膜 薄膜生长取向 原子层热电堆     

THE ANNEALING EFFECT OF CRYSTAL 4H-SiC FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION

SiC films were prepared by pulsed XeCl laser ablation of ceramic SiC target on Si(100) substrate at temperature 850℃ and post-deposition high temperature annealing above 1100℃ (1100℃-7 Pa). The surface morphology, crystal structure, composition and chemical state of the element in the films before and after annealing were studied by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, Auger electron Spectrum, X-ray photoelectron spectrum and photoluminescence methods. It was found that the films were consisted of polycrystal 4H-SiC structure before annealing and were turned into singlecrystal epitaxial 4H-SiC after annealing. The surfaces of the films were smooth and the adhesion of films with the substrate was good. The films were transparent. Excited by the laser with wavelength 290 nm at room temperature, the films emitted two luminescence bands with the peaks at 377 nm and 560 nm. The emission at 377 nm was attributed to the combination of the transmission among the valence and conductor bands, while the one at 560 nm was possibly to be from exciton emission.     

脉冲激光沉积原位生长MgB2薄膜的研究

文章介绍了我们利用脉冲激光沉积（PLD）方法原位生长MgB2超导薄膜的工作．实验采用两步法的方案：高真空条件下在Al2O3（001）衬底上沉积Mg-B混合物加覆盖Mg层的双层结构，然后将该前驱体在630℃左右的Ar气氛中原位退火。成功制备出了有较好重复性的MgB2超导薄膜，其最高的起始转变温度为36．5K。转变宽度在1K左右．我们认为该方法为进一步研究基于MgB2的多层结构器件提供了一种可行的发展思路．     

脉冲激光沉积原位生长MgB2薄膜的研究

文章介绍了我们利用脉冲激光沉积(PLD)方法原位生长MgB2超导薄膜的工作.实验采用两步法的方案:高真空条件下在Al2O3(001)衬底上沉积Mg-B混合物加覆盖Mg层的双层结构,然后将该前驱体在630℃左右的Ar气氛中原位退火,成功制备出了有较好重复性的MgB2超导薄膜,其最高的起始转变温度为36.5K,转变宽度在1K左右.我们认为该方法为进一步研究基于MgB2的多层结构器件提供了一种可行的发展思路.     

PULSED LASER DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF FERHOELECTHIC Pb(Zr, Ti)O3 THIN FILMS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O₃ thin films were prepared by pulsed exeimer laser deposition on silicon-on-insulator and Pt-coated silicon-on-insulator substrates, and rapid thermal annealing was per-formed to crystallize the films, Based on the analysis by X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and measurements of electrical properties, the films were revealed to be polycrystalline perovskite structure with mainly (100) and (110) orientations, and their crystallization was found to be dependent on annealing temperature and annealing time. The films show good ferroelectricity, with P_r=15μC/cm², E_c= 50kV/cm, high resistivity and high dielectric constant.     

辉光放电等离子体辅助XeCl准分子激光溅射沉积碳氮薄膜

利用直流辉光放电等离子体辅助的脉冲激光沉积技术在Si衬底上生长了碳氮薄膜.通过扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、俄歇电子能谱等多种手段,对薄膜的形貌、成分、晶体结构、价键状态等特性进行了分析和确定.结果表明,沉积薄膜为含有非晶SiN和晶态氮化碳颗粒结构,晶态成分呈多晶态,主要为α-C₃N₄相、β-C₃N₄相,晶粒大小为40—60nm.碳氮之间主要以C-N非极性共价键形式相结合. 关键词： 脉冲激光沉积 直流辉光放电 碳氮薄膜     

脉冲高能量密度等离子体薄膜制备与材料表面改性

脉冲高能量密度等离子体是一项全新的等离子体材料表面处理和薄膜制备技术。文章主要介绍了作者近几年来在这方面的研究成果。从理论和试验上研究了脉冲高能量密度等离子体的产生机制及其物理性质，研究了脉冲等离子体与材料相互作用的基本物理现象和物理机制，诊断测量表明，脉冲等离子体具有电子温度高（10－100eV）、等离子体密度高（10^14-10^16cm^-3）、定向速度高（－10^7cm/s）、功率大（10^4W/cm^2）等特点，在制备薄膜时具有沉积速率高，薄膜与基底粘结力强，并兼有激光表面处理、电子束处理、冲击波轰击、离子注入、溅射、化学气相沉积等综合性特点，可以在室温下合成亚稳态相和其他化合物材料。在此基础上，系统地进行了脉冲等离子体薄膜制备和材料表面改性及其机理的研究，在室温下的不同材料衬底上成功的沉积了性能良好的较大颗粒立方氮化硼、碳氮化钛、氮化钛、类金刚石、氮化铝等薄膜材料，沉积薄膜和基底之间存在一个很宽的过渡层，因此导致薄膜与基底有很强的粘结力，经脉冲等离子体处理过的金属材料表面性能得到了极大改善。     

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

在低温Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜，其择优取向为（008）和（115）．薄膜厚度约为200nm．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm²和57kV/cm，在10¹⁰次开关极化后没有显示任何疲劳，在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10^-8A/cm²，直流击穿电场约为250kV/cm 关键词：     

用脉冲激光淀积制备具有光滑表面的A-轴取向YBa2Cu3O7薄膜

我们采用脉冲激光淀积方法在(100)SrTiO3基底上制备了a-轴取向外延的YBa2Cu3O7-x薄膜.通过采用活性氧,降低氧压和淀积速率,制备出了Tc超过80K、表面平均粗糙度为4.43nm的薄膜.X-射线衍射谱表明,实验得到的YBa2Cu3O7-x外延薄膜是高度A-轴取向的.     

不同前驱体溶液制备BiFeO3薄膜的晶体结构及电学性质研究

BiFeO3 是技术上广泛应用的极为重要的一类多铁性材料.本文采用sol-gel法,在ITO基底上分别采用乙酸和硝酸为溶剂制备纯相BiFeO3薄膜.XRD、电滞回线与介电性分析表明,在退火温度为600℃时,两种溶液均能制备出BiFeO3晶体,相比之下,利用乙酸制备BiFeO3比较容易,且铁电性好.     

PULSED LASER DEPOSITION OF DLC FILMS OVER LARGE AREA AND IT

利用脉冲激光沉积结合计算机辅助衬底扫描技术制备了 尺寸为70×66mm、均匀性为±5％的类金刚石薄膜,薄膜显微硬度最高为27GPa,薄 膜结合强度达到20000转;在制备大尺寸薄膜的过程中,衬底扫描速度越慢,薄膜的均匀性 越好;在应用传统清洗等方法的基础上,认为增大镀膜粒子的能量对于提高薄膜和衬底的结 合强度是非常重要的.