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对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量.结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强度。当Ⅴ/Ⅲ族比率大约5000时,750℃生长的样品背景载流子浓度约为2.21×1018cm-3,In含量约为11.54%.其室温394nm的带边峰,半高宽约为116meV,束缚能约为32.4meV,可能与束缚激子发光相关.该样品禁带宽度随温度变化的温度系数α(dE/dT)约为0.56×10-3eV/K.较高温度(800℃和900℃)生长的样品In含量较低,PL强度较弱,且在样品表面析出了金属In滴. 相似文献
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高质量立方相InGaN的生长 总被引:3,自引:3,他引:0
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 . 相似文献
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基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶粒度折合当量直径约23nm。原子力显微测量得典型的微结构团簇横向宽度约400nm-900nm,表面粗糙度在所选择的6.430μm区域内方均根值为11.52nm,3.58μm区域内方均根值为8.48nm。在室温下用325nm连续激光激发测得样品的表面发光光谱,结果显示光致发光光谱出现多峰结构,其主要发光峰峰值波长分别位于569nm、532nm和497nm。理论计算分析认为发光光谱多峰结构可能是由于InGaN/GaN异质结构形成的F-P垂直腔中多光束干涉调制效应造成的,同时InGaN合金的尺度和组分涨落导致较宽的发光峰。研究结果对设计GaN基半导体光电子器件具有一定的参考价值。 相似文献
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MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技术对 Inx Ga1 - x N / Ga N / Al2 O3样品进行了测试 ,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息 .研究表明生长温度和 TMIn/ TEGa比对 In Ga N薄膜的 In组分和生长速率影响很大 .在一定范围内 ,降低 TMIn/ TEGa比 ,In Ga N膜的生长速率增大 ,合金的 In组分反而提高 .降低生长温度 ,In Ga N膜的 In组分提高 ,但生长速率基本不变 . In Ga N薄膜的结晶品质随 In组分的增大而显著下降 ,In Ga N薄膜 相似文献
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采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术和光致发光(PL)技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息.研究表明生长温度和TMIn/TEGa比对InGaN薄膜的In组分和生长速率影响很大.在一定范围内,降低TMIn/TEGa比,InGaN膜的生长速率增大,合金的In组分反而提高.降低生长温度,InGaN膜的In组分提高,但生长速率基本不变.InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而显著下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.26,其最低沟道产额比由4.1%增至51.2%.InGaN薄膜中In原子易处于替位位置,在所测试的In组分范围,In原子的替位率均在98%以上.得到的质量良好的In0.04Ga0.96N薄膜的最低产额为4.1%.研究结果还表明用RBS技术和光致发光技术测定InGaN中In组分的结果相差很大,InGaN的PL谱要受较多因素影响,很难准确测定In组分,而以RBS技术得到的结果是可靠的. 相似文献
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InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化. 相似文献
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Effect of growth pressure on indium incorporation during the growth of InGaN by MOCVD 总被引:1,自引:0,他引:1
Dong-Joon Kim Yong-Tae Moon Keun-Man Song In-Hwan Lee Seong-Ju Park 《Journal of Electronic Materials》2001,30(2):99-102
The effect of the growth pressure on the In incorporation in InGaN thin films, grown by metalorganic chemical vapor deposition
(MOCVD) have been investigated. The InGaN thin films were grown by varying the growth pressures, while maintaining all other
growth parameters constant. Photoluminescence and high resolution x-ray diffraction (XRD) measurements showed that the In
incorporation in the InGaN thin film was drastically increased with decreasing growth pressures. XRD analysis also revealed
that the In concentration in the films was increased by 7.5% as the growth pressure was decreased from 250 torr to 150 torr.
This can be attributed to the enhanced mass transportation of precursor gases through the boundary-layer on the substrate
in the MOCVD system. 相似文献
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Theodore Chung Jae Limb Jae-Hyun Ryou Wonseok Lee Peng Li Dongwon Yoo Xue-Bing Zhang Shyh-Chiang Shen Russell D. Dupuis David Keogh Peter Asbeck Ben Chukung Milton Feng Dimitri Zakharov Zusanne Lilienthal-Weber 《Journal of Electronic Materials》2006,35(4):695-700
The design and growth of GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors (HBTs) by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
are studied. Atomic-force microscopy (AFM) images of p+InGaN base layers (∼100 nm) deposited under various growth conditions indicate that the optimal growth temperature is limited
to the range between 810 and 830°C due to a trade-off between surface roughness and indium incorporation. At these temperatures,
the growth pressure must be kept above 300 Torr in order to keep surface pit density under control. An InGaN graded-composition
emitter is adopted in order to reduce the number of V-shaped defects, which appear at the interface between GaN emitter and
InGaN base and render an abrupt emitter-base heterojunction nearly impossible. However, the device performance is severely
limited by the high p-type base contact resistance due to surface etching damage, which resulted from the emitter mesa etch. 相似文献
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利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN 总被引:2,自引:0,他引:2
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AIN层来减少Al2O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量,从而提高外延层GaN的质量,达到器件制作的要求。 相似文献