银氧铯光电阴极中银胶粒的作用

银氧铯阴极中银胶粒的作用是讨论此种阴极长波光电发射机理的关键。本文对文献中出现的对这种阴极中银胶粒的性质和作用的观点进行了分析和评述。评述是在“它的长波光电发射来自固溶小银胶粒”的观点上进行的,并认为这个观点是合理的。本文对Лахомов等人的实验作了介绍,并指出烘烤后红外灵敏度的增加是由于该阴极中因加热扩散而增加了小银胶粒,因为在固溶胶体系中用扩散办法来增加杂质原子浓度并不能使施主原子浓度增加(假定激活烘烤温度不变)。本文还对这种阴极的红外光吸收和红外光电发射之间的关系进行了讨论。 关键词：     

S-1光电阴极研究的新进展

本文评述了S-1阴极的结构模型,超微粒子结构和多光子光电发射等问题。一、前言银氧铯(S-1)光电阴极发明至今已经半个多世纪了,人们对它的结构和发射机理进行了长期的大量的研究工作,但一直没有搞清楚,成为科学上的一个谜。多碱阴极和     

金属微粒-半导体薄膜中小胶粒的光吸收和散射

金属微粒-半导体薄膜具有特殊的电学、光学及光电特性。本文讨论了埋藏于半导体基体中金属小胶粒光吸收和光散射公式。这些胶粉可以是球形,也可以是长球或扁球形。本文以银胶粒-氧化铯半导体为例,讨论了胶粒大小、椭球的偏心率对相对光吸收系数和光散射系数的影响,并给出这些系数随波长改变的曲线。 关键词：     

用电子显微镜观察银氧铯光电阴极中的银胶粒和银颗粒

利用电子显微镜的覆型法和直接透射法可以研究银氧艳光电阴极中的银胶粒和银颗粒的结构; 并且可以研究各工艺步骤引起结构的变化. 从照片可以看出这种阴极含有大量胶粒和一些颗粒, 但它们的结构和分布是变化多端的. 在激活温度下, 银胶拉可以在氧化铯层中移动, 并联接成各种形状, 但也可以无规地堆积在一起. 关键词：     

有关光电倍加管中的几个问题

本文简要叙述了射线的探测技术对光电倍加管的各种要求,以及管子的基本参数与应用的关系,综合了近年来文献中与此有关的光阴极、二次极和结构方面的工作情况。在阴极方面介绍了锑-铯、锑-钾-钠-铯光阴极和新的反射式锑-铯光阴极。在二次极方面介绍了锑-铯二次极和银-镁、铝-镁合金二次极等。在结构方面介绍了光阴极到第一个二次极区域的电子光学输入部分的结构和二次发射倍增系统的结构。本文还初步讨论了光阴极、二次极及管型结构方面的若干改进意见。     

光学共振增强的表面铯激活银纳米结构光阴极

金属光阴极因其超短脉冲发射和运行寿命长的特性从而具有重要应用价值,但是较高的功函数和较强的电子散射使其需要采用高能量紫外光子激发且光电发射量子效率极低.本文利用Mie散射共振效应增强银纳米颗粒中的局域光学态密度,提升光吸收率和电子的输运效率,并利用激活层降低银的功函数,从而增强光阴极在可见光区的量子效率.采用时域有限差分方法分析银纳米球阵列的光学共振特性,采用磁控溅射和退火工艺在银/氧化锡铟复合衬底上制备银纳米球,紧接着在其表面沉积制备铯激活层,最后在高真空腔体中测试光电发射量子效率.实验结果表明平均粒径150 nm的银纳米球光阴极在425 nm波长的量子效率超过0.35%,为相同激活条件下银薄膜光阴极的12倍,峰值波长与理论计算的Mie共振波长相符合.     

铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响

实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,激活后的阴极量子效率最高,稳定性好.当偏离这个比例,过大或过小时,光电流上升速度都会减慢,激活结果也比前者差.随着铯氧电流比的增大,铯氧交替的总次数随之减少.最佳铯氧电流比的调节应以首次进氧时光电流的上升速度最快为准,一旦确定后在整个铯氧交替过程中保持不变.     

负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.     

负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正

量子效率是表征负电子亲和势（NEA）光电阴极发射性能的最重要的特性参数,准确建立量子效率公式为揭示各个阴极参量对整体性能的影响以及NEA光电阴极的优化设计提供了重要的理论指导.在对NEA光电阴极体内及表面光电发射过程的分析基础上,考虑入射光子能量、表面能带弯曲区以及表面势垒对电子发射的影响,对表面逸出概率和电子衰减长度进行了修正,并利用积分法推导了NEA光电阴极的量子效率公式,其理论预测曲线与实验曲线基本一致,从而验证了修正公式的实用性.为NEA光电阴极的研究提供了有效的理论参考依据. 关键词： 负电子亲和势光电阴极 量子效率 能带弯曲区 衰减长度     

砷化镓光电发射的初步研究

一、前 言 最近,Ⅲ-Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视.早在1965年,舍尔(J.J.Scheer)和拉尔(JVan.Laar)[1]发表了一种 GaAs-Cs新型光电发射材料,在超高真空下劈裂一块p型重掺CaAs单晶并进行艳化处理,其灵敏度达到500微安/流明.在詹姆士(L, W.James)[2]等人的实验中,另加了氧铯层,结果比单独用铯所得的效率高.上述实验证明P型GaAs-Cs和GaAs-Cs2O是一种非常好的光电发射体.然而均是在超高真空下进行操作,这给制备实用的光电阴极带来一定的困难. 如果能在高真空条件下不采用劈裂方法,而是通过不同的处理技术,使这类光电阴极获得…     

反射式GaN光电阴极表面势垒对量子效率衰减的影响

针对反射式GaN光电阴极长波段量子效率衰减较大, 短波段量子效率衰减较小的实验现象, 在考虑谷间散射的情况下, 利用玻尓兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法, 计算了发射电子能量分布, 分析了表面势垒变化对量子效率衰减的影响, 理论与实验符合较好. 激活层有效偶极子数的减少使表面势垒宽度和高度增加, 引起长波光子激发产生的发射电子能量分布衰减较大, 短波光子激发产生的发射电子能量分布衰减较小, 这是量子效率在长波段衰减较大, 短波段衰减较小的根本原因.     

Diffusion and aggregation of Ag n -clusters ( n =2-9) on HOPG probed by fs-two-photon-photoemission

The diffusion and aggregation of preformed Ag_n-clusters ( n = 2-9) deposited onto a highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) substrate is studied by two-photon-photoemission (2PPE). The sample is irradiated with ultrashort laser pulse pairs and the kinetic energy of the emitted photoelectrons is analyzed in a magnetic bottle type time-of-flight spectrometer. During annealing of the sample from 100 K up to room temperature, nanoparticles are formed on the surface by diffusion and aggregation of the silver clusters. A steep increase of the total photoelectron yield at a sample temperature of about 150 K is explained by the excitation of plasmons in the silver nanoparticles. From the kinetic energy distribution of the photoelectrons we deduce a strong variation of the work function of the sample during the formation of the nanoparticles, which is attributed to a quantum size effect.     

光电子的初能量分布与角度分布

本文利用了Nottingham关於透射系数的经验公式,将DuBrige的不考虑反射效应的光电子初能量分布理论加以推广。由於详细地考虑了表面位垒对发射出来的电子所起的折射作用,因此不仅讨论了光电子的初能量分布与法线能量分布,而且也讨论了角度分布。这些讨论都假定发射面是理想的金属表面,没有碎鳞效应;金属内部的电子满足费密-狄喇克(Fermi-Dirac)统计分布;并假定入射光为固定强度的非偏振的单色光。本文中所获得的光电子初能量分布公式相当简单,而且比已往的理论更符合实验结果。光电子的角度分布曲线呈蛋状,大的一端向外,这舆Ives的实验结果相符。如果表面的反射效应不存在,那么角度分布满足馀弦定律。其他如光电流的光谱分布、球形电容器(其中心的小电极为光电阶极)在阻滞场下的伏-安特性曲线的理论公式,以及法线能量分布和理想平行板电容器在阻滞场下的电压-雷流特性曲线的理论公式也都曾加以讨论。     

On the distributions of photoelectrons over the illuminated part of the moon

The existing view of the photoemission properties of lunar regolith does not provide the unambiguous treatment of the parameters and distributions of photoelectrons over the illuminated part of the Moon. This is indicated by the present calculations of the density, temperature, and distribution function of photoelectrons. It has been demonstrated that the quantum yield of lunar regolith is the main parameter determining the generation of photoelectrons near the surface of the Moon. At present, this parameter is determined with significant uncertainty. The measurement of the quantum yield of regolith directly on the surface of the Moon has been proposed as a variant of the solution of the indicated problem. Such measurements can be performed in the framework of future lunar missions.     

“冷沉积”的Ag-BaO薄膜在超短脉冲激光作用下的光电发射

研究了冷沉积制备条件下获得的Ag-BaO薄膜在超短激光脉冲串作用下的光电发射．得到Ag-BaO薄膜的阈值光强为10W/cm²，光量子效率达10^-4数量级．光电流密度与入射光强的关系主要表现为一段曲率随光强增大而逐步减小的曲线．其光量子效率是一个可变值，它的变化规律同入射光强及薄膜本身的性能有关 关键词：     

Slow photoelectron imaging

Experiments are reported on the detection of slow photoelectrons resulting from the photoionization of Xe atoms in a dc electric field by electron imaging. In the far-field photoelectron velocity distributions we can distinguish between direct and indirect ionization processes (involving long range Coulomb interactions with the Xe+ ion). Also, a new modulation of the velocity distribution is observed which cannot be explained by previously discussed mechanisms. Classical and quantum mechanical calculations are presented to support the interpretations.     

碱锑光电阴极光电发射特性的Monte-Carlo数值模拟

基于非直接跃迁模型,用Monte-Carlo方法模拟了光电子在K₂CsSb光电阴级中的输运过程,得到了和实验结果较为一致的量子产额谱、电子能谱及阴极的时间响应特性.K₂CsSb的时间响应特性计算表明薄阴极的时间响应半宽度在20～100fs左右.文中还计算了K₂CsSb阴极的导带和价带态密度.     

External photoelectric effect and high-efficiency photocathodes in the soft-x-ray region of the spectrum

Two approaches to calculating the “true” x-ray photoemission from high-efficiency photocathodes are analyzed in the photon energy range 1–10 keV. Analytic expressions are derived for the quantum yield of true x-ray photoelectrons. The calculated values of quantum yield are compared with experimentally measured values. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 39, 1665–1671 (September 1997)     

Spin polarized photoemission from La-doped EuO in the vacuum ultraviolet

The spin polarization of photoelectrons emitted form La doped EuO was measured as a function of light energy up to hv = 11 eV, together with the quantum yield. The spectrum of spin polarization can be understood in terms of the energy level diagram of bulk EuO.     

圆柱腔体光电输运的蒙特卡罗模拟

应用三维并行蒙特卡罗程序JMCT, 计算了特征温度分别为1, 3, 5, 8keV的黑体谱X射线入射到铝、二氧化硅、金的表面的背散射光电产额和电子能谱, 并与文献结果进行对比, 验证了程序的正确性, 进而针对系统电磁脉冲(SGEMP)研究中的典型几何结构——金属圆柱腔体, 模拟计算了其在黑体谱X射线照射下的光电输运过程, 用温度为1keV、注量为1J/m2的黑体谱X射线平行照射圆柱腔侧面, 半个侧面发射光电子, 计算得出了和方位角相关的不同面上发射光电子的光电产额、能谱分布和角分布, 结果表明掠入射的X射线会产生更高的光电产额; 光电子的发射角分布都基本符合余弦角分布的规律。