嵌入式系统中ROM的设计

文章分析讨论了ROM的工作原理和结构，并结合实际工作，详细论述了一个用于嵌入式系统的128K位ROM的设计和实现，针对慢的问题，从选择合适的译码方案和减少字线上的RC负载两个方面，提高字线的响应速度，从而使ROM的读取时间有较大的提高，同时设计中在VLSI可实现性的前提下，兼顾面积，功耗，测试表明，ROM的设计符合嵌入式系统的要求。     

进口设备中ROM芯片的代换

进口设备中ＲＯＭ芯片的代换河北机电学院（石家庄，０５００５４）王平杨宜平冉海潮在我们对进口设备电控系统进行维修时，常常需要对损坏的ＲＯＭ（只读存储器）芯片进行修复或代换。由于进口设备来自不同的国家，所以ＲＯＭ元件五花八门，且年代不一，有的元件已被淘汰...     

一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计

文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度。重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现。     

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017m2,存储密度高达0.0268 mm2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。     

一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计

因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的电流，所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压，内部的电荷泵。     

汉字图形字符的输入与应用

针对微机汉字操作系统使用中遇到的一些问题,本文介绍汉字图形字符的输入与应用,文末给出用C语言编制的应用程序,该程序提供了一种显示或打印汉字图形字符区位码表的方法,同时它还可用于检查汉字操作系统所提供的显示和打印用汉字库的完整性、正确性及扩充性。     

具有1Mbit容量的CMOS ROM

CMOS ROM MB8300系列产品适合于大存储容量、高速度和低功耗的应用。该系列提供的存储容量范围为256Kbiis到1 Mbit,存取时间快到200ns,最大备用功耗低达165uW。该系列按字节宽度配置,它包括256kbits MB83256和1Mbit MB831124做种。其输入和输出与TTL电平兼容;三态输出使得与一些器件相连的信号线上的负载减轻到最小值。MB8300系列的器件全采用28条腿双列式封装。MB83256和MB831124的售价分别为5.25美元和20美元,两者均以1000块为一批。     

液晶显示器汉字字模存储方法

描述了图形液晶模块的汉字显示方法,以8051单片机为基础,介绍了液晶模块与单片机的典型接口电路;叙述了单片机系统中3种汉字字模存储和提取的方法:一是字模存放在程序存储器中;二是通过外扩的E2PROM存储汉字字模数据,将其作为外部数据存储器进行寻址;三是使用外扩的E2PROM存储整个汉字库,通过汉字区位码寻址汉字库进行字模提取。     

富士通半导体推出新型1Mbit和2Mbit FRAM产品

富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出两款新型FRAM产品-MB85RS1MT和MB85RS2MT,两款产品分别带有1 Mbit和2 Mbit的存储器,是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。两款新型产品保证有10万亿次的读写次数,大约是现有芯片的10倍,适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与容量     

基于连通域单元和穿越算法的汉字切分

参考汉字的基本结构特征，以连通域单元为基本处理单元，根据各个连通域单元之间的位置关系对其进行合并。对合并后的结果中存在字符粘连的情况，采用一种改进的穿越算法，选取最佳切分位置对文本进行切分。实验结果表明，本算法对单行自由格式手写体汉字切分可取得较好的效果。     

采用Flat_Cell技术的ROM设计和分析

Flat_Cell ROM具有高密度和高性能的优点。本文介绍了Flat_Cell结构和采用Flat_Cell技术的ROM设计方法。包括Flat_Cell的工艺技术、Flat_Cell基本电路结构和ROM放大器电路。     

基于数据选择器简易ROM的设计

数据选择器作为数字电路中组合逻辑的主要集成元件之一,除了具有传统的数据传输、分配功能和逻辑函数发生器之外,还可用作简易的电平改写的ROM。以中规模集成数据选择器74LS153和74LS151为例,详细介绍电平刷写ROM的设计方法。利用简单的芯片和方法实现了较复杂的电路功能,也充分体现了扩展集成器件性能和用途的重要性。     

液晶汉字显示的原理与设计

以液晶显示模块MGLS-12032A为例,给出了一种单片机控制的液晶汉字显示系统。首先简要介绍了MGLS-12032A的结构及其显示原理,然后叙述了单片机控制的硬件接口电路,最后对ASCII码、HZK16文件的排列标准、汉字点阵字模的提取流程进行了分析和模拟,同时给出具体的模拟结果。实践证明,该设计具有一定的使用价值和工程实践指导意义。     

掩模ROM码点的反向提取

本文介绍了基于掩模ROM的计算机图象，通过测量定位、计算机辅助判定、多幅比较及ROM代码提取的过程，实现掩模ROM码点的反向提取，并涉及应用编辑中的具体实现方法。     

基于量子细胞自动机的只读存储器设计

结合量子细胞自动机的双稳态特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计了4×5bit的只读存储器,并利用基于量子细胞自动机的遗传模拟退火法进行了仿真验证,结果显示该电路的正确性。由于采用了量子细胞自动机这一新型纳电子器件,存储器具有高集成度、低功耗等优点。     

简易LED点阵汉字显示控制模块设计

LED控制模块在程序上完成了内码到区位码、区位码到字模的转换,给出了关键代码。硬件设计上由12块8×8LED点阵模块组成显示屏,控制器采用AT89S52微处理器,由P0口和P2口控制显示屏的行、3块4-16译码器74LS154控制显示屏的列,将字模扫描到LED显示屏,从而显示汉字。     

基于单片机的LED汉字显示屏设计与制作

基于单片机(AT89C51)介绍了一种简单的16×16 LED汉字显示屏的设计与制作过程,内容包括LED汉字显示屏的硬件电路、PCB设计、汇编语言程序设计与调试等方面,涉及到单片机电子产品设计与制造过程中的各个环节,能帮助广大电子爱好者了解汉字的点阵显示原理,认识单片机的基本结构、工作原理及应用方法,并提高单片机知识技术的运用能力。     

单片机应用中的一种汉字编码和显示方案

本文在综合分析几种常用单片机汉字显示方法的基础上提出一种改进的基于定制字库的汉字编码和显示方案，较好地解决了存储空间、显示速度、软件开发维护等方面的相互矛盾。     

DVB-T接收系统中2k-8k FFT处理器的设计及ROM优化

结合高速、实时快速傅立叶变换的实际需求,设计并实现了一种采用多级级联的同步流水线结构、基于SRAM、SDF(single-path delay feedback)、DIF等结构与方法的2k与8k共享硬件结构的变模FFT处理器.2k/8kFFT处理分解为5/6级基4蝶形单元与1级基2蝶形单元的级联,并对存储旋转因子的ROM面积进行了最优化处理.本FFT处理器整体划分为多个模块,RTL电路全部采用Verilog HDL硬件语言描述,并对其进行了功能一致性仿真验证及RTL综合.