两个角动量耦合时合角动量Lande g因子通用表达式

用Ｗｉｎｇｅｒ－Ｅｃｋａｒｔ定理推导了两个角动量耦合时合角动量ｌａｎｄｅ ｇ因子的通用表达式。并依据此式分别得到ＬＳ耦合、ｊｊ耦合与成对耦合Ｌａｎｄｅ ｇ因子完整表达式。     

Lande g因子的完整表达式

从Ｗｉｇｎｅｒ－Ｅｃｋａｒｔ定理出发，导出ＬＳ耦合ｇ因子的完整表达式。     

jj耦合下二价原子精细结构能级的一般表达式

利用表象变换理论以及由拉卡代数方法计算双电子组态ＬＳ谱项能量的结果，导出了ｊ耦合下二价原子精细结构能级的一般表达式     

J1L耦合下原子部分g因子为负值的条件

本文证明了人Ｊ１ｌ耦合下原子部分ｇ因子为负值的条件，并讨论了由此可能产生的影响．     

具有朗德g因子为负的原子状态（2）：J—j耦合下的理论处理

对Ｊ－ｊ耦合中的ｇ因子为负的问题进行了严格的理论处理。     

具有朗德g因子为负的原子状态(1)——原子的状态和特征及可能的物理系统

全面讨论了原子现象中涉及磁矩的负ｇ因子问题。     

外加电场和Al组分对纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中的电子g因子的影响

研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子(g⊥和g//)及其各向异性(δg)的影响.纤锌矿体结构的贡献(S_//~(bulk)和g⊥)是构成g⊥=(g//-g_0)=g_//~(bulk)的主要部分,但g_//~(bulk)和g⊥的差值很小且几乎不随外加电场和Al组分改变.当外加电场的方向同极化电场的方向相同(相反)且增加时,g_//~(bulk)和g_⊥~(bulk)的强度同时增加(减小).当外加电场从-1.5×10~8 V·m~(-1)到1.5×10~8 V·m~(-1)变化时,异质结界面对g⊥的贡献(Γ_(Inter))大于0且强度缓慢增加,阱层对g⊥的贡献(Γ_W)小于0且强度也缓慢增加.然而Γ_(Inter)的强度比Γ_w大,且后者的强度随着外加电场的改变增加较快,所以δg0且强度随着外加电场的变化而减小.当垒层的Al组分增加时,如果不考虑应变效应(S_(1,2)=0),g_//~(bulk)和g⊥的强度同时减小,然而考虑应变效应后(S_(1,2)≠0),β_1g⊥和γ1(g_//~(bulk))的强度随着Al组分的增加而增加.随着垒层Al组分的增加,Γ_(Inter)和Γ_w的强度都增加,但Γ_(Inter)的强度较大且增加得较快,所以的的强度缓慢增加.g⊥的强度先随着Al组分的增加而减小,然后又随着Al组分的增加而增加,因为g⊥小于0且强度随着Al组分增加得很快.结果表明,AlGaN/GaN量子阱结构中的电子g因子及其各向异性可以被外加电场、垒层的Al组分、应变效应和量子限制效应共同调制.     

ZnS:Co2+和CdTe:Co2+中配体对g因子的贡献

采用双自旋-轨道耦合模型和分子轨道研究了Co²⁺离子在Ⅱ-Ⅵ半磁半导体ZnS和CdTe中的EPR g因子.计算表明,配体Te有大的SO耦合作用和强的共价性,其对g因子有较大的贡献.