高频磁控溅射低温度系数铬硅薄膜电阻

采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。     

低TCR高温薄膜电阻

PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值范围扩大至250Ω～3MΩ,并可提供非标阻值。PLTT电阻的工作温度范围为膜电阻扩大了近100℃。器件±5×10^-6／℃的标准TCR,比传统薄具有低至容差低至±0．02％,噪声低于-35dB,     

磁控溅射法制备VO2薄膜及电阻突变测试

基于常温反应磁控溅射和热处理工艺,在硅片（100）衬底上,制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜,采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后,薄膜晶粒开始生长,在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的（011）、（200）、（210）衍射峰,薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试,相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级,具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。     

Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺

研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。     

磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺

研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的ＳｉＯ＿２膜。     

用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列（ＦＦＥＡ）的聚焦极，要求ＦＦＦＡ的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ｎｉ－ＳｉＯ２金属陶瓷电阻层。研究结果表明，当适当调整Ｎｉ和ＳｉＯ２成份比例，可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌，能谱成分分析，方阻及透光率进行了讨论，最后，给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。     

以铜代金作导电带的Cr-SiO薄膜电阻网络

将电解铜丝和NiCr丝进行蒸发。为防止氧化,铜膜应侵锡。电阻经150℃大气热处理,即可制成NiCr-Cu导电带。用Cr-SiO作电阻材料。试验证明,这种薄膜具有良好的电气性能。     

CrSi薄膜电阻温度系数研究

对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析,通过有针对性的多组试验,优化了工艺奈件,使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。     

磁控溅射工艺对Vox薄膜结构和性能的影响

以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8∶25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时,单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。