Zn1-xMnxSe的低温磁化率和自旋玻璃现象

用超导量子干涉器(SQUID)磁强计对稀释磁性半导体Zn_1-xMn_xSe(0.1≤x≤0.50)的低温低场直流磁化率作了测量,测量温度从4.2K到30K,测量磁场为15Oe。当x≥0.30时,从磁化率-温度曲线的浑圆峰值,观察到了自旋玻璃的转变。自旋玻璃的转变温度T_f,对x=0.30,0.40,0.50,分别为10.5K,16K,19.5K。给出了顺磁相和自旋玻璃相的相图。比较了Zn_1-xMn_xSe和Cd_1-xMn_xSe的自旋玻璃转变温度,发现对同样的Mn离子浓度,Zn_1-xMn_xSe的T_f高于Cd_1-xMn_xSe的T_f,用交换作用的理论作了讨论。 关键词：     

Spin-Dependent Electron Tunneling in ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe Heterostructures with Double δ-Potentials

Using the matrix method, spin-dependent tunneling properties such as barrier transparency, the degree of resonance polarization, and tunneling lifetime of electrons are examined in the non-magnetic/diluted magnetic semiconductor heterostructure. The effects of the double δ-potential and the magnetic field are discussed on the transport properties of the electrons. The introduction of double δ-potential shifts the resonance peak of polarization to the higher energy value. Both height and position of the δ-potential influence the degree of resonance polarization in the considered heterostructure. The increasing magnetic field enhances the spin-polarization.     

二维RKKY自旋玻璃的磁化率(n_m~(1/2)I<<1)

本文提出了具有非磁性缺陷(n_ml~(1/2)(?)1)的二维 RKKY 自旋玻璃模型,分别推导出高温区和低温区磁化率的表达式,应用渗流理论说明了转变温区磁化率存在尖拐状峰值的实验事实,并讨论了本模型应用的物理条件.     

Third-order optical nonlinearities of Zn_(1-x)Mg_xO thin films

Materials with large optical nonlinearities have receivedincreased attention in the past years because they arecrucial for the development of components for all-opticalsignal processing, and have many potential applicationsin electro-optic and integrated optical devices, nonlinearoptical switching devices and real-time coherent opticalsignal processors[1-3]. ZnO, as a representatively wideband gap semiconductor, triggers research interestingon optical nonlinear-response in recent years, owning…     

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(84.5)B_(15.5)合金低温下的磁性和自旋波激发

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(34.5)B_(15.5)(0≤x≤0.1)合金是用单辊急冷技术制备的。用提拉法和磁天平测量了磁化强度与温度以及磁场的关系。推出OK时的自发磁化强度σ(0)随Nb含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个Nb原子的平均磁矩分别为2.05μB和-2.57μB。在室温以下,磁化强度的温度关系较好地与自旋波激发公式σ(T)/σ(0)=1—BT~(3/2)-CT~(5/2)-…相符,得到自旋波劲度系数D从x=0时的71.3 mev·A~2下降到x=0.1时的59.8 mev·A~2,而D与居里温度的比值D/Tc随成分变化很小。当x从0增加到0.1时,交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉在11.8A~2—13.6A~2之间。     

金属玻璃(Cu_(1-x)Ni_x)_33Zr_(67)合金的低温电阻率

本文研究了金属玻璃(Cu_(1-x)Ni_x)_(33)Zr_(67)合金的低温电阻输运特性。在较宽的温区(2—273K)测试了电阻率,测量结果符合Mooij判据。样品电阻率随温度的变化行为与双能级隧道模型符合较好。     

Al和N共掺对Zn_(1-x)Mg_xO光学性质的影响

基于密度泛函理论第一性原理方法计算了Al和N共掺对Zn1-xMgxO在紫外光波段和可见光波段光学性质的影响.计算结果表明:光学性质变化主要发生在低能区,在高能区光学性质基本保持不变.介电函数虚部、吸收光谱和消光系数计算表明,Al和N共掺后Zn1-xMgxO的光学吸收边产生红移,对部分紫外光和可见光的吸收增强.介电函数实部和反射光谱计算表明,Al和N共掺后Zn1-xMgxO的反射峰强度增大,静态介电常数ε1(0)从2.64增大为3.23.能量损失谱的计算表明,Al和N共掺后Zn1-xMgxO的等离子体共振频率发生蓝移,共振频率的振幅增大.     

Zn_(1-x)Mn_xTe/ZnTe超晶格的多声子拉曼谱

Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅ超晶格的多声子拉曼谱陈辰嘉李海涛王学忠李晓莅孙允希王晶晶周赫田（北京大学物理系北京１００８７１）Ｍｕｌｔｉ┐ｐｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＺｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＣｈｅｎＣｈｅｎｊ...     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

金属玻璃(Cu_(1-x)Ni_x)_(33)Zr_(67)的超导电性

本文研究了金属玻璃(Cu_(1-x)Ni_x)_(33)Zr_(67)的超导电性.测量了超导转变温度T_c、上临界磁场H_c_2和其它重要物理量.结果分析表明:这些金属玻璃属于弱耦合超导体.随着Ni含量增多,T_c提高.由(dH_c_2/dT)_(T_c)的测量得到费米面上电子态密度N(0).Varma-Dynes参数δ粗略地是常数.较高的N(0)相应于较高的T_c.N(0)是支配超导行为的基本参量.     

Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te低温Raman光谱中荧光背景的猝灭现象

研究了Cd0 .96 Zn0 .0 4Te表面低温Raman散射光谱中的样品荧光背景随激光功率的变化行为 ,观察到了荧光的“猝灭”现象和同时伴随的声子峰红移 .分析表明样品荧光的“猝灭”现象与声子峰红移显示的表面结构变化有关 ,而激光对Cd0 .96 Zn0 .0 4Te表面的加热是导致表面晶体结构变化的原因 .     

Zn_(1-x)Mo_(1-y)Si_yO_4∶Eu_x~(3+)红色荧光粉的合成及发光性能研究

通过固相法合成LED用Zn-Mo1-ySiyO4:Eu3+x红色荧光粉(0.05≤x≤0.30,0≤y≤0.09),讨论了助熔剂、温度等合成条件对Zn1-xMo1-ySiyO4:Eux3+荧光粉发光性质的影响.当烧结温度为800℃时,可以生成ZnMoO4纯相目标产物.由于荧光粉的结晶度和粒径随烧结温度的升高而增大,所以随着烧结温度的升高,样品的发光强度有所提高;当助熔剂Na2CO3的用量约为4%时的样品发射光的强度比未使用助熔剂时明显增强,说明在此体系中,当Eu3+取代Zn2+时,Na2CO3充当助熔剂的同时,Na+起到了电荷补偿作用.荧光光谱实验显示Zn1-xMo1-ySOyO4:Eux3+能够被393和464 nm的紫外光激发,在616 nm处发出强烈的红色荧光.当Eu3+掺杂量约为20%mol时,Zn1-xMo0.97Si0.03O4:Eux3+荧光粉在616 nm处的发光强度达到最大.在引入Si4+离子后能显著增强Zn1-xMoO4:Eux3+的发光强度,组成为Zn0.80 Mo0.97Si0.03O4:Eu0.203+.样品(激发峰值为393 nm)的荧光强度要比Y2O2S:Eu0.053+荧光粉的发光强度强2倍.所以这种荧光物质能够更好地适用于白光LED.     

电泳沉积法制备的Zn_(1-x)Cu_xO薄膜的结构及阻变性能

采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn_(1-x)Cu_xO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨。PL谱表明,Cu掺杂在禁带中引入深受主能级,降低氧空位浓度,导致ZnO薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光发光峰强度降低。所得薄膜的晶粒细小、致密、均匀,具有稳定的双极性阻变特性,开关比R_(off)/R_(on)最高达到10~5,其低阻态(LRS)和高阻态(HRS)的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论。器件经100次循环测试后开关比无明显变化,呈现出较为良好的抗疲劳特性。Cu掺杂对LRS影响不大,但显著改善了HRS的分散性以及转换电压V_(SET)的分散性。当Cu掺杂量x=0.04时,器件表现出良好的综合性能:R_(off)≈10~6Ω,R_(off)/R_(on)≈10~4,V_(SET)介于0.4~3.03 V之间。     

非晶态(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_16合金的类Kondo效应和局部自旋涨落效应

本文研究了(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(X=0—0.5)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—280K)的关系.实验结果表明,x=0—0.35的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值.电阻率极小值的温度T_min在x=0.05时出现极大,然后随Cr含量的增加而下降,与饱和磁化强度σ_s(0)和居里温度Tc随Cr含量的变化趋势一致.x=0.05—0.2的样品,在TT_(min)的一段温区,电阻率符合T~2关系,其斜率随x的巨大变化认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果.x=0.5的样品,在4.2相似文献   

自旋玻璃LaFe_yNi_(5-y)的磁性研究

本文报道了金属间化合物LaFe_yNi_(5-y)(0.5≤y≤1.1)的自旋玻璃特性。测定了样品的自旋玻璃冻结温度T_f。y≤0.9时,在一定温度下,样品中发生顺磁-自旋玻璃转变,T_f近似为y的线性函数,y≥1.0时,材料将发生顺磁-铁磁-自旋玻璃转变。     

自旋玻璃和复杂系统

简要地介纲了自旋玻璃的特点以及基于平均场水平的理论处理：摹本理论、ＴＡＰ理论和摹本对称破缺理论．这些理论揭示了自旋玻璃具有非常丰宫的复杂结构，可以为许多其他领域的复杂系统提供一个理论模型，可以用于组合优化、神经网络、生命进化模型等研究工作中．     

非晶态(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)合金的低温热电势

在80—380K之间对(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(x=0.01—0.46)非晶态合金的绝对热电势S进行了测量,结果表明,磁性非晶合金的S(T)行为并不都是非线性并有一个浅的极小。少量Cr(x≤0.05)的加入使S的绝对值减小,并使S(T)的极小消失;当Cr含量较多时,样品磁性变弱,S(T)从典型的磁性非晶合金的非线性行为过渡到接近于非磁性非晶合金的线性行为。对x=0.15,0.25的样品,其居里点正落在我们测量的温度范围内,经过仔细的测量,在居里点T_c附近没有看到S的反常。     

非晶态(Fe_(1-x)W_x)_(84.5)B_(15.5)合金的低温电阻率反常

研究了(Fe_(1-x)W_x)_(84.5)B_(15.5)(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当T相似文献