一种CMOS图像传感器自动曝光算法的设计及实现

针对传统自动曝光算法收敛时间长的问题,设计了一种基于对分搜索的CMOS图像传感器自动曝光控制算法,研究了基于CMOS图像的测光方法,给出了自动曝光算法的流程。首先在MATLAB中对算法进行了仿真,并和传统算法进行了比较,曝光收敛时间缩小了一半。最后在基于FPGA的CMOS图像采集平台上对算法进行了实现,实验证明了该算法的有效性。     

安防用CMOS图像传感器片上图像信号处理电路综述

图像信号处理技术的研究和应用在安防领域具有特殊的重要意义.介绍了一系列用于安防系统CMOS图像传感器片上图像信号处理电路的原理和算法.具体包括黑电平校正、镜头阴影校正、插值降噪、色彩校正、伽玛校正、自动白平衡、自动曝光、自动聚焦、YUV空间转换(RGB2YUV),以及背光补偿等模块处理电路等.     

一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器

提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器。通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件,提高了动态范围,并优化设计了像素单元的版图,使之获得较高的填充系数;模拟读出电路部分,通过采用双采样、增益放大和减小列级固定模式噪声(FPN)处理,以及对列选控制电路进行优化,减小了对全局PGA的运放设计要求。芯片的工作频率为20MHz,动态范围为66dB,实现了全局曝光方式CMOS图像传感器的设计。     

基于自适应曝光的CMOS图像传感器的设计与实现

从硬件结构、曝光策略和模拟结果入手，在传统滚筒式曝光基础上，通过对用户设定区域像素饱和值的统计和曝光时间选择算法，提出了一种CMOS图像传感器大动态范围自适应曝光的设计。曝光时间可从1ps至65ms，探测光强范围达到10^1～10^6lux，设计将充分发挥现有像素性能，实现快速实时的自适应曝光需求。     

美光看好CMOS影像传感器在安防监控领域的应用

美国美光科技有限公司(MicronTechnology Inc.)成立于1978年,最初是生产DRAM,但发展到今天的美光,在继续保持计算机领域存储技术领导地位的同时,也在向包括专用DRAM,NAND闪存和影像传感器在内的更广泛的新兴市场发展组合产品的多元化业务。在2004年的一个投资分析师大会上,美光CEO提出口号:在2007年以前,美光将努力不被公众认为仅是一个存储器公司。2003年DRAM的产能占公司总产能的80%,而到2006年却只占了近50%,美光在其他产品领域的增长非常快。美光于2001年进入CMOS传感器市场,2004年开始进入NAND闪存市场。美光公司2005年营…     

CMOS图像传感器芯片的自动白平衡算法

针对CMOS图像传感器芯片中的自动白平衡图像处理电路,提出了一种便于硬件实现的增益计算方法,并在此基础上实现了一个用于CMOS图像传感器芯片的自动白平衡算法。该算法将增益计算的计算法与迭代法结合使用,并用比较器和移位寄存器来取代复杂的组合逻辑单元,在不增加硬件开销的基础上提高了计算精度与处理速度。     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。     

一种基于CMOS图像传感器的照度测量方法

研究了利用CMOS图像传感器结合数字图像处理方法获取环境工作的照度的可行性.分析了曝光输出值与曝光时间及增益的关系,确定了环境照度的测量方法.针对工程实际的需要,设计了基于CMOS传感器OV7670的图像采集与亮度测量系统,研究了系统标定和参数辨识的方法,实现了照度的快速测量.结果表明,该方法能够快速测量环境照度,能够满足对环境照度测量精度的要求.     

一种应用于CMOS图像传感器的电容阵列PGA研究

研究了一种应用于1 024×1 024CMOS图像传感器中的温度计码电容阵列型可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用开关电容阵列结构,通过改变输入与反馈电容值,实现了0～18dB的增益;同时,该PGA具有结构简单、电容阵列面积小、带宽大和反馈系数大等特点,其增益带宽50MHz、总谐波失真(THD)小于50dB。该PGA的信号处理能力完全满足12MHz速率、69dB动态范围CMOS图像传感器内部集成ADC对模拟输入信号的要求。     

新型CMOS图像传感器

本文简要介绍日本东芝公司的数码照相机所采用的CMOS图像传感器并将之与CCD图像传感器作了对比。     

CMOS图像传感器的三种新技术

介绍了CMOS传感器的发展现状及应用新技术，阐述了C3D技术、Aramis技术和超小型CMOS传感器技术对CMOS传感器性能的改善，并预示了CMOS传感器的未来发展趋势。     

应用于微小卫星的CMOS图像传感器芯片设计

针对小卫星以至微纳卫星领域的应用需求,文章对具有抗辐照能力的CMOS图像传感器的芯片架构和关键技术进行了研究,着重对行列选电路、低噪声信号读出、可编程增益放大器和片上ADC等电路设计技术进行了分析和仿真验证.基于0.35 μm CMOS抗辐照技术和工艺开展了芯片的关键电路仿真、设计和整体版图设计验证.流片后的测试结果表明,该CMOS图像传感器具有高动态、低噪声和抗辐照特点,其噪声电子为42 e-,动态范围为69 dB,当辐射总剂量大于100 krad(Si)时,器件噪声指标符合预期.     

Design of an APS CMOS Image Sensor for Low Light Level Applications Using Standard CMOS Technology

CMOS image sensors (or APS: Active pixel sensors) are now the technology of choice for most imaging applications, such as digital video cameras. Whereas their sensitivity doesn't reach the one of the best actual CCD's (whose fill factor is about 100%), they are now commonly used because of their multiple functionalities (windowing, on-chip signal processing) and their easy serial fabrication. In this paper, we present a study of different pixel photodiodes and architectures, in order to increase their sensitivity and reduce their spatial and temporal noise. These chips will be used in satellite star trackers, and should be hardened to radiation.Two different architectures are investigated. The first one uses the photodiode capacitance for signal integration, as it is usually done in literature [1–3]. This capacitance should be as lower as possible, to increase conversion factor (the gain of the pixel) and reduce reset noise, and that's why different standard CMOS photodiodes have been studied and quantified.The second architecture uses a low-value poly1/poly2 capacitor inside each pixel for signal integration, thus resulting in increasing the gain but degrading the fill factor.     

一种基于CMOS传感器的图像采集系统设计

CMOS型传感器比传统的CCD型传感器具有诸多优势,基于CMOS型传感器的图像系统已成为研究和开发的重点。设计一种以FPGA为核心控制芯片、基于USB接口和ADCS1121 CMOS型单色图像传感器的图像采集系统。介绍系统的构成及其硬件设计方法,给出USB固件程序、设备驱动程序及用户应用程序的实现方法。     

CMOS图像传感器优势和最新产品

概述了CMOS图像传感器的优势,介绍了现阶段市场最新产品的情况.结合实际应用中CMOS图像传感器的弱点,提出了相关的改进措施和新技术.     

CMOS图像传感器光电二极管模型

为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p-sub型和n-well/p-sub型,以及三层结构的p+/n-well/p-sub型二极管进行了计算模拟,得到了3种二极管响应率与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对比分析,确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。