CaⅠ 3d6p和3d4f态的新VUV光谱测量和研究

应用可调谐相干ＶＵＶ辐射源和热电离二级管得到了ＣａⅠ的双激发态３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ的高分辨光谱,测出了相应谱线的波长,并测得变窄了的３ｄ６ｐ＾１Ｐ１的谱线宽度为１．５Ａ,明显地观察到３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ三重态中Ｐ态与Ｄ态线型对称性反转的现象,并对上述线宽变窄和线型时称性反转现象的机理作了探讨。     

镁原子MgI3snd^1,3D2序列能谱及寿命的研究

本文用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对镁原子ＭｇＩ单激发Ｒｙｄｂｅｒｇ序列３Ｓｎｄ＾１，３Ｄ２激发态能级结构和能态寿命进行了理论分析和详细的计算，预言了３ｓｎｄ＾１，３Ｄ２序列ｎ≤３０的未知能级及其寿命值，此外，我们还首次预言了实激发态３Ｐ＾２＾１Ｄ２能级位于５４３３０．２６ｃｍ＾－１处。     

类铍Ar^14＋和类镁Ar^6＋离子双激发态能级的计算

用相态相互作用方法计算了类铍Ａｒ＾１４＋离子双激发态１ｓ＾２３ｌ３ｌ＇和类镁Ａｒ＾６＋离子双激发态１ｓ＾２２ｓ＾２２ｐ＾６４ｌ４ｌ＇的能级。两个外层电子与内层原子实１ｓ＾２或１ｓ＾２２ｓ＾２２ｐ＾６电子的作用用模型势表不。Ａｒ＾１４＋的双激发态可用量子数Ｋ，Ｔ和Ａ标记，而Ａｒ＾６＋的某些组态却不能用上述量子数表示。     

Hg原子6~3P_1→6~1S_0态的系际交叉跃迁及其6~1P_1态与6~3P

Ｈｇ原子６￣３Ｐ＿１→６￣１Ｓ＿０态２５３．６５２ｎｍ紫外辐射是系际交叉跃迁最著名的一例，可归因于其单重态６￣１Ｐ＿１与三重态６￣３Ｐ＿１的组态混合．计算结果表明，对于Ｈｇ原子的６ｓ６ｐ组态，ＬＳ耦合方式仍是其较好描述．     

~（56，57）Fe，~（59）Co（α，d）核反应及拉长态性质的实验研究

利用△Ｅ—Ｅ望远镜及Ｑ３Ｄ磁谱仪，在ＨＩ－１３串列加速器提供的３５ＭｅＶα离子束轰击下，测量５６，５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）５８、５９Ｃｏ，６１Ｎｉ核反应的精细能谱和微分截面角分布，微观ＤＷＢＡ近似用来分析实验数据．在５６Ｆｅ（α，ｄ）５８Ｃｏ核反应观测的９个强激发能级中，重点分析和讨论了６．７９ＭｅＶ和６．４ＭｅＶ能级的性质，观测到迄今所能看到的最高拉长组态（１ｇ９／２，１ｇ９／２）９和首次确认了６．４ＭｅＶ能级Ｊπ＝１＋．在５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）核反应测量中，未看到孤立强激发能级，它意味着强度分散在许多能级上，以致看不到孤立拉长态存在的实验证据．     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

碳对α的非卢瑟福背散射截面研究

报道了散射角为１７０°±１．５°，α粒子能量在５－９．０ＭｅＶ之间，ｃ的背散射截面的实验测量值；用Ｒ矩阵理论，通过与实验数据拟合，分析、给出了一套能级参数，并计算了能量范围在２－９．０ＭｅＶ，ｃ的背散射截面；讨论了对背散射分析感兴趣的窄而孤立的强共振峰４２５０±１０ＫｅＶ随靶厚、角度的变化关系以及截面变化缓慢的平坦区３．６－４．２０ＭｅＶ，６．４２５－６．７００ＭｅＶ能区的截面值与背散射角度的关系。 关键词：     

类Be等电子序列的奇宇称高激发态结构（J=1）

应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），计算了类Ｂｅ原子体系（Ｂｅ－ＭｇⅨ）的高激发态结构（奇宇称，Ｊ＝１），得到了表征高激发态性质的ＥＱＤＴ参量及２ｐｎｓ，２ｐｎｄ和２ｓｎｐ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。从各种相互作用之间竞争的角度，讨论了高激发态结构沿该等电子序列的变化规律。     

GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。     

锂原子低激发态能量的精细结构

利用变分原理，计算出锂原子(类锂离子)第一激发态能量，再用所得到的原子态波函数计算出LS耦合的第一激发态能级的精细结构，将计算结果与实验值比较，误差很小。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

~（28）Si（n，α）~（25）Mg反应中~（25）Mg低激发态能量的测定

在核反应研究中可以根据出射粒子的能谱分析剩余核是处在基态还是激发态，这是核激发态能量测量的基本方法。本实验就是通过１４．１ＭｅＶ中子引起的￣（２８）Ｓｉ（ｎ，ａ）￣（２５）Ｍｇ反应出射ａ粒子能谱的测量，以确定￣（２５）Ｍｇ的几个低激发态能量。     

Ar^1^6^＋离子双激发态的新量子数描述和跃迁规律

此文采用ＣＩ方法计算了类氦Ａｒ１６＋离子双激发态能级和波函数，并向ＤＥＳＢ（Ｄｏｕｂｌｙ－ｅｘｅｃｉｔｅｄｓｔａｔｅｓｂａｓｉｓ）做投影，求出表征这些双激发态的新量子数Ｋ、Ｔ和Ａ。计算和比较了初态ｎ（ｎ－１，０）ｎ＋１Ｓｅ的辐射和Ａｕｇｅｒ跃迁率，发现辐射跃迁随初态主量子数ｎ的变化是光滑的，而Ａｕｇｅｒ跃迁则随ｎ的变化是不光滑的。     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

A1Ⅱ离子3snp^1p1序列能级辐射寿命的非单调变化

本文考虑了一价铝离子双激发干扰态３ｐ４ｓ＾１ｐ１＾０对ｓｎｐ＾１Ｐ１＾０Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的强相互作用，多组态ＨＦＲ自洽场方法计算了Ａ１Ⅱ３ｓｎｐ＾１Ｐ１０（ｎ＝３－１０）序列能级的辐射寿命，与已有的实验和理论计算结果进行了比较，结果表明该序列能级寿命随主量子数ｎ呈现非单调变化。     

卤代烷第一电离能的变化规律研究

卤代烷ＲＸ的第一电离能Ｉｐ的变化规律可用如下方程表示：Ｉｐ（ｅＶ）＝３．３３８０＋０．７３４４Ｅｐ（Ｘ）＋２．７４２４「（１／αｘ）ｑｘ」－１．４０２ＰＥＩ其中,Ｅｐ（Ｘ）、αｘ分别为卤素原子最外层Ｐ电子的电离能和原子极化离,ｑｘ是卤代烷ＲＸ分子中卤原子Ｘ所带的部分电荷,ＰＥＩ是ＲＸ分子中烷基Ｒ的极化效应指数。华肜上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。     

激光诱导镁原子S—S,S—D禁戒跃迁

报道在镁金属蒸气中利用两束激光三光子共振激发原子３ｓｎｐ１Ｐ中高里德堡态时，观察到随泵浦激光功率的增强，出现３ｓ４ｓ１Ｓ０－３ｓｎｓ１Ｓ０、３ｓｎｄ１Ｄ２（ｎ≈１８～３２）偶宇称态偶极禁戒跃迁增强，以及３ｓｎｓ１Ｓ０能级移动现象，并解释为光泵过程引起的原子激发态碰撞效应。利用禁戒跃迁首次测定了Ｍｇ３ｓｎｓ１Ｓ０（ｎ＝２２～３０）能级。     

弗兰克－赫兹实验中电子与汞原子的碰撞机理

Ｈｇ原子６￣１Ｓ＿０→６￣３Ｐ＿０．１．２的电子碰撞激发，不仅仅是简单的非弹性碰撞过程的能量转移，还包含电子交换以及Ｈｇ原子俘获电子形成极短寿命（≤１Ｏ￣１３Ｓ）的Ｈｇ￣－离子态（６ｓ６ｐ￣２）而共振这样两种强烈影响激发截面的重要机制，电子与Ｈｇ原子的弹性碰撞存在量子效应，弹性散射截面σ＿０与电子初动能大小有关。     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

∧型三能级原子与数态单模光场互作用系统的纠缠特性

通过计算场的量子力学熵讨论了∧型三能级原子与数态单模光场互作用系统的纠缠和退纠缠时间演化规律．结果表明，系统的纠缠呈现周期性，最大纠缠度依赖于原子初态、初始场光子数及场失谐量与耦合系数之比．一周期内出现最大纠缠和退纠缠的次数与初始场光子数无关．近简并下能级初始相对位相影响场熵演化，而激发态和基态之间的初始相对位相对场熵演化无影响．