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相似文献
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1.
2.
王若虚 《微电子学》1992,22(4):63-65
本文介绍了一种用于全并行(闪烁型)A/D转换器的电压比较器的设计,并对闩锁比较级的设计作了具体分析。该电路具有高频、高增益和低功耗等特点。采用氧化物隔离双极工艺,最小特征尺寸为3μm,晶体管的f_T为3.5GHz。该比较器满足S10214位并行A/D转换器的指标要求。  相似文献   

3.
带ADC,PWM和比较器的单片机——EM78P458   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文概要介绍了EM78P458单片机的主要性能特点,并给出了该单片机的A/D转换器、脉宽调制器(PWM)和比较器的用法。  相似文献   

4.
郭辉  叶波 《微电子学》1997,27(2):125-129
提出了一种新颖的高速CMOS电压比较器的电路结构,它由一个差分输入组、两组串 CMOS锁存电路和两个CMOS倒相器所组成,并且在外部的三相不交叠时钟信号控制下进行流水线操作。整个电路根据标准的双吕布线1.5μm,n阱工艺设计规则和工艺参数进行设计版图面积为为100μm×80μm。整个电路在5V单电源从电条件下进行具有8位精度的电压比较工作,在以最大采样频率(200MHz)工作时,功耗仅为1.2mW  相似文献   

5.
潘杰  朱樟明  杨银堂 《微电子学》2006,36(2):192-196
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。  相似文献   

6.
李清 《微电子学》1994,24(6):22-26
本文介绍了一种误差补偿方法,并根据这种方法设计了高分辨率A/D转换器。该电路采用BiCMOS设计和开关电容电路,根据误差补偿原理设计了误差补偿电路,有效地抑制了由于电容不匹配所引起的误差,并通过高增益和高共模抑制比的运放和比较器设计,实现了高分辨率的A/D转换,PSPICE仿真结果验证了设计的正确性。  相似文献   

7.
BiCMOS先进的符号幅值20比特数/模转换器特点·极低的失真─96dBmaxTHD+N(不需外部调整)·接近理想的低电平工作特性·、无毛刺输出·120dB信噪比典型值(A计权)·工业标准串行输入格式·快速(200ns)电流输出(±1.2mA)·16...  相似文献   

8.
潘杰  杨银堂  朱樟明   《电子器件》2006,29(2):339-343
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70 GHz,β〉120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用。本文基于SiGe BiCMOS工艺。提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成。采用3.3v单电压源,比较时钟超过10GHz,差模信号电压输入量程为0.8V,输出差模电压为0.4V,输入失调电压约2.5mV,用于8位两步闪烁式AID转换器。  相似文献   

9.
江泽福 《微电子学》1994,24(6):18-21
SAD0820高速8位A/D转换器是一种具有跟踪/保持功能的8位高速微机兼容A/D转换器,其转换时间为1.5us,功耗为75mW,用串并结构来实现A/D转换器的高速。每4位ADC分别由15个比较器构成;单一电源工作,采用双层多晶硅p阱CMOS工艺制作。  相似文献   

10.
本文从CCITT有关话路传输特性的规定出发,从理论上推导出60路TMUX—S型复用转换设备中群编译码电路的自环测试特性,并进一步计算出A/D和D/A变换器的分辨率、静态噪声、非线性失真、编码速率等技术指标。  相似文献   

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13.
设计了一款0.25 μm BiCMOS差分光电转换器,包括光电转换和运算放大电路两部分.设计过程中首先采取改进电路结构、优化器件参数的措施,以实现高速宽带低功耗的设计目标;然后确定了运算放大器的版图尺寸,各运放的芯片面积均为0.45 mm×0.32 mm;最后对所设计的转换器进行了仿真和硬件电路实验.结果表明,所设计转换器的光电流随入射光功率增加呈指数规律增大的趋势;运放电路可采用3.0~5.0 V电源供电,-3 dB带宽达到76.3 kHz,功耗约89 mW,而传输时延只有15.4 ns,因此特别适用于高性能光纤通信系统中.  相似文献   

14.
15.
邱在兴 《电子技术》1990,17(6):42-43
CH5081相位比较器是上海无线电十四厂最近研制出的一种CMOS微功耗集成电路。它为单列直插式塑料封装,共有9个引出脚,其引出脚的间距为2.5mm,各引出脚的功能如图1所示。  相似文献   

16.
详细介绍了AD58X系列带隙型电压基准源工作原理及有关参数定义,并以AD581和AD584为例,阐述基准源在A/D转换、D/A转换和高精度大电流源方面的应用。  相似文献   

17.
18.
《电子元器件应用》2006,8(3):127-127
意法半导体(STM)推出一款高性能的BiCMOS比较器TS7211。新器件具有微功耗、干线到干线输入和推挽输出功能,采用节省空间的SOT23—5L封装,引脚兼容当前领先的处于相同水平的器件。  相似文献   

19.
近年来,数字音频设备中的关键器件——D/A变换器在技术上有了惊人的进步。数字音频系统设计的一个重要目标是最大限度地利用已制定的CD系统标准中的16bit数据。Sony公司最新研制的1bit脉冲型D/A变换器,朝着上述目标迈出了重要的一步。一、传统的D/A变换器到目前为止,应用较为普遍的D/A变换器是阶梯波型D/A变换器,它是通过一系列电子  相似文献   

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