流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr~(2+)(3d~4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr~(2+)系统~5E激发态和~5T_2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,~5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的~5E→~5T_2发光就能被观察到。理论预言与实验结果符合得很好。理论还预言:当GaAs与GaP合金的时候,类似的发光过程也能在一定的合金成份下观察到,这一预言有待于实验证实。     

Nb XIII离子3d94s2, 3d94s4p, 3d94p2 组态能级结构与跃迁的理论研究

用准相对论Hartree-Fock方法对Nb XIII离子二电子激发组态3d⁹4s², 3d⁹4s4p, 3d⁹4p² 的能级结构做了全面系统的理论计算研究.在对已有研究结果分析的基础上, 运用最小二乘方法对径向积分参数进行了优化计算, 得到了与这些组态有关的电偶极允许跃迁的谱线波长和跃迁概率.计算结果与最新的实验值做了对比分析, 表明本文计算结果是准确的. 研究发现, 波长40.92 nm的谱线, 属于3d⁹4s(¹D)4p²F_7/2–3d⁹ (²D)4s^{2 2}D_5/2 的跃迁谱线, 而不属于3d⁹4s (¹D)4p⁴D_7/2–3d⁹(²D)4s^{2 2}D_5/2 的跃迁谱线, 即上谱项能级为²F_7/2, 而不是⁴D_7/2. 关键词： Nb XIII离子 二电子激发组态 谱线波长 跃迁概率     

Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的理论研究

 利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法，通过对Xe⁹⁺离子4d⁹-4d⁸5p跃迁的系统计算，研究了电子相关效应对Xe⁹⁺离子4d⁹-4d⁸5p跃迁的影响，给出了相应的跃迁能和辐射跃迁几率，并与最新的实验观测和其它理论计算结果进行了比较。计算结果表明：电子的关联效应显著。根据计算结果和实验结果的一致性和两个规范下所得的跃迁几率的一致性，可以认为本文的计算结果是可信的。     

Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的理论研究

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,通过对Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的系统计算,研究了电子相关效应对Xe9+离子4d9-4d85p跃迁的影响,给出了相应的跃迁能和辐射跃迁几率,并与最新的实验观测和其它理论计算结果进行了比较。计算结果表明：电子的关联效应显著。根据计算结果和实验结果的一致性和两个规范下所得的跃迁几率的一致性,可以认为本文的计算结果是可信的。     

YAG中Cr3+和Yb3+的发光特征以及Cr3+和Yb3+之间的能量传递过程

室温下观察了YAG:Cr³⁺,Yb³⁺材料在近红外区域的发光特性, 并通过对Cr³⁺:⁴T₂和Yb³⁺:²F_5/2能级辐射跃迁寿命以及它们布居时间的比较研究,提出了从Cr³⁺到Yb³⁺的能量传递机制,同时借助于能级图描述了从Cr³⁺到Yb³⁺的能量传递以及Cr³⁺和Yb³⁺的近红外发光过程。     

Li(Sc,M)Si2O6∶Cr3+(M=Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+)的近红外发光性能

荧光转换型近红外发光二极管(NIR pc-LED)具有体积小、谱带宽、峰位易调谐等优点,是新一代NIR光源发展的前沿,其关键在于研发可被蓝光有效激发的高效率宽带近红外荧光粉。LiScSi₂O₆∶Cr³⁺荧光材料的激发波长为460 nm,发射峰位在845 nm,光谱带宽为156 nm,内量子效率为64.4%。基于该体系,本文通过M离子(M=Ga³⁺,Lu³⁺,Y³⁺,Gd³⁺)取代Sc³⁺的方式对其性能进行调控。结果表明,引入M离子易生成杂相或发生相变,降低了材料的发光性能。本文从晶体结构出发对其调控过程进行了分析。     

BeAl2O4:Cr3+晶体的生长习性

分别沿a,b,c轴三种取向用提拉法生长了BeAl₂O₄:Cr³⁺晶体,用X射线和光学方法测定了各个显露面,确定了其密勒指数,并根据PBC理论计算了各显露面的重要性,计算结果与实验结果相符。 关键词：     

分光光度法研究Hg2+与Ag+、Bi3+、Pb2+、Mg2+和Cr3+的绿色析相萃取分离

研究了正丙醇-KBr-水体系析相萃取分离和富集Hg2+的行为及Hg2+与一些金属离子分离的条件.实验表明,在一定条件下,正丙醇-KBr-水体系能使Hg2+与Ag+、Bi3+、Pb2+、Mg2+和Cr3+析相分离.     

BeAl2O4:Cr3+的晶场能级

金绿宝石中镜对称格位上Cr³⁺(Ⅱ)离子的⁴T₂,⁴T₁和²E能级与该材料的激光运转有关。⁴T₂和⁴T₁能级各分裂成三个子能级。为从偏振吸收谱上确定BeAl₂O₄:Cr³⁺的能级图,本文计算了⁴T₂和⁴T₁的分裂,找到了对谱方法,得到了表征能级分裂的参量K_{1和K2的值。最后给出了以低点群不可约表示标号的、BeAl2O4:Cr³⁺(Ⅱ)的晶场能级图。 关键词：}     

Cr4+在Al2O3多晶体中的光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al₂O₃透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱，发现在Al₂O₃六配位的八面体结构中，Cr⁴⁺的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间，荧光发射峰位于1223nm附近，类似Cr⁴⁺在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小，晶体场强较强，使Cr⁴⁺:Al₂O_{3< 关键词： 4+')" href="#">Cr⁴⁺ 2}O₃透明陶瓷')" href="#">Cr:Al₂O₃透明陶瓷 光谱性质 八面体     

KZnF3:Cr3+和KMgF3:Cr3+四角对称电子顺磁共振参量与晶格缺陷的研究

用Newman叠加模型研究了KZnF₃:Cr³⁺四角对称基态的零场分裂,证实了Zn²⁺空位和畸变的存在;并指出,空位对晶场的贡献不可忽略。计算得到:KZnF₃:cr³⁺晶体[0,01]方向的一个F^-配体向Cr³⁺移动Δ(KZnF₃)=0.0029-0.0043nm。还研究了KMgF₃:Cr^{3+关键词：}     

KMgF3:Cr3+的EPR参量和K+空位研究

EPR和ENDOR表明:顺磁离子取代KMgF₃中的Mg²⁺离子后,所处的环境具有轴对称。本文研究了KMgF₃:Cr³⁺的Δg=g_∥-g_⊥和零场分裂值D,证实KMgF₃:Cr³⁺中K⁺空位的存在。并且指出:由于K⁺空位,使Cr³⁺的最近邻F^-离子分 关键词：     

红宝石Cr3+:Al2O3的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应影响(英文)

本文以Cr³⁺自由离子的3d电子径向波函数为基础,对Cr³⁺:Al₂O₃中的电子云延伸效应进行了理论研究,引入了电子云延伸效应系数κ,得到了Cr³⁺:Al₂O₃中Cr³⁺离子的最优化3d电子径向波函数.并研究了压力对电子云延伸效应系数κ的影响.     

红宝石Cr3+离子的自旋-晶格弛豫时间和浓度效应

本文叙述用脉冲饱和法测量自旋-晶格弛豫时间的实验及其结果。在显示方面使用了倍频同步法以产生基线,便于读取T₁。测定了红宝石Cr³⁺离子的弛豫时间,肯定在77°K时各种跃迁的T₁大致相等,但浓度增高时T₁降低。     

Observation of the internal luminescence of Cr2+(3d4) in GaAs under hydrostatic pressure

Observation of the internal luminescence of Cr²⁺(3d⁴) in GaAs under hydrostatic pressure is reported. The activation of this luminescence is correlated to the lifting of the degeneracy between the excited level of Cr²⁺ and the conduction band of the host material. The possible mechanisms giving rise to this luminescence are discussed.     

Spectra and oscillator strengths of 3p63d9--3p53d10 and 3p63d9--3p63d84p transitions for cobalt-like Sn23+ ion

This paper calculates the spectra and oscillator strengths for highly ionized cobalt-like Sn23+ ions 3p63d9 3p53d10,3p63d9 3p63d84p transitions by using a multi-configuration self-consistent field method program together with the proposed fitting formula.The calculations have a good agreement with observations.     

SPECTROSCOPIC INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF VISIBLE AND NEAR INFRARED EMISSIONS IN Tm3+, Ho3+ Co-DOPED YVO4 CRYSTALS

With the help of absorption and fluorescence spectra, the spectroscopic properties of Tm³⁺, Ho³⁺:YVO₄ crystals have been investigated under different dopant concentrations. The absorption results show that the maximum absorption in the spectral range of currently available powerful laser diodes (LD) is at 796 nm, corresponding to the transition ³H₆→³H₄ of Tm³⁺ in the crystals. Upon the excitation with a LD at 808 nm, we have detected ten fluorescence bands in the spectral range spanning from visible to infrared. In visible region 4 upconversion bands have been observed centered at 475, 547, 660, and 701 nm. Discussions of the energy transfer processes suggest that cross relaxations and excited absorptions with the involvement of Tm^{3+ 3}F₄, ³H₅ and Ho^{3+ 7}I₅ states are responsible for the four upconversion emissions. Comprising the relative integrated intersities of 2 μm (Ho³⁺: ⁵I₇→⁵I₈) and 1.8 μm (Tm³⁺: ³F_4→³H₆) bands we have observed an efficient energy transfer from Tm³⁺ (³F₄) to Ho³⁺ (⁵I₇). Examination of the ratios of the intensity of 2 μm band to that of 1.8 μm band as a function of the ratios of Tm³⁺ concentration (c_Tm) to Ho³⁺ concentration (c_Ho) indicates that small concentration ratios (c_Tm/c_Ho) lead to high efficient energy transfers of Tm³⁺(³F₄)→Ho³⁺(⁵I₇).     

高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（I）——发现三种不同相的压力效应

用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜，并详细测量它们在0．1－350MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0．1－2400MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-ρ曲线）是条折线，可分解为四条直线相迭加。进一步做X射衍射物相分析，它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr2新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高物P（EO)n-CuBr薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。