ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

三乙基铟中杂质元素的ICP—AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰。采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

ICP—AES测定Ta中杂质元素

本文研究了Ｔａ对Ａｌ、Ｃａ等十三种分析元素的干扰情况，列出了Ｔａ干扰其他分析元素的谱线，研究了操作条件变化时的非光谱干扰分布，对非光谱干扰采用优化操作条件的方法消除，并比较了校正光谱干扰的三种方法。     

ICP—AES法同时测定麦饭石中的多种元素

本文阐述了用ＨＣｌ，、ＨＣｌＯ４及ＨＦ在高压溶样哭喊 内消化麦饭石，应用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定麦饭石中的１４种元素。本法的准确度及精密度均达到满意结果。方法简便，快速。     

ICP—AES测定核纯海绵锆中17个杂质元素方法的研究

应用ＩＣＰ－ＡＥＳ法，对核纯海绵锆中１７个杂质元素的测定进行了试验研究。取样量１００ｍｇ时，Ａｌ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ和Ｚｎ的测定范围是１０μｇ／ｇ－３２００μｇ／ｇ。回收率为９５．２％－１０６．５％。     

ICP—AES法测定铝锭、铅锭、锡锭中的杂质元素

铝锭、铅锭、锡锭中杂质元素测定的标准方法为化学法。它有手续麻烦、分析周期长、不易掌握等缺点,对大量进出口的任务显得不甚适用。本文介绍用ICP-AES法来测定铝锭中Si、Fe、Cu.Mg、Mn、Ti,铅锭中Ag、Cu、Bi、As、Sb、Zn、Sn和锡锭中As、Sb、Bi、Cu、Fe、Pb,具有多元素同时测定、快速、简便等优点,减轻了检验人员的劳动强度,加快分析周期,提高了工作效率。方法对标准样品进行测定,测得值与标准值相符。方法各元素的检出限0.03-9.8纳克/毫升,相对标准偏差0.26-3.67%。     

ICP—AES法测定锌及其化合物中的杂质元素

采用样品溶解后直接测定及氢氧化钇共沉淀将锌与被测杂质元素分离后测定相结合，研究了锌及其化合物中Ａｇ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ａｓ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉ等１５个杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法，相对标准偏差１．６－８．１％。     

ICP－AES法同时测定磷铁中的主含量元素和杂质

本文研究用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定磷铁的主含量元素Ｐ和杂质元素Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ的方法。采用碱熔酸化分解试样，选Ｂ为测Ｐ的内标元素，回收率为９６％－１０２％，最大相对标准偏差为８．６０％，大多数结果的相对标准偏差小于５％。     

ICP—AES法测定高纯二氧化锆中痕量杂质

介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Ｆｅ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｔｉ的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。样品以浓Ｈ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４溶解，采用空白背景校正法消除基体Ｚｒ的光谱干扰，以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为９５％－１０６％，相对标准偏差为１．３％－３．０％。     

三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰，采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法的检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

ICP-AES直接测定锑产品中杂质元素

建立了ICP－AES直接测定锑产品中杂质元素的新方法。在折衷工作条件下锑的浓度低于5mg.mL^-1不干扰测定,As,Au,Fe,Pb,Se的检出限满足分析要求,混合标准回收率94．0－107．1％,相对标准偏差＜5％,结果满意。     

ICP—AES测定蔬菜中的18种矿物元素的研究

本文探讨了ＩＣＰ－ＡＥＳ测定蔬菜中１８种矿物元素的方法，选择了合理测试条件。用国家计量局批准的ＧＢＷ０８５０４甘蓝标准物质核对了其中十种元素，得到满意结果。并用该法进行了样品分析，方法简便，快速。     

ICP—AES法分析高纯氧化钪中十二种杂质元素

本文介绍用HCl(1 1)溶样,在基体匹配的标准曲线下测定。元素采用在适当波长处扣除背景的办法进行光谱校正,回收率达92-118%,可满足对氧化钪(Sc_2O_3)含量为99.95%的样品分析。     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP－AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂）、拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。