场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计

采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。     

高压IGBT线性变窄场限环终端设计

为使3300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实现的线性变窄场限环(LNFLR)终端结构。采用TCAD软件对这种终端结构的击穿电压、电场分布和击穿电流等进行了仿真,调整环宽、环间距及线性变窄的公差值等结构参数以获得最优的电场分布,重点对比了高环掺杂浓度和低环掺杂浓度两种情况下LNFLR终端的阻断特性。仿真结果表明,低环掺杂浓度的LNFLR终端具有更高的击穿电压。进一步通过折中击穿电压和终端宽度,采用LNFLR终端的3300 V IGBT器件可以实现4500 V以上的终端耐压,而终端宽度只有700μm,相对于标准的场限环场板(FLRFP)终端缩小了50%。     

单场限环的平面高压器件

通过优化设计和充分利用硅片面积，研制出了场限环的平面高压半导体分立器件。     

单场限环的平面高压器件

通过优化设计和充分利用硅片面积 ,研制出了场限环的平面高压半导体分立器件     

高压大功率晶体管制造的新技术

高压大功率器件,在开关稳压电路、驱动电路、电机调速、汽车点火器和彩色电视机偏转电路中应用十分广泛.随着科学技术的进步,电路设计者对它的性能和参数的要求越来越苛刻,目前,特别是在制造大电流、高电压和高可靠性器件的工艺上还存在着某些问题.本文为了解决这些问题,着重对衬底扩散、台面成型、玻璃钝化和背面金属化工艺进行探讨.     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63120-305 0217331SPICE 的功率达林顿晶体管的新电热动态宏观模型=A new electrothermal dynamic macromodel of the powerdarlington transistor for SPICE[会,英]/Zarebski,J.//The IEEE International Symposium on Circuits and Sys-tems Vol.3 of 5.—305～308(HE)     

晶体管、MOS器件

0611539 InGaP/InGaAs双delta掺杂沟道晶体管=InGaP／InGaAs double delta-doped channel transistor[刊,英]／ Hung-Ming Chuang,Shiou-Ying Cheng／／Electronics Letters．-2003,39(13)．-1016-1017(E)     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63354-125 0314239使用多偏压 S 参数集的双极晶体管建模=Modelingbipolar transistors using multibias S parameter sets[会,英]/Biondi,T.＆ Palmisano,G.//2001 IEEE Radioand Wireless Conference.—125～128(TE)     

晶体管、MOS器件

Y2002-63084-133 021268240Gb/s 通信系统用的 InP 异质结构双极晶体管制造Fabrication of InP heterostructure bipolar transistorsfor 40Gb/s communication systems[会,英]/Abid,Z.//ICM 2000 Proceedings of the Twelfth International Con-ference on Microeleetronics.—133～136(PE)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62078-221 0007501具阶梯式栅结构的射频横向双扩散 MOS 场效应晶体管=RF LOMOS FET with graded gate structure[会,英]/Xu,S & Foo,P.D.//1999 International Sympo-sium on Power Semiconductor Devices and IC's.—221～224(U)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62422-22 0103672低功率射频应用中部分耗尽与全耗尽绝缘体上硅MOS 场效应晶体管的比较=Comparison between fully-and partially-depleted SOI MOSFET's for low-power ra-dio-frequency application[会.英]/Rozeau,O.& Jo-maah,J.//1999 IEEE International SOI ConferenceProceedings.—22～23(EC)Y2000-62422-24 0103673绝缘体上硅动态阈值电压 MOS(DTMOS)晶体管高频特性=High frequency characterization of SOI dynamic     

晶体管、MOS器件

Y98-61299-1608 9904497MOS 晶体管的基于电流的模型=A current-based mod-el for the MOS transistor[会,英]/Cunha,A.1.A.&Gouveia-Filho.O.C.//1997 IEEE International Sym-posium on Circuits and Systems.Vol.3.—1608～1611(I)本文介绍了一种 MOS 晶体管的基于物理的模     

晶体管、MOS器件

Y90-62020-135 0003765适用于双模式双波段功率放大器的增强模式器件技术=A true enhancement mode device technology suitablefor dual mode dual band power amplifier applications[会,英]/Glass,E.& Huang,J.//1999 IEEE radiofre-quency integrated circuits symposium.—135～138(UC)Y99-61987-666 0003766非箝位感应开关情况下的600V 击穿现象绝缘栅双极晶体管动态特性研究=A study of 600V punch-throughIGBT dynamics under unclamped jnductive swirching[会,英]/Azzopardi,S.& Vinassa,J.M//1999 IEEE14th Applied Power Electronics Conference,Volume2.—666～669(PC)     

晶体管、MOS器件

Y2002-63318-37 03277794H-SiC的1.8KV,3.8A双极结型晶体管=1.8KV,3.8A bipolar junction transistors in 4H-SiC[会,英]/Ryu,S.-H.＆Agarwal,A.K.//2001 IEEE Proceedings ofthe 13th International Symposium on Power Semiconduc-tor Devices＆ICs.—37-40     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63306-626 0309486栅极长度为100nm 高电子迁移率晶体管的设计与实现=Design and realization of sub 100nm gate lengthHEMTs[会,英]/Parenty,T.& Bollaert,S.//2001IEEE International Conference on Indiurn Phosphide andRelated Materials.—626～629(E)     

晶体管、MOS器件

0603328 铜空气桥低噪声GaAs PHEMT用WNx扩散势垒= Use of WNx as diffusion barrier for copper airbridged low noise GaAs PHEMT[刊,英]／H．C．Changj,E．Y． Chang／／Electronics Letters．-2003,39(24)．-1763-1764(E)     

晶体管、MOS器件

IELDVD060:9322:29630-107 0600442 热激光激励对n型金属氧化物半导体晶体管的作用= Thermal laser stimulation effects on NMOS transistor [会,英]／Firiti,A．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-107-110(A) IELDVD060:9322:29630-209 0600443 关于低温聚合硅薄膜晶体管设备传输线路脉冲Ⅰ-Ⅴ形     

晶体管、MOS 器件

Y2000-62067-442 0016169用于低功率、高性能处理机核的砷化镓技术=Galliumarsenide technology for low-power high performanceprocessor cores[会,英]/Lachowicz,S.W.& Eshraghi-an,K.//1998 IEEE International Confefence on Phto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—442～445(EC)Y2000-62067-454 0016170高势垒栅与三步掺杂沟道晶体管=A high-barriergate and Tri-step doped channel transistor[会,英]/Liu,W.C.& Pan,H.J.//1998 IEEE InternationalConference on Phtoelectronic and Microelectronle Materi-als and Devices.—454～456(EC)Y2000-62067-486 0016171迢低混乱度量子点接触与量子线中的相关电子现象=Correlated electron phencmena in ultra-low-disorder